GN4051B

旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. GN4051B 1、概 述 GN4051B是一款八选一模拟开关电路，内置3个地址选择端（A0～A2），低有效的使能输入端 （ E ），8路独立的输入/输出端（Y0～Y7）及公共输入/输出端（Z）。 电路内部有8个双向模拟开关，每个开关的一端连接到独立的输入/输出（Y0～Y7）端，另一端连 接到公共的输入/输出（Z）端。 当 E 为低电平时，通过A0～A2选择一个通路的开关处于低阻导通状态。当 E 为高电平时，A0～ A2设置无效，所有开关处于高阻关断状态。如果需要切换开关状态，就必须使用使能输入端（ E ）。 VDD 和 VSS 是连接到数字控制输入端（A0～A2 和 E ）的电源电压。（VDD－VSS）的范围是 3～ 9V。模拟输入输出（Y0～Y7 和 Z）能够在最高 VDD，最低 VEE 之间变化。VDD-VEE 不会超过 9V。 对于用做数字多路选择开关，VEE 和 VSS 是连在一起的（通常接地）。 GN4051B主要应用于模拟多路选择开关、数字多路选择开关及信号选 通。 封装形式：DIP16 / SOP16 / TSSOP16 2、功能框图及引脚说明 2.1、框图 2.1.1、功能框图 图 1、功能框图 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 1 页，共 14 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. GN4051B 2.1.2、单个开关电路图 图 2、单个开关的原理图 2.1.3、逻辑图 图 3、电路内部逻辑图 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 2 页，共 14 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN4051B GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. 2.2、引脚排列图 Y4 1 16 VDD Y6 2 15 Y2 Z 3 14 Y1 Y7 4 13 Y0 Y5 5 12 Y3 E VEE 6 11 A0 7 10 A1 VSS 8 9 A2 2.3、引脚说明及结构原理图 引脚 符 号 1 Y4 独立输入/输出端 9 A2 功 能 选择输入端 2 Y6 独立输入/输出端 10 A1 选择输入端 3 Z 公共输入/输出端 11 A0 选择输入端 4 5 6 Y7 Y5 12 13 14 Y3 Y0 Y1 独立输入/输出端 独立输入/输出端 独立输入/输出端 7 VEE 独立输入/输出端 独立输入/输出端 使能输入端（低电平有效） 负电源电压 15 Y2 独立输入/输出端 8 VSS 接地 16 VDD 正电源电压 E 功 能 引脚 符 号 2.4、功能说明（真值表、逻辑关系等） 输入 沟道导通 E A2 A1 A0 L L L L Y0 — Z L L L H Y1 — Z L L H L Y2 — Z L L H H Y3 — Z L H L L Y4 — Z L H L H Y5 — Z L H H L Y6 — Z L H H H Y7 — Z H × × × - 注：1. H 是高电平状态（较高的正电压） 2. L 是低电平状态（较低的正电压） 3.＂×＂是任意状态 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 3 页，共 14 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN4051B GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. 3、电特性 3.1、极限参数 除非另有规定，Tamb=25℃ 参 数 名 称 符号 正电源电压（1） VDD 负电源电压（1） VEE 输入电压范围 VI 开关导通电流 功耗（2） 每个输出端的功耗 工作环境温度 贮存温度 焊接温度 条 件 以电源为参考点 I -40℃ ～ +85℃ PD DIP16 SOP16/SSOP16/TSSOP16 Po Tamb Tstg TL 10 秒 DIP SOP 额 定 值 -0.5～+12 -12～+0.5 单 位 V V -0.5～VDD+0.5 V ±10 700 500 100 -40～+85 -65～+150 245 250 mA mW mW mW ℃ ℃ ℃ 注： 1、为了避免电源电流从 Z 端流出，当开关电流从 Y 端流入时，该开关两端的压降应不超过 0.4V。 如果开关电流从 Z 端流入时，Y 端将无电源电流输出，这样开关两端的压降将无限制，但 是 Y 端和 Z 端的电压将不能高于 VDD 或小于 VEE。 2、DIP16 封装：当 Tamb 大于 70℃时，温度每升高 1℃，额定功耗减少 12 Mw； SOP16 封装：当 Tamb 大于 70℃时，温度每升高 1℃，额定功耗减少 8mW； SSOP16/TSSOP16 封装：当 Tamb 大于 60℃时，温度每升高 1℃，额定功耗减少 5.5mW。 3.2、推荐使用条件： Tamb = 25℃; RL = 10 k; CL = 50 pF; E = VDD (方波); Vis = VDD = 5 V 参数 符号 条件 最小 典型 单位 9.0 V 电源电压 VDD 3.0 电源电压 VEE -6.0 0 V 电源电压 VDD- VEE 3.0 9.0 V 输入电压 VI 0 - VDD V 输出无效时间 （高电平→关断） tPHZ E →Z 或 E → Yn 85 170 ns tPLZ E →Z 或 E → Yn 115 230 ns 40 80 ns 7.5 pF 输出无效时间 （低电平→关断） 输出使能时间 （关断→高/低电平） 数字输入端输入电容 5.0 最大 tPZH, tPZL Ci 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 4 页，共 14 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN4051B GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. 3.3、电气特性 3.3.1、直流特性 1（未有特殊说明，VSS=0V，Tamb = 25℃） 参数 符号 测试条件 静态电流 IDD 输入高电平电压 VIH | IO |