CYTLP185(GB-TP)

卓睿 CYTLP185 CHEUK YUI 概述 卓睿的CYTLP185是一块小外形的贴片光电藕合器件，适合表面贴装生产。CYTLP185是由一个砷化镓发光二极管 和一个光电晶体管组成的光电耦合器，它的体积比DIP小，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器等。 特性       电流转换比 (CTR)范围: 80~600% （IF =5mA ,VCE =5V） 输入-输出隔离电压 (Viso=5000 Vrms) 集电极-发射极击穿电压 BVCEO≥80V 工作温度：-55~110°C UL 和 cUL 认证（NO.:E497745） 符合 EU REACH 和 RoHS Applications     开关电源，智能电表 工业控制，测量仪器 办公设备，比如复印机 家用电器，比如空调、风扇、热水器等 结构原理图和封装 极限参数 (Ta=25C) 参数 输入 输出 正向电流 正向脉冲电流 反向电压 功耗 结温 集电极功耗 集电极电流 集电极-发射极电压 发射极-集电极电压 结温 总功耗 隔离电压 工作温度 储存温度 焊接温度 © CHEUK YUI INNOVATION CO.,LIMITED Proprietary & Confidential 符号 额定值 单位 IF IFP VR P Tj PC IC VCEO VECO Tj Ptot Viso Topr Tstg Tsol 50 1 6 70 125 150 50 80 7 125 200 5000 -55~+110 -55~+125 260 mA A V mW °C mW mA V V °C mW Vrms °C °C °C 1 2017-1-5 DPC-CYTLP185-CN-Rev.1 卓睿 CYTLP185 CHEUK YUI 光电特性 (Ta=25C) Parameter 输入 Symbol Condition 正向电压 VF IF=20mA 反向电流 IR VR=5V 终端电容 Ct Typ. Max. Unit 1.2 1.4 V - - 10 µA V=0, f=1kHz - 30 250 pF ICEO VCE=70V - - 100 nA 集电极-发射极击穿电压 BVCEO IC=0.1mA, IF=0 80 - - V 发射极-集电极击穿电压 BVECO IE=0.1mA, IF=0 7 - - V CTR IF=5mA, VCE=5V 50 - 400 % VCE(sat) IF=20mA, IC=1mA - 0.1 0.2 V RISO DC1000V, 40~60%R.H. 1x1011 - - Ω 隔离电容 Cf V=0, f=1MHz - 0.6 1.0 pF 集电极-发射极电容 CCE V=0, f=1MHz 截止频率 Fc VCE=5V, IC=2mA, RL=100Ω, -3dB 上升时间 Tr 下降时间 Tf 集电极暗电流 输出 电流转换比 饱和压降 集电极-发射极饱和压降 传输特性 Min. 10 VCE=10V, IC=2mA, RL=100Ω 开关时间 pF - 80 - kHz - 4 18 µs - 3 18 µs * CTR=IC/IF x 100% CTR 分级表 电流转换率(%)(IC/IF) 型号 分级标准 IF = 5mA, VCE = 5V, Ta = 25°C Min Type Max Blank 50 - 400 Y 50 GR 100 - GB 100 YH 75 GRL 100 GRH 150 - 300 BLL 200 - 400 IF = 1mA, VCE = 0.4V, Ta = 25°C Min Type Max 300 - 60 - - 400 30 - - - 150 150 CYTL185 © CHEUK YUI INNOVATION CO.,LIMITED Proprietary & Confidential 200 2 2017-1-5 DPC-CYTLP185-CN-Rev.1 卓睿 CYTLP185 CHEUK YUI 测试电路 IF-Ta PC-Ta 集电极功耗 PC（mW） 正向电流 IF（mA） 环境温度（°C） 环境温度（°C） IFM-DR 峰值正向电流 IF（mA） CTR- IF 电流传输比 CTR（%） 占空比 © CHEUK YUI INNOVATION CO.,LIMITED Proprietary & Confidential 正向电流 IF（mA） 3 2017-1-5 DPC-CYTLP185-CN-Rev.1 卓睿 CYTLP185 CHEUK YUI IF-VF 正向电流 IF（mA） IC-VCE 集电极电流 IC（mA） 正向电压 VF（V） 集电极-发射极压降 VCE（V） CTR-Ta VCE(SAT)-Ta 集电极-发射极饱和压降 VCESAT（V） 电流传输比 CTR（%） 环境温度（°C） 环境温度（°C） ICEO-Ta Switching Time-RL 集电极暗电流 ICEO 快关之间（uA） （nA） 正向电压 VF（V） 环境温度（°C） © CHEUK YUI INNOVATION CO.,LIMITED Proprietary & Confidential 负载电阻 RL（k） 4 2017-1-5 DPC-CYTLP185-CN-Rev.1 卓睿 CYTLP185 CHEUK YUI AV-f VCE(SAT)-IF 集电极-发射极饱和压降 电压增益 AV（dB） VCESAT（V） 频率（kHz） 正向电电流 IF（mA） 回流焊温度曲线图 20Sec Ramp- up TP 260℃ Temperat ure (℃ ) TL 217℃ Tsmax 200℃ Ramp-down 60~ 100Sec Tsmin 150℃ tL (Soldering) 25℃ Time(Sec) 60~ 120 sec t s (Preheat ) © CHEUK YUI INNOVATION CO.,LIMITED Proprietary & Confidential 5 2017-1-5 DPC-CYTLP185-CN-Rev.1 卓睿 CYTLP185 CHEUK YUI 外形尺寸 卓睿研发有限公司保留在任何时候修改此规格的权利，以改善设计性能和提供更好的产品，恕不另行通 知。客户下定单之前请确认手头的资料是最新版本。客户需确认此芯片确实符合自己的需要且能满足自 己的要求。卓睿研发有限公司不对由使用本产品而衍生的知识产权或者其它法律问题负责。使用此IC时 请采取措施防止静电损坏。 © CHEUK YUI INNOVATION CO.,LIMITED Proprietary & Confidential 6 2017-1-5 DPC-CYTLP185-CN-Rev.1