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GN1621CB

GN1621CB

  • 厂商:

    GN(旌芯半导体)

  • 封装:

    SSOP48_300MIL

  • 描述:

    128点阵式存储映射多功能LCD驱动电路 SSOP48_300MIL

  • 数据手册
  • 价格&库存
GN1621CB 数据手册
旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. GN1621所有封装 1、概 述 GN1621是一种128点阵式存储映射多功能LCD驱动电路。GN1621的S/W结构特点,使它适合点阵 式LCD显示,包括LCD模块和显示子系统,GN1621还具有节电功能。 其主要特点如下: l 工作电压:2.4V~5.5V l 内部256kHz RC振荡器 l 外部32kHz晶振或256kHz频率输入 l 可选择1/2或1/3偏置和1/2、1/3或1/4占空比LCD显示 l 内部时基频率源 l 蜂鸣器驱动信号频率可选择2kHz或4kHz l 具有关机指令可减少功耗 l 内部时基发生器和WDT看门狗定时器 l 内部时基或WDT溢出输出 l 八个时基/WDT时钟的时钟源 l 32×4 LCD驱动器 l 内部32×4bit显示RAM l 四路串行接口 l 内部LCD驱动频率源 l 可用指令控制操作 l 数据模式和命令模式指令 l R/W地址自动累加 l 三种数据访问模式 l VLCD引脚用来调整LCD工作电压 l 工作环境温度:-40~85℃ l 封装形式:SOP16/SOP24/SSOP24/SOP28/QFP44/SSOP48/LQFP48 l 包装规格如下(推荐以下封装): l GN1621 SSOP48 30PCS/管 80管/盒 2400PCS/盒 24000PCS/箱(塑封体尺寸:15.9mm×7.5mm 引脚间距:0.635mm) l GN1621C SOP28 25PCS/管 80管/盒 2000PCS/盒 20000PCS/箱(塑封体尺寸:17.9mm×7.5mm 引脚间距:1.27mm) l GN1621B QFP44 96PCS/板 10板/盒 960PCS/盒 引脚间距:0.8mm) l l GN1621DT SSOP24 60PCS/管 160管/盒 9600PCS/盒 96000PCS/箱(塑封体尺寸:8.7mm×3.9mm 引脚间距:0.635mm) GN1621CB SSOP48 30PCS/管 80管/盒 2400PCS/盒 24000PCS/箱(塑封体尺寸:15.9mm×7.5mm 引脚间距:0.635mm) 5760PCS/箱(塑封体尺寸:10.0mm×10.0mm 如有变动,请按实际为准。 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 1 页,共 24 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. GN1621所有封装 2、功能框图及引脚说明 2.1、功能框图 图 1 功能框图 注: — [1] CS: 芯片选择 — [2] BZ, BZ: 蜂鸣器输出 — — [3] WR, RD, DATA: 串行接口 [4] COM0~COM3, SEG0~SEG31: LCD 输出 — [5] IRQ: 时间基准或WDT溢出输出 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 2 页,共 24 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. GN1621所有封装 2.2、引脚排列图 SOP16 SOP24/SSOP24 SOP28 QFP44 SSOP48 LQFP48 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 3 页,共 24 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. GN1621所有封装 2.3、引脚说明 序 号 SOP16 SOP24/ SSOP24 名 称 SOP28 QFP44 SSOP48 LQFP48 功 能 说 明 I/O — 6 — 10 — 6 — 3 4 9 10 — 1 CS 2 — RD — I 片选信号输入端(带上拉电阻)。CS 为 逻辑高电平时,数据和命令不能读出和 — 写入,并且串行接口电路复位。但当 CS为逻辑低电平时,控制器与GN1621 之间可以传输数据和命令。 READ时钟输入端(带上拉电阻)。RAM — I 中的数据在RD 信号的下降沿被输出到 DATA线上,主控制器可以在下一个上升 沿锁存这个数据。 — 7 11 7 5 11 3 WR I 8 12 8 6 12 4 DATA I/O 写时钟输入(带上拉电阻) 。在WR信号 的上升沿,DATA线上的数据被锁存到 GN1621。 串行数据输入/输出端(带上拉电阻) 。 9 13 9 7 13 5 GND P 负电源,接地 — — — — 14 6 OSCO O — — — — 15 7 OSCI I 10 14 10 8 16 8 VLCD I OSCI 和 OSCO 端 口 连 接 到 一 个 32.768KHz 晶振,用于产生系统时钟。 如果外接系统时钟,则通过 OSCI 端。 如果使用片内 RC 振荡器,OSCI 和 OSCO 可以悬空。 LCD 电源输入 11 15 11 9 17 9 VDD P 正电源 — — — 10 18 10 IRQ — O — — — — 19 11 BZ O 蜂鸣信号输出端 — 时间基准或 WDT 溢出标志,NMOS 开漏 输出端。 — — — — 20 12 BZ O 蜂鸣信号输出端 12 16 12 11 21 13 COM0 O LCD 的 COM 输出端 13 17 13 12 22 14 COM1 O LCD 的 COM 输出端 14 18 14 13 23 15 COM2 O LCD 的 COM 输出端 15 19 15 14 24 16 COM3 O LCD 的 COM 输出端 — — — 15 25 17 SEG31 O LCD 的 SEG 输出端 — — 16 16 26 18 SEG30 O LCD 的 SEG 输出端 — — 17 17 27 19 SEG29 O LCD 的 SEG 输出端 — — 18 18 28 20 SEG28 O LCD 的 SEG 输出端 — — 19 19 29 21 SEG27 O LCD 的 SEG 输出端 — — 20 20 30 22 SEG26 O LCD 的 SEG 输出端 — — — 21 31 23 SEG25 O LCD 的 SEG 输出端 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 4 页,共 24 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. GN1621所有封装 — — — 22 32 24 SEG24 O LCD 的 SEG 输出端 — — — 24 33 25 SEG23 O LCD 的 SEG 输出端 — 20 — 23 34 26 SEG22 O LCD 的 SEG 输出端 — 21 — 25 35 27 SEG21 O LCD 的 SEG 输出端 — 22 — 26 36 28 SEG20 O LCD 的 SEG 输出端 16 23 21 27 37 29 SEG19 O LCD 的 SEG 输出端 — 24 22 28 38 30 SEG18 O LCD 的 SEG 输出端 1 1 23 29 39 31 SEG17 O LCD 的 SEG 输出端 — 2 24 30 40 32 SEG16 O LCD 的 SEG 输出端 2 3 25 31 41 33 SEG15 O LCD 的 SEG 输出端 — 4 26 32 42 34 SEG14 O LCD 的 SEG 输出端 3 5 27 33 43 35 SEG13 O LCD 的 SEG 输出端 — 6 — 34 44 36 SEG12 O LCD 的 SEG 输出端 4 7 — 35 45 37 SEG11 O LCD 的 SEG 输出端 — 8 — 36 46 38 SEG10 O LCD 的 SEG 输出端 5 9 — 37 47 39 SEG9 O LCD 的 SEG 输出端 — — — 38 48 40 SEG8 O LCD 的 SEG 输出端 — — — 39 1 41 SEG7 O LCD 的 SEG 输出端 — — — 40 2 42 SEG6 O LCD 的 SEG 输出端 — — 28 41 3 43 SEG5 O LCD 的 SEG 输出端 — — 1 42 4 44 SEG4 O LCD 的 SEG 输出端 — — 2 43 5 45 SEG3 O LCD 的 SEG 输出端 — — 3 44 6 46 SEG2 O LCD 的 SEG 输出端 — — 4 1 7 47 SEG1 O LCD 的 SEG 输出端 — — 5 2 8 48 SEG0 O LCD 的 SEG 输出端 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 5 页,共 24 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. GN1621所有封装 3、电特性 3.1、极限参数 (除非另有规定,Tamb=25℃) 参 数 名 称 符 号 电源电压 VDD 输入电压 VIN 贮存温度 Tstg 工作温度 Tamb TL 焊接温度 条 件 — — — — 10 秒 额 定 值 -0.3~7 GND-0.3~VDD+0.3 -50~125 -40~85 250 单 位 V V ℃ ℃ ℃ 3.2、电气特性 3.2.1、直流参数 (除非另有规定,Tamb=25℃,GND=0V) 参 数 名 称 工作电压 符号 VDD IDD1 IDD2 工作电流 IDD3 待机电流 ISTB 输入低电平 VIL 输入高电平 VIH — — DATA, BZ, BZ, IRQ — DATA, BZ, BZ LCD 的 COM 端 灌电流 LCD 的 COM 端 拉电流 LCD 的 SEG 端 灌电流 LCD 的 SEG 端 拉电流 IOL1 IOH1 IOL2 IOH2 IOL3 IOH3 上拉电阻 RPH VLCD 端内置电阻 Rvlcd 测 试 条 件 — VDD=3V 无负载 片内 RC 振荡器 VDD=5V VDD=3V 无负载 晶体振荡器 VDD=5V VDD=3V 无负载 外部时钟 VDD=5V VDD=3V 无负载 关机模式 VDD=5V VDD=3V — — — DATA, WR, CS, RD VDD=5V VDD=3V — — — DATA, WR, CS, RD VDD=5V VDD=3V VOL=0.3V VOL=0.5V VDD=5V VOH=2.7V VDD=3V VOH=4.5V VDD=5V VDD=3V VOL=0.3V VOL=0.5V VDD=5V VDD=3V VOH=2.7V VOH=4.5V VDD=5V VDD=3V VOL=0.3V VOL=0.5V VDD=5V VDD=3V VOH=2.7V VOH=4.5V VDD=5V VDD=3V — — — DATA, WR, CS, RD VDD=5V VLCD 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 最小 2.4 — — — — — — — — 0 0 2.4 4.0 0.5 1.3 -0.4 -0.9 80 150 -80 -120 60 120 -40 -70 40 30 — 典型 — 150 300 60 120 100 200 0.1 0.3 — — — — 1.2 2.6 -0.8 -1.8 150 250 -120 -200 120 200 -70 -100 80 60 110 最大 5.5 300 600 120 240 200 400 5 10 0.6 1.0 3.0 5.0 — — — — — — — — — — — — 150 100 — 单位 V uA uA uA uA uA uA uA uA V V V V mA mA mA mA uA uA uA uA uA uA uA uA kΩ kΩ kΩ 第 6 页,共 24 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. 3.2.2、交流参数 参 数 名 称 符号 fSYS1 fSYS2 系统时钟 fSYS3 LCD 时钟 fLCD LCD COM 端周期 串行数据时钟 tCOM — fCLK1 — fCLK2 (WR PIN) 串行数据时钟 (RD PIN) 蜂鸣器输出频率 串行接口复位脉冲宽度 (图 4) fTONE 测 试 条 件 VDD=3V 片内 RC 振荡器 VDD=5V VDD=3V 晶体振荡器 VDD=5V VDD=3V 外部时钟 VDD=5V 片内 RC 振荡器 — 晶体振荡器 — 外部时钟 — n: COM 端数 — VDD=3V 占空比 50% VDD=5V VDD=3V 占空比 50% VDD=5V 片内 RC 振荡器 — GN1621所有封装 最小 — — — — — — — — — — 4 4 — — — 典型 256 256 32.768 32.768 256 256 fSYS1/768 fSYS2/96 fSYS3/768 n/fLCD — — — — 2.0 或 4.0 最大 — — — — — — — — — — 150 300 75 150 — 单位 kHz kHz kHz kHz kHz kHz Hz Hz Hz s kHz kHz kHz kHz kHz tCS CS — — — 250 — ns WR, RD输入脉冲宽度 (图 2) tCLK 写模式 读模式 写模式 读模式 串行数据时钟升/降时间 (图 2) tr, tf — 串行数据到WR, RD时钟 的建立时间(图 3) tSU — 串行数据到WR, RD时钟 的保持时间 (图 3) th — tSUL — th1 — VDD=3V — VDD=5V — VDD=3V VDD=5V VDD=3V VDD=5V VDD=3V VDD=5V VDD=3V VDD=5V VDD=3V 3.34 6.67 1.67 3.34 — — — — — — — — — — — — — 120 120 120 120 120 120 100 100 100 — — — — — — — — — — — — — us us us us ns ns ns ns ns ns ns ns ns VDD=5V — 100 — ns — — — — — — — — — CS到WR, RD时钟的建立 时间 (图 4) — — — CS到WR, RD时钟的保持 时间 (图 4) 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 7 页,共 24 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. GN1621所有封装 图 2 交流参数时序图 1 图 3 交流参数时序图 2 图 4 交流参数时序图 3 4、功能说明 GN1621 是一种具有微控制器接口,由 RAM 映射的 32×4 点阵式 LCD 控制驱动器。电路上电 时清零,并可以通过命令端进行工作状态设置,然后通过片选、读、写端对 RAM 数据进行读、写、 修改操作,RAM 内容与 LCD 显示驱动的内容一一对应。该电路为点阵式 LCD 驱动显示,各 SEG 端是互相独立的,且容易对 RAM 数据进行修改,所以显示点阵内容灵活,可随用户任意定制。 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 8 页,共 24 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. GN1621所有封装 4.1、RAM 静态显示存储器(RAM)结构为 32×4 位,贮存所显示的数据。RAM 的内容直接映射成 LCD 驱 动器的内容。RAM 中的数据可被 READ、WRITE 和 READ-MODIFY-WRITE 命令存取。RAM 中内 容映射至 LCD 结构过程如下图所示: 图 5 RAM 映射图 4.2、系统振荡器 GN1621 系统时钟用来产生基准时钟/看门狗电路的时钟、LCD 驱动时钟和蜂鸣频率。时钟可以 来自片内 RC 振荡器(256kHz)、晶体振荡器(32.768kHz)或由 S/W 设置的外部 256kHz 的时钟。系 统振荡器结构如下图。执行 SYS DIS 命令后,系统时钟停止,LCD 偏置发生器也停止工作,此命令 只适用于片内 RC 振荡器(256kHz)和晶体振荡。一旦系统时钟停止,LCD 显示变暗,时基/WDT 将失去功能。 LCD OFF 命令用来关闭 LCD 偏置发生器。LCD OFF 命令关闭 LCD 偏置发生器后,用 SYS DIS 命令减少功耗,相当于系统 POWER DOWN 命令。但当外部时钟用作系统时钟时,SYS DIS 命令既不 能关闭振荡器也不能进入 POWER DOWN 模式。晶体振荡器可用来连接一个 32kHz 外部频率源到 OSCI 管脚。因此,系统进入 POWER DOWN 模式有点类似于外部 256kHz 时钟的运行。系统初始上 电后,GN1621 处于 SYS DIS 状态。 图 6 系统振荡器结构 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 9 页,共 24 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. GN1621所有封装 4.3、时间基准和看门狗定时器 时间基准发生器是由 8 级递增计数器构成,用来设计产生一个精确的时间基准。看门狗定时器 (WDT)由 8 级时基发生器和一个 2 级递增计数器组成,在非正常状态下(未知的或不希望发生的跳 转、执行错误等),用来停止主控制器或其它子系统。WDT溢出,将设置一个WDT溢出标志。时基发 — 生器的输出和WDT暂停标志的输出可以用命令连接到IRQ的输出端。总共有 8 个频率适合时基发生器 n的值通过命令在 0~7 之间变化,等式中的 32kHz 和WDT时钟。其频率由下列公式得出fWDT=32kHz/2n, 表明系统频率由一个 32.76832kHz的晶体振荡器、一个片内振荡器(256kHz)或外部 256kHz频率驱动。 如果一个片内振荡器(256kHz)或外部 256kHz频率作为系统频率,系统频率被一个 3 级分频器预置 成 32kHz。由于时基发生器和WDT使用同一个 8 级计数器,因此需小心使用与时基发生器和WDT相 关的命令。例如调用WDT DIS命令对时基发生器无效,而WDT EN不但适用于时基发生器而且可以激 — — 活WDT溢出标志输出(WDT溢出标志连接到IRQ脚)。输入TIMER EN命令后,WDT和IRQ脚断开, 时基发生器的内容由CLR WDT或CLR TIMER命令清零。CLR WDT或CLR TIMER命令分别相应的在 WDT EN或TIMER EN命令之前执行。CLR TIMER命令必须在WDT模式转换到时基模式之前执行。一 — — — 旦出现WDT溢出模式,IRQ脚将处于逻辑低电平直到出现CLR WDT或IRQ DIS命令。IRQ输出无效后, — — — — — IRQ脚将处于悬浮状态。通过执行IRQ EN或IRQ DIS命令使IRQ输出处于有效或无效状态。IRQ EN使 — 得时基发生器或WDT溢出标志的输出作用到IRQ脚。时基发生器和WDT的结构见下图: 图 7 时基发生器和 WDT 的结构示意图 4.4、蜂鸣输出 — 在GN1621 中提供一个简单的蜂鸣振荡器。蜂鸣振荡器可提供一对蜂鸣驱动信号BZ和BZ,用来 产生一个简单的蜂鸣。执行TONE4K和TONE2K命令可产生两种蜂鸣频率, TONE4K和TONE2K命令设置蜂鸣频率分别为 4kHz和2kHz,蜂鸣驱动信号可以调用TONE ON或TONE — OFF命令来开启或关闭。BZ和BZ是一对反相驱动输出,用来驱动电蜂鸣器。一旦系统失效或蜂鸣输 — 出停止,BZ和BZ输出处于低电平。 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 10 页,共 24 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. GN1621所有封装 4.5、LCD 驱动器 GN1621 是一个 128(32×4)点阵式 LCD 驱动器,它可以驱动 1/2 或 1/3 偏置,2、3 或 4 个 COM端的 LCD 显示器,这个特性使得 GN1621 适合于多种 LCD 显示器。LCD 驱动时钟产生于系统 时钟,不管系统时钟是来源于 32.768kHz 晶振频率还是片内 RC 振荡器频率或外部频率,LCD 驱动时 钟的频率总是 333Hz。与 LCD 相应命令见下表。 名 称 指 令 代 码 100 00000010 X LCD 关闭 LCD 开启 100 00000011 X 功 能 关闭 LCD 输出 打开 LCD 输出 c=0:1/2 偏置状态 c=1:1/3 偏置状态 BIAS & COM 100 0010abXcX ab=00: 2COM 端 ab=01: 3COM 端 ab=10: 4COM 端 指令代码的前三位 100 表明是命令模式 ID,如果出现连续命令模式 ID(除第一个命令)将被忽 略。LCD OFF 命令通过中断 LCD 偏置发生器关闭 LCD 显示,而 LCD ON 命令通过启动 LCD 偏置发 生器开启 LCD 显示。BIAS &COM 是与 LCD 显示器相关的命令,通过该命令 GN1621 可驱动许多 类型的 LCD 显示器。 4.6、指令格式 GN1621 可以通过 S/W 来设置,设置 GN1621 和传送 LCD 显示数据的指令共有两种模式,分别 为命令模式和数据模式。对 GN1621 的设置称作命令模式,其 ID 是 100,由系统设置命令、系统频 率选择命令、LCD 设置命令、蜂鸣频率选择命令和操作命令组成。数据模式包括 READ、WRITE 和READ-MODIFY-WRITE 操作。下表是数据模式 ID 和命令模式 ID: 操 作 模 式 ID READ 数据 110 WRITE 数据 101 READ-MODIFY-WRITE 数据 101 COMMAND 100 命令 命令模式出现在数据和命令传送之前。如出现连续指令,命令模式ID100 被忽略。当系统工作在 — — 不连续命令或不连续地址数据模式,CS管脚应设置为 1,而之前的工作模式将被复位。一旦CS管脚为 0,将出现一个新的工作模式ID。 4.7、接口 GN1621只有4线需要接口。CS初始化串行接口电路和在主控制器和 GN1621之间终接通信端。 CS为1时,主控制器和GN1621之间数据和命令被禁止和初始化。出现命令模式和模式转换之前,需要 一个高电平脉冲初始化 GN1621的串行接口。数据线是串行输入/输出线。读写数据或写入命令必须 通过数据线。RD线是 READ时钟输入。RAM中的数据在RD信号的下降沿被读出,读出数据将显示在 DATA线上。主控制器在READ信号上升沿和下一个下降沿之间读出正确数据。WR线是WRITE时钟输入。 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 11 页,共 24 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. — GN1621所有封装 — 数据线上的数据、地址、命令在WR信号上升沿全被读到GN1621。IRQ线被用作主控制器和GN1621 — — 之 间的接口。IRQ脚作为定时器输出或WDT溢出标志输出,由S/W设定。主控制器通过连接GN1621 的IRQ 脚执行时间基准或WDT功能。 4.8、时序图 4.8.1、READ 模式(指令码:110) CS WR RD DATA 1 1 A5 A4 A3 A2 0 A1 A0 D0 D1 D2 D3 地址1(MA1) 1 1 0 A5 A4 A3 A2 数据(MA1) A1 A0 D0 D1 D2 D3 地址2(MA2) 数据(MA2) 4.8.2、READ 模式(连续地址读) CS WR RD DATA 1 1 0 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 D3 D0 D1 D2 D3 D0 D1 D2 D3 D0 D1 D2 D3 D0 地址(MA) 数据(MA) 数据(MA+1) 数据(MA+2) 数据(MA+3) 4.8.3、WRITE 模式(指令码:101) CS WR DATA 1 0 1 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 D3 地址1(MA1) 数据(MA1) 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 1 0 1 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 D3 地址2(MA2) 数据(MA2) 第 12 页,共 24 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. GN1621所有封装 4.8.4、WRITE 模式(连续地址写) CS WR DATA 0 1 1 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 D3 D0 D1 D2 D3 D0 D1 D2 D3 D0 D1 D2 D3 D0 地址(MA) 数据(MA) 数据(MA+1) 数据(MA+2) 数据(MA+3) 4.8.5、READ-MODIFY-WRITE 模式(指令码:101) CS WR RD DATA 1 0 1 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 D3 D0 D1 D2 D3 地址1(MA1) 数据(MA1) 1 0 1 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D3 D2 D1 D0 数据(MA1) 地址2(MA2) 数据(MA2) 4.8.6、READ-MODIFY-WRITE 模式(连续地址存取) CS WR RD DATA 1 0 1 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 D3 D0 D1 D2 D3 D0 D1 D2 D3 D0 D1 D2 D3 D0 D1 D2 D3 D0 地址(MA) 数据(MA) 数据(MA) 数据(MA+1) 数据(MA+1) 数据(MA+2) 4.8.7、命令模式 (命令码 : 100) 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 13 页,共 24 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. GN1621所有封装 4.8.8、模式 (数据及命令模式) — — 注:推荐主控制器应在RD上升沿与下一周期RD下降沿之间从DATA端读取数据。 4.9、指令一览表 名 称 ID READ 110 WRITE 101 READ101 MODIFY -WRITE 命令代码 A5A4A3A2A1A0D0D1D2D3 A5A4A3A2A1A0D0D1D2D3 D/C D D 功 能 读 RAM 中数据 写数据到 RAM 中 开启预置复位 — — A5A4A3A2A1A0D0D1D2D3 D 读写 RAM — C C C C C C C C C 同时关闭系统振荡器和 LCD 偏置发生器 开启系统振荡器 关闭 LCD 偏置发生器 开启 LCD 偏置发生器 禁止时间基准输出 禁止 WDT 暂停标志输出 允许时间基准输出 允许 WDT 暂停标志输出 关闭蜂鸣输出 开启蜂鸣输出 — Yes — — — — — Yes — 0000_10XX_X C 清除时基发生器的内容 — 100 100 100 100 0000_111X_X 0001_01XX_X 0001_10XX_X 0001_11XX_X C C C C — — Yes — BIAS 1/2 100 0010_abX0_X C BIAS 1/3 100 0010_abX1_X C TONE 4K 100 010X_XXXX_X C 清除 WDT 内容 系统时钟为晶体振荡器 系统时钟为片内 RC 振荡器 系统时钟为外部时钟 LCD 1/2 LCD 1/2 偏置状态 ab=00: 2COM 端 ab=01: 3COM 端 ab=10: 4COM 端 LCD 1/3 偏置状态 ab=00: 2COM 端 ab=01: 3COM 端 ab=10: 4COM 端 蜂鸣频率:4KHz SYS DIS 100 0000_0000_X C SYS EN LCD OFF LCD ON TIMER DIS WDT DIS TIMER EN WDT EN TONE OFF TONE ON CLR TIMER CLR WDT XTAL 32K RC 256K EXT 256K 100 100 100 100 100 100 100 100 100 0000_0001_X 0000_0010_X 0000_0011_X 0000_0100_X 0000_0101_X 0000_0110_X 0000_0111_X 0000_1000_X 0000_1001_X 100 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 Yes — — — 第 14 页,共 24 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. TONE 2K GN1621所有封装 100 011X_XXXX_X C 蜂鸣频率:2KHz — — 100 100X_0XXX_X C 禁止 IRQ 输出 Yes — IRQ EN 100 100X_1XXX_X C — F1 100 101X-X000_X C F2 100 101X_X001_X C F4 100 101X_X010_X C F8 100 101X_X011_X C F16 100 101X_X100_X C F32 100 101X_X101_X C F64 100 101X_X110_X C F128 100 101X_X111_X C TOPT TNORMAL 100 100 1110_0000_X 1110_0011_X C C 允许 IRQ 输出 时基/WDT 时钟输出:1Hz WDT 暂停标志延时:4s 时基/WDT 时钟输出:2Hz WDT 暂停标志延时:2s 时基/WDT 时钟输出:4Hz WDT 暂停标志延时:1s 时基/WDT 时钟输出:8Hz WDT 暂停标志延时:1/2s 时基/WDT 时钟输出:16Hz WDT 暂停标志延时:1/4s 时基/WDT 时钟输出:32Hz WDT 暂停标志延时:1/8s 时基/WDT 时钟输出:64Hz WDT 暂停标志延时:1/16s 时基/WDT 时钟输出:128Hz WDT 暂停标志延时:1/32s 测试模式 标准模式 IRQ DIS 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 — — — — — — — Yes — Yes 第 15 页,共 24 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. GN1621所有封装 5、典型应用线路 5.1、应用线路 5.2、使用说明: — —  IRQ和RD引脚的连接视主控制器的要求而定。  VLCD 引脚的电压必须低于 VDD。  调节 VR 以适应 LCD 显示屏电压。VDD=5V,VLCD=4V,VR=27.5kΩ±20%。  调节 R(外接上拉电阻)以适应用户的基准时钟。  为了获得最佳性能,需要增加两个 2 个额外的负载电容 C1、C2,电容值的大小影响晶振的精度 建议按下表进行取值。 C1、C2 电容取值说明: 振荡精度 电容值 ±10ppm 0~10p 10~20ppm 10~20p 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 16 页,共 24 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. GN1621所有封装 6、封装尺寸与外形图 6.1、SOP16 外形图与封装尺寸 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 17 页,共 24 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. GN1621所有封装 6.2、SOP24 外形图与封装尺寸 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 18 页,共 24 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. GN1621所有封装 6.3、SSOP24 外形图与封装尺寸 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 19 页,共 24 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. GN1621所有封装 6.4、SOP28 外形图与封装尺寸 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 20 页,共 24 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. GN1621所有封装 6.5、QFP44 外形图与封装尺寸 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 21 页,共 24 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. GN1621所有封装 6.6、SSOP48 外形图与封装尺寸 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 22 页,共 24 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. GN1621所有封装 6.7、LQFP48 外形图与封装尺寸 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 23 页,共 24 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. GN1621所有封装 7、声明及注意事项: 7.1、产品中有毒有害物质或元素的名称及含量 有毒有害物质或元素 部件 名称 铅 汞 镉 (Pb) (Hg) (Cd) 六阶铬 (Cr (VI)) 多溴联 多溴联苯 邻苯二 邻苯二 苯 醚 甲酸二 甲酸丁 (PBBs (PBDEs 丁酯 苄酯 ) ) (DBP) (BBP) 邻苯二甲 酸二(2乙基巳 基)酯 (DEHP) 邻苯二甲 酸二异丁 酯(DIBP) ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ 芯片 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ 内引线 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ 装片胶 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ 引线框 塑封 树脂 说明 ○:表示该有毒有害物质或元素的含量在 SJ/T11363-2006 标准的检出限以下。 ×:表示该有毒有害物质或元素的含量超出 SJ/T11363-2006 标准的限量要求。 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 24 页,共 24 页
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