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GN1629A

GN1629A

  • 厂商:

    GN(旌芯半导体)

  • 封装:

    SOP32_300MIL

  • 描述:

    GN1629A是一块LED驱动专用电路,内置MCU数字接口、数据锁存器等电路。主要应用于冰箱、 空调 、家庭影院等产品显示屏的驱动控制。

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GN1629A 数据手册
旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN1629A GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. 1、概 述 GN1629A是一块LED驱动专用电路,内置MCU数字接口、数据锁存器等电路。主要应用于冰箱、 空调 、家庭影院等产品显示屏的驱动控制。 其主要特点如下: ● 采用功率CMOS工艺 ● 显示模式:16段×8位 ● 辉度调节电路(占空比8级可调) ● 串行接口(CLK、DIO、STB) ● 内置RC振荡(400KHz±5%) ● 内置上电复位电路 ● 封装形式:SOP32 包装: GN1629A 2、功能框图及引脚说明 ● SOP32 20 片/管 1600 片/盒 16000片/箱 2.1、引脚排列图 图 1、引脚排列图 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 1 页,共 12 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN1629A GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. 2.3、引脚说明 引脚 符 号 引脚名称 功 能 1、2、4、 5、28、29、 GRID1~GRID8 输出(位) 位输出, N管开漏输出。 31、32 7 DIO 数据输入 在时钟上升沿输入串行数据, 从低位开始。 8 CLK 时钟输入 在时钟上升沿输入串行数据 在上升或下降沿初始化串行接口, 随后等待接收 9 STB 指令。STB 为低后的第一个字节作为指令,当处 片选 理指令时,当前其它处理被终止。当STB 为高时, CLK 被忽略。 3、6、30 VSS 逻辑地 接系统地 10、27 VDD 逻辑电源 5V±10% 11~26 SEG1~SEG16 输出(段) 段输出, P管开漏输出。 3、电特性 3.1、极限参数 (除非另有规定,VSS =0V,Tamb=25℃) 参 数 名 称 符 号 条 件 额 定 值 单位 逻辑电源电压 VDD -0.5~7.0 V 逻辑输入电压 VI -0.5~VDD+0.5 V LED SEG 驱动输出电流 IO1 -50 mA LED GRID 驱动输出电流 IO2 +200 mA 功率损耗 PD 400 mW 工作环境温度 Tamb -40~+80 ℃ 贮存温度 Tstg -65~+150 ℃ 焊接温度 TL 250 ℃ 10 秒 3.2、推荐使用条件 (工作条件:Tamb= -20~+70℃,VSS=0V) 参 数 名 称 符 号 最小 典型 最大 单位 3 5 5.5 V 逻辑电源电压 VDD 高电平输入电压 VIH 0.7VDD - VDD V 低电平输入电压 VIL 0 - 0.3 VDD V 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 2 页,共 12 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN1629A GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. 3.3、电气特性 3.3.1 直流参数(除非另有规定,Tamb=-20~+70℃,VDD=4.5~5.5V,VSS =0V) 参 数 名 称 符号 测 试 条 件 最小 典型 最大 单位 IOH1 SEG1~SEG16,Vo =VDD -2V -20 -25 -40 mA IOH2 SEG1~SEG16,Vo = VDD-3V -20 -30 -50 mA 低电平输出电流 IOL1 GRID1~GRID8, Vo=0.3V 80 140 - mA 低电平输出电流 Idout VO = 0.4V,dout 4 - - mA Itolsg VO = VDD–3V,SEG1~SEG16 - - 5 % 输入电流 II VI=VDD/VSS - - ±1 µA 高电平输入电压 VIH CLK,DIO, STB 0.7VDD - - V 低电平输入电压 VIL CLK,DIO, STB - - 0.3VDD V 滞后电压 VH CLK,DIO, STB - 0.35 - V 动态电流损耗 IDDdyn 无负载,显示关 - - 5 mA 最大 单位 高电平输出电流 高电平输出电流 容许量 3.3.2、交流参数 (除非另有规定,Tamb=-20~+70℃,VDD=4.5~5.5V) 参 数 名 称 振荡频率 传输延迟时间 上升时间 符 号 测 试 条 件 最小 典型 - 400 - - 300 ns - - 100 ns SEG1~SEG16 - - 2 µs GRID1~GRID8 - - 0.5 µs 120 µs Fosc Tplz Tpzl TTZH1 TTZH2 CLK→DIO,CL=15pf,RL=10KΩ CL=300pf 下降时间 TTHZ CL=300pf,SEGN,GRIDN - - 最大时钟频率 Fmax 占空比 50% 1 - 输入电容 CI 时钟脉冲宽度 PWCLK 选通脉冲宽度 KHz MHz - 15 pf 400 - - ns PWSTB 1 - - µs 数据建立时间 tSETUP 100 - - ns 数据保持时间 tHOLD 100 - - ns CLK →STB 时间 tCLK STB CLK↑→STB↑ 1 - - µs 等待时间 tWAIT CLK↑→CLK↓ 1 - - µs 4、功能介绍 4. 1、显示寄存器地址和显示模式 该寄存器存储通过串行接口从外部器件传送到GN1629A的数据,地址从00H-0FH共16字节单元, 分别与芯片SEG和GRID管脚所接的LED灯对应,分配如图2: 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 3 页,共 12 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN1629A GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. 写LED显示数据的时候,按照从显示地址从低位到高位,从数据字节的低位到高位操作。 B7 B0 B1 B2 SEG16 B6 SEG15 B5 SEG14 B4 xxHL(低四位) SEG13 B3 SEG12 B2 SEG11 xxHU(高四位) SEG10 SEG9 SEG8 SEG7 B1 SEG6 B0 SEG5 SEG4 SEG3 SEG2 SEG1 xxHL(低四位) xxHU(高四位) B3 B4 B5 B6 B7 00HL 00HU 01HL 01HU GRID 1 02HL 02HU 03HL 03HU 04HL 04HU 05HL 05HU GRID 2 GRID 3 06HL 06HU 07HL 07HU GRID 4 08HL 08HU 09HL 09HU GRID 5 0AHL 0AHU 0BHL 0BHU GRID 6 0CHL 0CHU 0DHL 0DHU GRID 7 0EHL 0EHU 0FHL 0FHU GRID 8 图2、 写LED显示数据的时候,按照从低位地址到高位地址,从字节的低位到高位操作;在运用中没有 使用到的SEG输出口,在对应的BIT地址位写0。 4.2、指令说明 指令用来设置显示模式和LED 驱动器的状态。 在STB下降沿后由DIO输入的第一个字节作为一条指令。经过译码,取最高B7、B6两位比特位以 区别不同的指令。 B7 B6 指令 0 1 数据命令设置 1 0 显示控制命令设置 1 1 地址命令设置 如果在指令或数据传输时STB被置为高电平,串行通讯被初始化,并且正在传送的指令或数据 无效(之前传送的指令或数据保持有效)。 4.2.1、数据命令设置 该指令用来设置写数据,B1和B0位不允许设置01或11或10。 B7 B6 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 B5 B4 B3 B2 B1 B0 功能 说明 0 0 数据写模式设置 写数据到显示寄存器 0 地址增加模式设 自动地址增加 1 置 固定地址 0 测试模式设置(内 普通模式 1 部使用) 测试模式 无关项 填0 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 4 页,共 12 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN1629A GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. 4.2.2、地址命令设设置 MSB LSB B7 B6 1 B5 B4 B2 B1 B0 显示地址 1 0 0 0 0 00H 1 1 0 0 0 1 01H 1 1 0 0 1 0 02H 1 1 0 0 1 1 03H 1 1 0 1 0 0 04H 1 1 0 1 0 1 05H 1 1 0 1 1 0 06H 1 1 0 1 1 1 07H 1 1 1 0 0 0 08H 1 1 1 0 0 1 09H 1 1 1 0 1 0 0AH 1 1 1 0 1 1 0BH 1 1 1 1 0 0 0CH 1 1 1 1 0 1 0DH 1 1 1 1 1 0 0EH 1 1 1 1 1 1 0FH 无关项填 B3 0 该指令用来设置显示寄存器的地址。 如果地址设为10H 或更高,数据被忽略,直到有效地址被设定。 上电时,地址默认设为00H。 4.2.3、显示控制 LSB MSB B7 B6 1 B5 B4 B3 B2 B1 B0 0 0 0 0 设置脉冲宽度为1/16 1 0 0 0 1 设置脉冲宽度为2/16 1 0 0 1 0 设置脉冲宽度为4/16 1 0 0 1 1 1 0 无关项, 1 0 0 1 0 填0 1 0 1 设置脉冲宽度为12/16 1 0 1 1 0 设置脉冲宽度为13/16 1 0 1 1 1 设置脉冲宽度为14/16 1 0 0 显示开关设 显示关 1 0 1 置 显示开 功能 消光数量设 置 说明 设置脉冲宽度为10/16 设置脉冲宽度为11/16 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 5 页,共 12 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN1629A GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. 4.3、串行数据传输格式 接收1个BIT都在时钟的上升沿操作。 数据接收(写数据)时序: 图3、数据接收 4.4、显示 1、驱动共阴数码管: 图4、共阴数码管 图4给出共阴数码管的连接示意图,如果让该数码管显示“0”,那么在GRID1为低电平的时候SEG1, SEG2,SEG3,SEG4,SEG5,SEG6为高电平,SEG7为低电平,查看“显示寄存器地址和显示模式” 给出的显示地址表格,只需在00H地址单元里面写数据3FH就可以让数码管显示“0”。 2、驱动共阳数码管: 图5、共阳数码管 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 6 页,共 12 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN1629A GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. 图5给出共阳数码管的连接示意图,如果让该数码管显示“0”,那么在GRID1,GRID2,GRID3, GRID4,GRID5,GRID6为低电平时SEG1要为高电平,在GRID7为低电平时SEG1要为低电平。要向 地址单元00H,02H,04H,06H,08H,0AH里面分别写数据01H,其余的地址单元全部写数据00H。 SEG8 SEG7 SEG6 SEG5 SEG4 SEG3 SEG2 SEG1 0 0 0 0 0 0 0 1 00H 0 0 0 0 0 0 0 1 02H 0 0 0 0 0 0 0 1 04H 0 0 0 0 0 0 0 1 06H 0 0 0 0 0 0 0 1 08H 0 0 0 0 0 0 0 1 0AH 0 0 0 0 0 0 0 0 0CH B7 B6 B5 B4 B3 B2 B1 B0 注:SEGn为P管开漏输出,GRIDn为N管开漏输出,在使用时候,SEGn只能接LED的阳极,GRIDn只 能接LED的阴极,不可反接。 4.5、应用时串行数据的传输 4.5.1、 地址增加模式 使用地址自动加1模式,设置地址实际上是设置传送的数据流存放的起始地址。起始地址命令字 发送完毕,“STB”不需要置高紧跟着传数据,最多16BYTE,数据传送完毕才将“STB”置高。 Command1: 设置数据命令 Command2: 设置显示地址 Data1~ n: 传输显示数据至Command2地址和后面的地址内(最多16 bytes) Command3: 显示控制命令 4.5.2、固定地址模式 使用固定地址模式,设置地址其实际上是设置需要传送的1BYTE数据存放的地址。地址发送完毕, “STB”不需要置高,紧跟着传1BYTE数据,数据传送完毕才将“STB”置高。然后重新设置第2个数据需 要存放的地址,最多16BYTE数据传送完毕,“STB”置高。 Command1: 设置数据命令 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 7 页,共 12 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. GN1629A Command2: 设置显示地址1 Data1: 传输显示数据1至Command2地址内 Command3: 设置显示地址2 Data2: 传输显示数据2至Command3地址内 Command4: 显示控制命令 4.5.3、程序设计流程图 采用地址自动加1的程序设计流程图: 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 8 页,共 12 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. GN1629A 采用固定地址的程序设计流程图: 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 9 页,共 12 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. GN1629A 5、典型应用线路 5. 1、GN1629A驱动共阳数码屏应用线路 图 6、共阳数码屏应用线路 5.2、GN1629A驱动共阴数码屏应用线路 图 7、共阴数码屏应用线路 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 10 页,共 12 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. GN1629A 6、封装尺寸与外形图 6. 1、SOP32外形图与封装尺寸 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 11 页,共 12 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. GN1629A 7、声明及注意事项: 7.1、产品中有毒有害物质或元素的名称及含量 有毒有害物质或元素 部件名称 铅(Pb) 汞(Hg) 镉(Cd) 六阶铬 多溴联苯 多溴联苯 (PBBs) 醚(PBDEs) (Cr(Ⅵ) ) 引线框 ○ ○ ○ ○ ○ ○ 塑封树脂 ○ ○ ○ ○ ○ ○ 芯片 ○ ○ ○ ○ ○ ○ 内引线 ○ ○ ○ ○ ○ ○ 装片胶 ○ ○ ○ ○ ○ ○ 说明 ○:表示该有毒有害物质或元素的含量在 SJ/T11363-2006 标准的检出限以 下。 ×:表示该有毒有害物质或元素的含量超出 SJ/T11363-2006 标准的限量要 求。 7.2 注意 在使用本产品之前建议仔细阅读本资料; 本资料中的信息如有变化,恕不另行通知; 本资料仅供参考,本公司不承担任何由此而引起的任何损失; 本公司也不承担任何在使用过程中引起的侵犯第三方专利或其它权利的责任。 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 12 页,共 12 页
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