GN595D

GN595 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. 1、概 述 GN595 是一款低噪声、低功耗、高速的 COMS 移位寄存器，能够驱动 15 个 LS-TTL 的负载。 该器件包含一个 8 位串行输入，并行输出的移位寄存器及带有三态输出控制的 8 位 D 型存储器。 移位寄存器和存储器分别由独立的时钟提供信号。移位寄存器内置直接清零，串行输入和用于级联的 串行输出功能。时钟的上升沿触发移位寄存器和存储器。如果同一个时钟提供信号，则移位寄存器的 状态必须比存储器提前一个脉冲信号。器件所有输入管脚对电源和地之间均有二极管保护结构，防止 电路被静电损坏。 其主要特点如下： ● 低静态电流：最大80uA ● 低输入电流：最大1uA ● 带存储功能的8位串行输入，并行输出的移位寄存 器 ● 工作电压范围宽：2V-6V ● 工作温度范围：-40℃～+85℃ ● 可级联使用 ● 移位寄存器可直接清零 ● 移位时钟频率：DC-30MHz ● 封装形式：DIP16 / SOP16 / TSSOP16 包装信息如下： 产品型号 封装形式 打印标识 编带盘装数 编带盒装数 箱装数 GN595D SOP16 GN595D 4000PCS/盘 8000PCS/盒 64000PCS/箱 GN595N DIP16 GN595N 50PCS/管 10000PCS/盒 100000PCS/箱 GN595T TSSOP16 GN595T 4000PCS/盘 8000PCS/盒 64000PCS/箱 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 2 页，共 14 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. GN595 2、功能框图及引脚说明 2.1、引脚排列图 2.2、引脚说明 引脚 1 符 号 Q1 功 能 三态输出端 引脚 9 符 号 Q7’ 功 能 串行数据输出端 2 Q2 三态输出端 10 SCLR 移位寄存器清零端 3 4 Q3 Q4 三态输出端 三态输出端 11 12 SCK RCK 数据输入时钟 输出存储器锁存时钟 5 Q5 三态输出端 13 G 输出使能端 6 7 8 Q6 Q7 GND 三态输出端 三态输出端 地 14 15 16 SER Q0 Vcc 数据输入端 三态输出端 电源端 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 3 页，共 14 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. GN595 2.3、功能框图 2.4、真值表 RCK × × × ↑ SCK × × ↑ × SCLR G 功能 × L H H H L L L Q0-Q7 ：输出高阻 移位寄存器清零 Q7’=0 移位寄存器存储状态：时钟 QN=QN-1，Q0=SER 输出存储器锁存移位寄存器的状态 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 4 页，共 14 页 GN595 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. 3、电特性 3.1、极限参数（除非另有规定，Tamb=25℃） 参 数 名 称 符 号 VCC 电源电压 ICC 电源电流 VIN 直流输入电压 VOUT 直流输出电压 IIK,IOK 钳位二极管电流 IOUT 直流输出电流 功耗 PD 工作环境温度 贮存温度 Tamb Tstg 焊接温度 TL 3.2、推荐使用条件 参 数 名 称 电源电压 DC 输入或输出电压 符 号 VCC VIN 或 VOUT 输入上升和下降时间 tr,tf 10 秒 条 件 — — — — — — DIP 封装电路 SOP 封装电路 — — DIP 封装电路 SOP 封装电路 条 件 — — VCC =2.0V VCC =4.5V VCC =6.0V 最小 2 0 — — — 3.3、电气特性 3.3.1、直流参数 （Tamb=-40～+85℃，GND=0V） 参 数 名 称 符号 测 试 条 件 ICCQ 静态电流 VIN= VCC 或 GND, Vcc=6.0V IOUT=0uA 三态输出最大 VIN= VIH 或 VIL,VOUT=VCC 或 GND, IOZ Vcc=6.0V 漏电流 IIN 输入漏电流 VIN=VCC 或 GND，Vcc=6.0V Vcc=2.0V 输入高电平电 VIH Vcc=4.5V 压 Vcc=6.0V Vcc=2.0V 输入低电平电 VIL Vcc=4.5V 压 Vcc=6.0V IOUT=-20uA,Vcc=2.0V 输出高电平电 VIN=VIH 或 VOH IOUT=-20uA,Vcc=4.5V VIL 压 IOUT=-20uA,Vcc=6.0V IOUT=-4.0mA，Vcc=4.5V VIN=VIH 或 Q7’输出高电 VOH VIL 平电压 IOUT=-5.2mA，Vcc=6.0V I =-6.0mA, Vcc=4.5V OUT Q0-Q7 输出高 VIN=VIH 或 VOH IOUT=-7.8mA, Vcc=6.0V VIL 电平电压 Vcc=2.0V,IOUT=20uA 输出低电平电 VIN=VIH 或 VOL Vcc=4.5V,IOUT=20uA VIL 压 Vcc=6.0V,IOUT=20uA VOL Vcc=4.5V,IOUT=4.0mA Q7’输出低电 VIN=VIH 或 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 额 定 值 -0.5～7.0 ±70 -1.5～VCC+1.5 -0.5～VCC+0.5 ±20 ±35 600 500 -40～85 -65～150 245 250 单 位 V mA V V mA mA 典型 — — — 6 — 单 位 V V ns ns ns 最大 6 VCC 1000 500 400 mW ℃ ℃ ℃ ℃ 最小 — 典型 — 最大 80 单 位 uA — — ±5.0 uA — 1.5 3.15 4.2 — — — 1.9 4.4 5.9 4.5 6.0 4.5 6.0 — — — — — 1.2 2.4 3.2 0.8 2.1 2.8 2.0 4.5 6.0 3.7 5.2 3.7 5.2 0 0 0 0.15 ±1.0 — — — 0.5 1.35 1.8 — — — — — — — 0.1 0.1 0.1 0.33 uA V V V V V V V V V V V V V V V V V 第 5 页，共 14 页 GN595 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. 平电压 Vcc=6.0V,IOUT=5.2mA VIL Q0-Q7 输出低 电平电压 Vcc=4.5V,IOUT=6.0mA VIN=VIH 或 VIL VOL Vcc=6.0V,IOUT=7.8mA — 0.16 0.33 — 0.16 0.33 — 0.16 0.33 3.3.2、交流参数 1（TA=25℃，tr = tf =6ns ，CL=50pF，测试图见图 6） 参 数 名 称 符号 测 试 条 件 最小 Vcc=2.0V 9 SCK/RCK 最高工 图 1、图 Vcc=4.5V 30 fMAX 2 作频率 Vcc=6.0V 35 Vcc=2.0V — SCK 到 Q7’最大传 Vcc=4.5V — 图1 tPHL/tPLH 输延时 Vcc=6.0V — Vcc=2.0V — RCK 到 Q0-Q7 最 Vcc=4.5V — 图2 tPHL/tPLH 大传输延迟 Vcc=6.0V — Vcc=2.0V — G 到 Q0-Q7 输出 tPZH/tPZL Vcc=4.5V — 图5 使能最大时间 Vcc=6.0V — Vcc=2.0V — G 到 Q0-Q7 输出 tPHZ/tPLZ 图5 Vcc=4.5V — 禁止最大时间 Vcc=6.0V — Vcc=2.0V 75 SCK 脉冲宽度（高 Vcc=4.5V 15 图1 tW 电平或低电平） Vcc=6.0V 13 Vcc=2.0V 75 RCK 脉冲宽度（高 Vcc=4.5V 15 图2 tW 电平或低电平） Vcc=6.0V 13 Vcc=2.0V 75 Vcc=4.5V 15 图4 tW SCLR低电平宽度 Vcc=6.0V 13 Vcc=2.0V — SCLR到 Q7 传输 Vcc=4.5V — 图4 tPHL 延时 Vcc=6.0V — Vcc=2.0V +50 SCLR到 SCK 等 Vcc=4.5V +10 图4 trem 待时间 Vcc=6.0V +9 Vcc=2.0V 50 SER 到 SCK 建立 Vcc=4.5V 10 图3 tSU 时间 Vcc=6.0V 9.0 Vcc=2.0V 75 SCK 到 RCK 建立 Vcc=4.5V 15 图2 tSU 时间 Vcc=6.0V 13 Vcc=2.0V +3 SER 到 SCK 保持 Vcc=4.5V +3 图3 tH 时间 Vcc=6.0V +3 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 典型 30 91 108 52 19 15 55 20 16 47 17 14 41 15 12 17 6 5 11 4 3 17 6.0 5.0 47 17 14 -19 -7 -6 11 4.0 3.0 22 8 7 -6 -2 -2 最大 — — — 160 32 27 175 35 30 150 30 26 150 30 26 — — — — — — — — — 175 35 30 — — — — — — — — — — — — V V V V V 单 位 MHz MHz MHz ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns 第 6 页，共 14 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. 3.3.3、交流参数 2（TA= -40～85℃，tr = tf =6ns ，CL=50pF，测试图见图 6） 参 数 名 称 符号 测 试 条 件 最小 典型 Vcc=2.0V 4.8 — SCK/RCK 最高工作频 Vcc=4.5V 24 — 图 1、图 2 fMAX 率 Vcc=6.0V 28 — Vcc=2.0V — — SCK 到 Q7’最大传输延 Vcc=4.5V 图1 — — tPHL/tPLH 时 Vcc=6.0V — — Vcc=2.0V — — RCK 到 Q0-Q7 最大传 Vcc=4.5V 图2 — — tPHL/tPLH 输延迟 Vcc=6.0V — — Vcc=2.0V — — G 到 Q0-Q7 输出使能 tPZH/tPZL Vcc=4.5V — — 图5 最大时间 Vcc=6.0V — — Vcc=2.0V — — G 到 Q0-Q7 输出禁止 tPHZ/tPLZ Vcc=4.5V 图5 — — 最大时间 Vcc=6.0V — — Vcc=2.0V 95 — SCK 脉冲宽度（高电平 Vcc=4.5V 19 — 图1 tW 或低电平） Vcc=6.0V 16 — Vcc=2.0V 95 — RCK 脉冲宽度（高电平 Vcc=4.5V 19 — 图2 tW 或低电平） Vcc=6.0V 16 — Vcc=2.0V 95 — Vcc=4.5V 19 图4 — tW SCLR低电平宽度 Vcc=6.0V 16 — Vcc=2.0V — — Vcc=4.5V — — 图4 tPHL SCLR到 Q7’传输延时 Vcc=6.0V — — Vcc=2.0V 65 — SCLR到 SCK 等待时 Vcc=4.5V 13 — 图 4 trem 间 Vcc=6.0V 11 — Vcc=2.0V 65 — Vcc=4.5V 13 SER 到 SCK 建立时间 图3 — tSU Vcc=6.0V 11 — Vcc=2.0V 95 — Vcc=4.5V 19 — SCK 到 RCK 建立时间 图2 tSU Vcc=6.0V 16 — Vcc=2.0V 3 — Vcc=4.5V 3 SER 到 SCK 保持时间 图3 — tH Vcc=6.0V 3 — 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 GN595 最大 — — — 200 40 34 220 44 37 190 38 33 190 38 33 — — — — — — — — — 220 44 37 — — — — — — — — — — — — 单 位 MHz MHz MHz ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns 第 7 页，共 14 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. GN595 4、交流参数测试图及波形 4.1、交流波形 图1 图2 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 8 页，共 14 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. GN595 图3 图4 图5 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 9 页，共 14 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. GN595 图6 测试项 开关选择状态 tPLH/tPHL open tPLZ/tPZL VCC tPHZ/tPZH GND 注：1、RL = 负载电阻 2、CL= 负载电容 3、RT = 与信号发生器输出阻抗相匹配的端口电阻 4.2、时序图 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 10 页，共 14 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. GN595 5、封装尺寸与外形图 5.1、DIP16 外形图与封装尺寸 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 11 页，共 14 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. GN595 5.2、SOP16 外形图与封装尺寸 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 12 页，共 14 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. GN595 5.3、TSSOP16 外形图与封装尺寸 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 13 页，共 14 页 GN595 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. 6、声明及注意事项： 6.1、产品中有毒有害物质或元素的名称及含量 有毒有害物质或元素 部 件 名 称 铅 汞 镉 （C （Pb） （Hg） d） 六阶铬 多溴联 多溴联 邻苯二 邻苯二甲 苯 苯醚 甲酸丁 （Cr 酸二丁酯 （PBBs （PBD 苄酯 （Ⅵ （DBP) ） Es） （BBP) ） ） 邻苯二甲 酸二（2乙基巳 基）酯 （DEHP) 邻苯二甲 酸二异丁 酯（DIBP) 引线框 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ 塑封树 脂 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ 芯片 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ 内引线 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ 装片胶 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ 说明 ○：表示该有毒有害物质或元素的含量在 SJ/T11363-2006 标准的检出限以下。 ×：表示该有毒有害物质或元素的含量超出 SJ/T11363-2006 标准的限量要求。 6.2 注意 在使用本产品之前建议仔细阅读本资料； 本资料中的信息如有变化，恕不另行通知； 本资料仅供参考，本公司不承担任何由此而引起的任何损失； 本公司也不承担任何在使用过程中引起的侵犯第三方专利或其它权利的责任。 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 14 页，共 14 页