GN164D

旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. GN164D 1、概 述 GN164D 是高速 CMOS 电路，管脚与低功耗肖特基 TTL（LSTTL）系列兼容。GN164D 是 8 位 的串入并出、边沿触发的移位寄存器，串入数据由 DSA、DSB 输入， 在每个时钟 CP 的上升沿数 据向右移一位，数据由 DSA 和 DSB 相与而成，且在上升沿到来之前已满足了建立时间。低电平有 效的复位信号将直接把寄存器清零而输出为低。其主要特点如下： l 较宽的工作电压：2～6V l 相与的串行输入，直接的清零信号 l 输出能驱动 10 个 LSTTL 负载 l 封装型式：DIP14 / SOP14 l 包装规格：GN164D SOP14 4000PCS/盘 8000PCS/盒 64000PCS/箱 2、功能框图及引脚说明 2.1、功能框图 2.2、引脚排列图 DSA 1 14 VCC DSB 2 13 Q7 Q0 3 12 Q6 Q1 4 11 Q5 Q2 5 10 Q4 Q3 6 9 MR GND 7 8 CP 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 1 页，共 9 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN164D GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. 2.3、引脚说明及结构原理图 管脚号 符号 说明 管脚号 符号 说明 1 DSA 数据输入 8 CP 时钟输入（低到高，边沿触发） 2 DSB 数据输入 9 MR 复位输入（低有效） 3 Q0 输出 10 Q4 输出 4 Q1 输出 11 Q5 输出 5 Q2 输出 12 Q6 输出 6 Q3 输出 13 Q7 输出 7 GND 地（0V） 14 VCC 电源电压 2.4、功能说明 输入 工作模式 Reset(clear) Shift 输出 MR CP DSA DSB Q0 Q1～Q7 L X X X L L～L H ↑ l l L Q0～Q6 H ↑ l h L Q0～Q6 H ↑ h l L Q0～Q6 H ↑ h h H Q0～Q6 注：H：高电平 h：时钟上升沿前建立起来的高电平电压 L：低电平 l：时钟上升沿前建立起来的低电平电压 q：对应于时钟上升沿时，前面一个寄存器的状态 ↑：时钟上升沿 3、电特性 3.1、 极限参数 除非另有规定，Tamb=25℃ 参 数 名 称 符 号 电源电压 VCC 输入钳位电流 IIK 输出钳位电流 条 件 最小值 最大值 单 位 -0.5 +7 V VI＜-0.5V 或 VI＞VCC+0.5V ±20 mA IOK VO＜-0.5V 或 VO＞VCC+0.5V ±20 mA 输出电流 IO VO= -0.5V～VCC+0.5V ±25 mA VCC 或 GND 电流 ICC，IGND ±50 mA 贮存温度 TSTG +150 ℃ 焊接温度 TL -65 10 秒 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 DIP 封装 245 SOP 封装 250 ℃ 第 2 页，共 9 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN164D GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. 3.2、推荐使用条件 参数 符号 电源电压 最小 典型 最大 单位 VCC 2.0 5.0 6.0 V 输入电压 VI 0 - VCC V 输出电压 VO 0 - VCC V VCC=2.0V - - 1000 ns VCC=4.5V - 6.0 500 ns VCC=6.0V - - 400 ns -40 - +85 ℃ tr,tf 输入上升、下降时间 条件 Tamb 工作温度 3.3、电气特性 除非另有规定，Tamb=25℃ 参 数 名 称 符 号 测 试 条 件 规 范 值 单 位 最小 典型 最大 VCC=2.0V 1.5 - - V VCC=4.5V 3.15 - - V VCC=6.0V 4.2 - - V VCC=2.0V - - 0.5 V VCC=4.5V - - 1.35 V VCC=6.0V - - 1.8 V IO=-20μA；VCC=2.0V 1.9 2.0 - V IO=-20μA；VCC=4.5V 4.4 4.5 - V IO=-20μA；VCC=6.0V 5.9 6.0 - V IO=-4mA；VCC=4.5V 3.98 4.32 - V IO=-5.2mA；VCC=6.0V 5.48 5.81 - V IO=20μA；VCC=2.0V - 0 0.1 V IO=20μA；VCC=4.5V - 0 0.1 V IO=20μA；VCC=6.0V - 0 0.1 V IO=4mA；VCC=4.5V - 0.19 0.26 V IO=5.2mA；VCC=6.0V - 0.21 0.26 V VCC=6.0V；IO=0A；VI==VCC - 3.9 8 μA 3.5 - pF 直流参数 高电平输入电压 低电平输入电压 VIH VIL VI=VIH 或 VIL 高电平输出电压 VOH VI=VIH 或 VIL 低电平输出电压 VOL 静态电流 ICC 输入电容 Ci 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 或GND - 第 3 页，共 9 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN164D GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. 参 数 名 称 符 号 测 试 条 件 规 范 值 单 位 最小 典型 最大 VCC=2.0V - 41 170 ns VCC=4.5V - 15 34 ns VCC=6.0V - 12 29 ns VCC=2.0V - 39 140 ns VCC=4.5V - 14 28 ns VCC=6.0V - 11 24 ns VCC=2.0V - 19 75 ns VCC=4.5V - 7 15 ns VCC=6.0V - 6 13 ns VCC=2.0V 80 - - ns VCC=4.5V 16 - - ns VCC=6.0V 14 - - ns VCC=2.0V 60 - - ns VCC=4.5V 12 - - ns VCC=6.0V 10 - - ns VCC=2.0V 60 - - ns VCC=4.5V 12 - - ns VCC=6.0V 10 - - ns VCC=2.0V 60 - - ns VCC=4.5V 12 - - ns VCC=6.0V 10 - - ns VCC=2.0V 6 - - ns VCC=4.5V 6 - - ns VCC=6.0V 6 - - ns 交流参数 传输延时 负载电容 见图 1 Cp～Qn CL=50p tPHL, tPLH 见图 2 MR ～Qn CL=50p 见图 1 输出传输时间 CL=50p tTHL，tTLH 见图 1 时钟脉宽（低电平或高电平） tw 主复位时钟脉宽（低电平） 见图 2 见图 2 从 MR ～CP 的响应时间 trem 见图 3 从 DSA、DSB～CP 的建立时间 tSU 见图 3 从 DSA、DSB～CP 的保持时间 最大时钟频率 th fmax 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 见图 1 第 4 页，共 9 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN164D GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. VCC=2.0V 6 23 - MHz VCC=4.5V 30 71 - MHz VCC=6.0V 35 85 - MHz VM=50%; VI=GND～VCC 图 1.时钟(CP)到输出端(Qn)的传输延时、时钟脉宽、 输出传输时间和最大时钟频率 VM=50%; VI=GND～VCC 图 2.主复位( MR )脉宽，主复位到输出端(Qn)的传输延时、 主复位结束到时钟(CP)的响应时间 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 5 页，共 9 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. GN164D VM=50%; VI=GND～VCC 图 3. Dn 输入前的数据建立时间和保持时间 图 4.测试开关时间的负载电路 注：RT：终端电阻须与信号发生器的输出阻抗匹配 CL：负载电容须包括夹具有探针电容 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 6 页，共 9 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. GN164D 4、封装尺寸与外形图 4. 1、DIP14 外形图与封装尺寸 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 7 页，共 9 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. GN164D 4. 2、SOP14 外形图与封装尺寸 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 8 页，共 9 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN164D GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. 5、声明及注意事项： 5.1、产品中有毒有害物质或元素的名称及含量 有毒有害物质或元素 部件名称 铅（Pb） 汞（Hg） 镉（Cd） 六阶铬 多溴联苯 多溴联苯 （PBBs） 醚（PBDEs） （Cr（Ⅵ） ） 引线框 ○ ○ ○ ○ ○ ○ 塑封树脂 ○ ○ ○ ○ ○ ○ 芯片 ○ ○ ○ ○ ○ ○ 内引线 ○ ○ ○ ○ ○ ○ 装片胶 ○ ○ ○ ○ ○ ○ 说明 ○：表示该有毒有害物质或元素的含量在 SJ/T11363-2006 标准的检出 限以下。 ×：表示该有毒有害物质或元素的含量超出 SJ/T11363-2006 标准的限 量要求。 5.2 注意 在使用本产品之前建议仔细阅读本资料； 本资料中的信息如有变化，恕不另行通知； 本资料仅供参考，本公司不承担任何由此而引起的任何损失； 本公司也不承担任何在使用过程中引起的侵犯第三方专利或其它权利的责任。 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 9 页，共 9 页