GN6932

旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. GN6932 1、概 述 GN6932是一种LED(发光二极管显示器)驱动控制专用电路，内部集成有MCU数字接口、数据锁 存器、LED高压驱动。本产品性能优良，质量可靠。主要应用于多段位显示屏驱动。 其主要特点如下： ● 采用功率CMOS工艺 ● 显示模式（8段×16位） ● 辉度调节电路（占空比8级可调） ● 串行接口（CLK、STB、DIN） ● 振荡方式：RC振荡（450KHz±5%） ● 内置上电复位电路 ● 封装形式：SOP32 ● 包装规格：GN6932 SOP32 20PCS/管 1600PCS/盒 16000PCS/箱 2、功能框图及引脚说明 2.1、引脚排列图 GN6932 图 1、GN6932 引脚排列图 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 1 页，共 15 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN6932 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. 2.2、引脚说明 引脚 符 号 引脚名称 说明 1 GRID13 输出（位） 位输出，N 管开漏输出 2 GRID14 输出（位） 位输出，N 管开漏输出 3 GRID15 输出（位） 位输出，N 管开漏输出 4 GRID16 输出（位） 位输出，N 管开漏输出 5 GND 逻辑地 接系统地 6 DIN 数据输入 在时钟上升沿输入串行数据，从低位开始。 7 CLK 时钟输入 在时钟上升沿输入/输出串行数据 8 STB 片选 在上升或下降沿初始化串行接口，随后等待 9 NC 空脚 内部未连线 10 SEG1 输出（段） 段输出，P 管开漏输出 11 SEG2 输出（段） 段输出，P 管开漏输出 12 SEG3 输出（段） 段输出，P 管开漏输出 13 SEG4 输出（段） 段输出，P 管开漏输出 14 SEG5 输出（段） 段输出，P 管开漏输出 15 SEG6 输出（段） 段输出，P 管开漏输出 16 SEG7 输出（段） 段输出，P 管开漏输出 17 SEG8 输出（段） 段输出，P 管开漏输出 18 VDD 逻辑电源 5V±10% 19 GND 逻辑地 接系统地 20 GRID1 输出（位） 位输出，N 管开漏输出 21 GRID2 输出（位） 位输出，N 管开漏输出 22 GRID3 输出（位） 位输出，N 管开漏输出 23 GRID4 输出（位） 位输出，N 管开漏输出 24 GRID5 输出（位） 位输出，N 管开漏输出 25 GRID6 输出（位） 位输出，N 管开漏输出 26 GRID7 输出（位） 位输出，N 管开漏输出 27 GRID8 输出（位） 位输出，N 管开漏输出 28 GND 逻辑地 接系统地 29 GRID9 输出（位） 位输出，N 管开漏输出 30 GRID10 输出（位） 位输出，N 管开漏输出 31 GRID11 输出（位） 位输出，N 管开漏输出 32 GRID12 输出（位） 位输出，N 管开漏输出 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 2 页，共 15 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN6932 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. 3、电特性 3.1、 极限参数（除非另有规定，Tamb=25℃，GND=0V） 参 数 名 称 符 号 逻辑电源电压 条 件 额 定 值 单 位 VDD -0.5～7.0 V 逻辑输入电压 VI1 -0.5～VDD+0.5 V LED Seg 驱动输出电流 I01 -50 mA LED Grid 驱动输出电流 I02 +200 mA 功率损耗 PD 400 mW 工作温度 Topt -40～+80 ℃ 储存温度 Tstg -65～+150 ℃ 3.2、推荐使用条件（Tamb=-20℃～+70℃，GND=0V） 参 数 名 称 符 号 最小 典型 最大 单 位 逻辑电源电压 VDD 3 5 5.5 V 高电平输入电压 VIH 0.7VDD - VDD V 低电平输入电压 VIL 0 - 0.3VDD V 3.3、电气特性 3.3.1、电气特性（ 除非另有规定，Tamb=-20℃～+70℃,VDD=3V～3.6V，GND=0V） 参 数 名 称 符 号 IOH1 高电平输出电流 IOH2 低电平输出电流 IOL1 低电平输出电流 IDOUT 高电平输出电流 容许量 ITOLSG 测 试 条 件 Seg1～seg8, Vo=VDD-2V Seg1～seg8, Vo=VDD-3V Grid1～grid16 Vo=0.3V Vo=0.4V,DOUT Vo=VDD-3V, Seg1～seg8 最小 典型 最大 单 位 -20 -25 -40 mA -20 -30 80 140 - mA 4 - - mA - - 5 % - 10 - KΩ -50 mA 输出下拉电阻 RL 输入电流 II VI=VDD/GND - - ±1 μA 高电平输入电压 VIH CLK,DIN,STB 0.7VDD - - V 低电平输入电压 VIL CLK,DIN,STB - - 0.3VDD V 滞后电压 VH CLK,DIN,STB - 0.35 - V 动态电流损耗 IDDdyn 无负载，显示关 - - 5 mA 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 3 页，共 15 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN6932 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. 3.3.2、开关特性 （除非另有规定，Tamb=-20℃～+70℃,VDD=4.5V～5.5V） 参 数 名 称 符 号 测 试 条 件 最小 典型 最大 单 位 振荡频率 fOSC R=16.5K - 500 - KHz tPLZ CLK→DOUT - - 300 ns tPZL CLK=15pF,RL=10KΩ -- 100 ns 上升时间 TTZH1 TTZH2 CL=300pF,Seg1~Seg8 CL=300pF,Grid1~Grid16 - - 2 0.5 μs μs 下降时间 TTHZ CL=300pF,Segn,Gridn - - 120 μs 最大时钟频率 Fmax 占空比 50% 1 - - MHz 输入电容 CI - - - 15 pF 传输延迟时间 3.3.3、时序特性 （除非另有规定，Tamb=-20℃～+70℃,VDD=4.5V～5.5V） 参 数 名 称 符 号 测 试 条 件 最小 典型 最大 单 位 时钟脉冲宽度 PWCLK - 400 - - μs 选通脉冲宽度 PESTB - 1 - - μs 数据建立时间 tSETUP - 100 - - ns 数据保持时间 tHOLD - 100 - - ns CLK→STB 时间 tCLKSTB CLK↑→STB↑ 1 - - μs 等待时间 tWAIT CLK↑→CLK↓ 1 - - μs 4、功能介绍 4. 1、时序图 图 2、时序图 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 4 页，共 15 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. GN6932 4. 2、显示寄存器地址和显示模式 该寄存器存储通过串行接口从外部器件传送到 GN6932 的数据，地址从 00H-0FH 共 16 字节单 元，分别与芯片 SEG 和 GRID 管脚所接的 LED 灯对应，分配如下图： 写 LED 显示数据的时候，按照从显示地址的低位到高位，从数据字节的低位到高位操作。 B2 SEG8 B1 SEG7 B0 SEG6 SEG5 SEG4 SEG3 SEG2 SEG1 XXHL(低四位) XXHU(高四位) B3 B4 B5 B6 B7 00HL 00HU GRID1 01HL 01HU GRID2 02HL 02HU GRID3 03HL 03HU GRID4 04HL 04HU GRID5 05HL 05HU GRID6 06HL 06HU GRID7 07HL 07HU GRID8 08HL 08HU GRID9 09HL 09HU GRID10 0AHL 0AHU GRID11 0BHL 0BHU GRID12 0CHL 0CHU GRID13 0DHL 0DHU GRID14 0EHL 0EHU GRID15 0FHL 0FHU GRID16 图 3、寄存器地址 4. 3、指令介绍 指令用来设置显示模式和 LED 驱动器的状态。 当 STB 下降沿后由 DIN 输入的第一个字节作为一条指令。经过译码，取最高 B7、B6 两位比 特位以区别不同的指令。 B7 B6 指令 0 1 数据命令设置 1 0 显示控制命令设置 1 1 地址命令设置 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 5 页，共 15 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN6932 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. 如果在指令或数据传输时 STB 被置为高电平，串行通讯被初始化，并且正在传送的指令或数 据无效（之前传送的指令或数据保持有效）。 （1）数据命令设置 该指令用来设置数据写和读，B1 和 B0 位不允许设置 01 或 11 MSB LSB B7 B6 0 1 B5 B4 B3 B2 B1 B0 功能 说明 0 0 数据读写模式 写数据到显示寄存器 设置 无关项 0 1 0 1 0 1 0 1 0 地址增加模式 自动地只增加 1 设置 固定地址 0 测试模式设置 普通模式 1 （内部使用） 测试模式 填0 （2）地址命令设置 MSB LSB B7 B6 1 B5 B4 B3 B2 B1 B0 显示地址 1 0 0 0 0 00H 1 1 0 0 0 1 01H 1 1 0 0 1 0 02H 1 1 0 0 1 1 03H 1 1 0 1 0 0 04H 1 1 0 1 0 1 05H 1 1 0 1 1 0 06H 1 1 0 1 1 1 07H 1 1 1 0 0 0 08H 1 0 0 1 09H 无关项 填0 1 1 1 1 1 0 1 0 0AH 1 1 1 0 1 1 0BH 1 1 1 1 0 0 0CH 1 1 1 1 0 1 0DH 1 1 1 1 1 0 0EH 1 1 1 1 1 1 0FH 该指令用来设置显示寄存器的地址。 如果地址设为 10H 或更高，数据被忽略，直到有效地址被设定。上电时，地址默认设为 00H。 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 6 页，共 15 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN6932 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. （3）显示控制： MSB LSB B7 B6 1 B5 B4 B3 B2 B1 B0 0 0 0 0 设置脉冲宽度 1/16 1 0 0 0 1 设置脉冲宽度 2/16 1 0 0 1 0 设置脉冲宽度 4/16 1 0 无关项 0 1 1 1 0 填0 1 0 0 设置脉冲宽度 11/16 1 0 1 0 1 设置脉冲宽度 12/16 1 0 1 1 0 设置脉冲宽度 13/16 1 0 1 1 1 设置脉冲宽度 14/16 1 0 0 1 0 1 功能 消光数量设置 显示开关设置 说明 设置脉冲宽度 10/16 显示关 显示开 4.4、串行数据传输格式： 数据接收（写数据） 接收 1 个 BIT 都在时钟的上升沿操作 图 4、串行数据接收时序图 ▲注意：读取数据时，从串行时钟 CLK 的第 8 个上升沿开始设置指令到 CLK 下降沿读数据之间需要 一个等待时间 Tmait（最小 1us） 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 7 页，共 15 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. GN6932 4.5、显示： （1）驱动共阴数码管： 图 5、共阴数码管连接图 上图为共阴数码管的连接示意图，如果让该数码管显示“0”，那么在 GRID1 为低电平的时候 SEG1，SEG2，SEG3，SEG4，SEG5，SEG6 为高电平，SEG7 为低电平，查看“显示寄存器地址和 显示模式”给出的显示地址表格，只需在 00H 地址单元里面写数据 3FH 就可以让数码管显示“0”。 （2）驱动共阳数码管： 图 6、共阳数码管连接图 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 8 页，共 15 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN6932 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. 上图给出了共阳数码的连接示意图，如果让该数码管显示“0”，那你需要在 GRID1，GRID2，GRID3， GRID4，GRID5，GRID6 为低电平的时候让 SEG1 为高电平，在 GRID7 为低电平的时候让 SEG1 为低电平。 要向地址单元 00H-05H 里面写入数据 01H，其余的地址单元全部写 00H。 SEG8 SEG7 SEG6 SEG5 SEG4 SEG3 SGE2 SEG1 0 0 0 0 0 0 0 1 00H 0 0 0 0 0 0 0 1 01H 0 0 0 0 0 0 0 1 02H 0 0 0 0 0 0 0 1 03H 0 0 0 0 0 0 0 1 04H 0 0 0 0 0 0 0 1 05H 0 0 0 0 0 0 0 0 06H B7 B6 B5 B4 B3 B2 B1 B0 ▲注意：SEG1-8 为 P 管开漏输出，GRID1-16 为 N 管开漏输出，在使用时候，SEG 只能接 LED 的阳极， GRID 只能接 LED 的阴极，不可反接。 4. 6、应用时串行数据的传输 4.6.1、地址增加模式 使用地址自动加 1 模式，设置地址实际上是设置传送的数据流存放的起始地址。起始地址命令 字发送完毕， “STB”不需要置高紧跟着传数据，最多 16BYTE,数据传送完毕才将“STB”置高。 图 7、地址加 1 时序图 Command1：设置数据命令 Command2：设置显示地址 Data1~N: 传输显示数据至 Command2 地址和后面的地址内（最多 16 bytes） Command3：显示控制命令 4.6.2、固定地址模式 使用固定地址模式，设置地址实际上是设置需要传输的 1BYTE 数据存放的地址。地址发送完 毕，“STB”不需要置高，紧跟着传 1BYTE 数据，数据传送完毕后才将“STB”置高。然后重新设 置第 2 个数据需要存放的地址，最多 16BYTE 数据传送完毕，“STB”置高。 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 9 页，共 15 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. GN6932 图 8、固定地址时序图 Command1：设置数据命令 Command2：设置显示地址 1 Data1: 传输显示数据 1 至 Command2 地址内 Command3：显示显示地址 2 Data2: 传输显示数据 2 至 Command3 地址内 Command4：显示控制命令 4.6.3、程序设计流程图 采用地址自动加 1 的程序设计流程图： 图 9、地址增加程序流程图 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 10 页，共 15 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. GN6932 采用固定地址的程序设计流程图： 图 10、固定地址程序流程图 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 11 页，共 15 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN6932 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. 5、典型应用线路 5.1、GN6932 驱动共阴数码管电路原理图 SEG1 SEG2 SEG3 SEG4 SEG5 SEG6 SEG7 SEG8 a a b c f b GRID1 g d e fe c g dp dp d SEG1 SEG2 SEG3 SEG4 SEG5 SEG6 SEG7 SEG8 LED1 SEG1 SEG2 SEG3 SEG4 SEG5 SEG6 SEG7 SEG8 LED2 a a b c f b GRID5 g d e fe c g dp dp d SEG1 SEG2 SEG3 SEG4 SEG5 SEG6 SEG7 SEG8 LED5 SEG1 SEG2 SEG3 SEG4 SEG5 SEG6 SEG7 SEG8 a a b c f b GRID9 g d e fe c g d dp dp SEG1 SEG2 SEG3 SEG4 SEG5 SEG6 SEG7 SEG8 SEG1 SEG2 SEG3 SEG4 SEG5 SEG6 SEG7 SEG8 a a b c f b GRID6 g d e fe c g dp dp d SEG1 SEG2 SEG3 SEG4 SEG5 SEG6 SEG7 SEG8 LED13 a a b c f b GRID11 g d e fe c g d dp dp SEG1 SEG2 SEG3 SEG4 SEG5 SEG6 SEG7 SEG8 a a b c f b GRID14 g d e fe c g d dp dp a a b c f b GRID15 g d e fe c g d dp dp R1 10K R2 10K R3 10K GND DIN CLK STB GND C1 101 C2 101 a a b c f b GRID12 g d e fe c g d dp dp SEG1 SEG2 SEG3 SEG4 SEG5 SEG6 SEG7 SEG8 a a b c f b GRID16 g d e fe c g d dp dp LED16 VCC C5 104 SEG1 SEG2 SEG3 SEG4 SEG5 SEG6 SEG7 SEG8 LED12 LED15 VCC a a b c f b GRID8 g d e fe c g dp dp d LED8 LED11 LED14 C4 100uF/2 5V SEG1 SEG2 SEG3 SEG4 SEG5 SEG6 SEG7 SEG8 a a b c f b GRID7 g d e fe c g dp dp d SEG1 SEG2 SEG3 SEG4 SEG5 SEG6 SEG7 SEG8 a a b c f b GRID10 g d e fe c g d dp dp a a b c f b GRID4 g d e fe c g dp dp d LED4 LED7 LED10 a a b c f b GRID13 g d e fe c g d dp dp SEG1 SEG2 SEG3 SEG4 SEG5 SEG6 SEG7 SEG8 a a b c f b GRID3 g d e fe c g dp dp d LED3 LED6 LED9 SEG1 SEG2 SEG3 SEG4 SEG5 SEG6 SEG7 SEG8 SEG1 SEG2 SEG3 SEG4 SEG5 SEG6 SEG7 SEG8 a a b c f b GRID2 g d e fe c g dp dp d C3 101 GND GRID13 GRID12 GRID13 GRID12 GRID11 GRID14 GRID14 GRID11 GRID10 GRID15 GRID15 GRID10 GRID9 GRID16 GRID16 GRID9 GND GND GND GRID8 DIN GRID8 GRID7 CLK GRID7 GRID6 STB GRID6 GRID5 NC GRID5 SEG1 GRID4 SEG1 GRID4 SEG2 GRID3 SEG2 GRID3 SEG3 GRID2 SEG3 GRID2 SEG4 GRID1 SEG4 GRID1 GND SEG5 SEG5 GND VCC SEG6 SEG6 VDD SEG7 SEG8 SEG7 SEG8 图 11、GN6932 驱动共阴数码管原理图 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 12 页，共 15 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN6932 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. 5.2、GN6932 驱动共阳数码管电路原理图 GRID1 GRID2 GRID3 GRID4 GRID5 GRID6 GRID7 GRID8 a a b c f b g d e fe c g dp dp d SEG1 GRID1 GRID2 GRID3 GRID4 GRID5 GRID6 GRID7 GRID8 LED1 GRID1 GRID2 GRID3 GRID4 GRID5 GRID6 GRID7 GRID8 a a b c f b g d e fe c g dp dp d GRID1 GRID2 GRID3 GRID4 GRID5 GRID6 GRID7 GRID8 SEG2 LED2 a a b c f b g d e fe c g dp dp d SEG5 GRID1 GRID2 GRID3 GRID4 GRID5 GRID6 GRID7 GRID8 LED5 a a b c f b g d e fe c g dp dp d a a b c f b g d e fe c g dp dp d SEG3 GRID1 GRID2 GRID3 GRID4 GRID5 GRID6 GRID7 GRID8 LED3 GRID1 GRID2 GRID3 GRID4 GRID5 GRID6 GRID7 GRID8 SEG6 LED6 a a b c f b g d e fe c g dp dp d SEG4 LED4 a a b c f b g d e fe c g dp dp d SEG7 GRID1 GRID2 GRID3 GRID4 GRID5 GRID6 GRID7 GRID8 LED7 a a b c f b g d e fe c g dp dp d SEG8 LED8 VCC VCC C4 100uF/25V C5 104 R1 10K R2 10K R3 10K GND DIN CLK STB GND C1 101 C2 101 C3 101 GND SEG1 SEG2 SEG3 SEG4 SEG5 SEG6 SEG7 GRID13 GRID12 GRID14 GRID11 GRID15 GRID10 GRID16 GRID9 GND GND GND GRID8 DIN GRID8 GRID7 CLK GRID7 GRID6 STB GRID6 GRID5 NC GRID5 GRID4 SEG1 GRID4 GRID3 SEG2 GRID3 GRID2 SEG3 GRID2 GRID1 SEG4 GRID1 GND SEG5 GND VCC SEG6 VDD SEG8 SEG7 SEG8 图 12、GN6932 驱动共阳数码管原理图 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 13 页，共 15 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. GN6932 6、封装尺寸与外形图 6. 1、SOP32 外形图与封装尺寸 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 14 页，共 15 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN6932 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. 7、声明及注意事项： 7.1、产品中有毒有害物质或元素的名称及含量 有毒有害物质或元素 部件名称 铅（Pb） 汞（Hg） 镉（Cd） 六阶铬 多溴联苯 多溴联苯 （PBBs） 醚（PBDEs） r Ⅵ） （C（ ） 引线框 ○ ○ ○ ○ ○ ○ 塑封树脂 ○ ○ ○ ○ ○ ○ 芯片 ○ ○ ○ ○ ○ ○ 内引线 ○ ○ ○ ○ ○ ○ 装片胶 ○ ○ ○ ○ ○ ○ 说明 ○：表示该有毒有害物质或元素的含量在 SJ/T11363-2006 标准的检出 限以下。 ×：表示该有毒有害物质或元素的含量超出 SJ/T11363-2006 标准的限 量要求。 7.2 注意 在使用本产品之前建议仔细阅读本资料； 本资料中的信息如有变化，恕不另行通知； 本资料仅供参考，本公司不承担任何由此而引起的任何损失； 本公司也不承担任何在使用过程中引起的侵犯第三方专利或其它权利的责任。 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 15 页，共 15 页