GN1620

旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN1620 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. 1、概 述 GN1620 是 LED 驱动控制专用电路，内部集成有 MCU 数字接口、数据锁存器等电路。本产品主 要应用于 VCR、VCD、DVD 及家庭影院等产品的显示屏驱动。 其主要特点如下： l 采用功率 CMOS 工艺 l 显示模式（8 段×6 位~10 段×4 位） l 辉度调节电路（占空比 8 级可调） l 串行接口（CLK，STB，DIO） l 内置 RC 振荡（450KHz±5%） l 内置上电复位电路 l 封装形式：SOP20 l 包装规格：GN1620 SOP20 35PCS/管 2800PCS/盒 28000PCS/箱 2、引脚排列图及引脚说明 2.1、引脚排列图 2.2、引脚说明 引脚 1 2 3 4 5 6 7 引脚名称 逻辑电源 输出（段） 输出（段） 输出（段） 输出（段） 输出（段） 输出（段） 符 号 VDD SEG1 SEG2 SEG3 SEG4 SEG5 SEG6 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 说 明 电源电压 段输出，P 管开漏输出。 段输出，P 管开漏输出。 段输出，P 管开漏输出。 段输出，P 管开漏输出。 段输出，P 管开漏输出。 段输出，P 管开漏输出。 第 1页 共 10页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 输出（段） 输出（段） 输出（段/位） 输出（段/位） 逻辑地 输出（位） 输出（位） 逻辑地 输出（位） 输出（位） SEG7 SEG8 SEG13/GRID6 SEG14/GRID5 GND GRID4 GRID3 GND GRID2 GRID1 18 数据输入/输出 DIO GN1620 段输出，P 管开漏输出。 段输出，P 管开漏输出。 段/位复用输出 段/位复用输出 接系统地 位输出，N 管开漏输出。 位输出，N 管开漏输出。 接系统地 位输出，N 管开漏输出。 位输出，N 管开漏输出。 在时钟下升沿输入/输出串行数据，从低位开始。 输出为 N-ch open drain，且内部集成上拉电阻 20K 左 右。 19 时钟输入 CLK 20 片选 STB 在上升沿读取串行数据，下降沿输出数据。 在上升或下降沿初始化串行接口，随后等待接收指 令。STB 为低后的第一个字节作为指令，当处理指令 时，当前其它处理被终止。当 STB 为高时，CLK 被 忽略。 3、电特性 3.1、 极限参数（Ta=25℃，GND=0V） 参 数 名 称 逻辑电源电压 逻辑输入电压 LED Seg 驱动输出电流 LED Grid 驱动输出电流 功率损耗 工作温度 储存温度 焊接温度 符 号 VDD VI1 IO1 IO2 PD Topt Tstg TL 条 件 10 秒 额 定 值 -0.5～+7.0 -0.5～VDD+0.5 -50 +200 400 -40～+80 -65～+150 250 单 位 V V mA mA mW ℃ ℃ ℃ 3.2、推荐使用条件（Ta= -20℃～+70℃，GND=0V） 参 数 名 称 符 号 最小 典型 最大 单 位 逻辑电源电压 VDD 3 5 5.5 V 高电平输入电压 VIH 0.7VDD - VDD V 低电平输入电压 VIL 0 - 0.3VDD V 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 2 页 共 10 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN1620 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. 3.3、电气特性 3.3.1、电气特性（Ta= -20℃～+70℃，VDD=4.5V～5.5V ,GND=0V） 参数 符号 测试条件 最小 典型 最大 单位 IOH1 Seg1～Seg8,VO=VDD-2V -20 -25 -40 mA IOH2 Seg1～Seg8,VO=VDD-3V -20 -30 -50 mA 低电平输出电流 IOL1 Grid1～Grid6,VO= 0.3V 80 140 - mA 低电平输出电流 IDATA VO=0.4V, DIO 4 8 - mA - - 5 % ±1 uA 高电平输出电流 高电平输出电流 容许量 ITOLSG VO=VDD-3V, Seg1～Seg8 II VI=VDD/GND - - 高电平输入电压 VIH CLK、DIO、STB 0.7VDD - 低电平输入电压 VIL CLK、DIO、STB - - 0.3VDD V 滞后电压 VH CLK、DIO、STB - 0.35 - V 动态电流损耗 IDDdyn 无负载，显示关 - - 5 mA 输出下拉电阻 RL K1~K2 - 10 - KΩ 输入电流 V 3.3.2、开关特性（Ta= -20℃～+70℃，VDD=4.5V～5.5V） 参数 振荡频率 传输延迟时间 符号 测试条件 fOSC tPLZ tPZL CLK→DIO CL=15pF, RL=10KΩ Seg1～Seg8 TTZH1 上升时间 TTZH2 CL=300pF Grid1～Grid6 最小 典型 最大 单位 - 450 - KHz - - 300 ns - - 100 ns - - 2 us - - 0.5 us 下降时间 TTHZ CL=300pF、Segn、Gridn - - 120 us 最大时钟频率 Fmax 占空比 50% 1 - - MHz CI - - - 15 pF 最小 400 1 100 100 1 1 典型 - 最大 - 单位 ns μs ns ns μs μs 输入电容 3.3.3、时序特性（Ta= -20℃～+70℃，VDD=4.5V～5.5V） 参数 时钟脉冲宽度 选通脉冲宽度 数据建立时间 数据保持时间 CLK→STB 时间 等待时间 符号 PWCLK PWSTB tSETUP tHOLD tCLK STB tWAIT 测试条件 CLK↑→STB↑ CLK↑→CLK↓ 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 3 页 共 10页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN1620 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. 4、时序图与端口操作说明、指令系统介绍 4.1、时序图 4.2、显示寄存器地址和显示模式 该寄存器存储通过串行接口从外部器件传送到 GN1620 的数据，地址分配如下： X X B3 SEG14 xxHL(低四位) B0 B1 B2 SEG13 X SEG8 B7 X SEG7 xxHU(高四位) B4 B5 B6 X SEG5 B3 X SEG4 SEG6 SEG3 SEG2 SEG1 xxHL(低四位) B0 B1 B2 xxHU(高四位) B4 B5 B6 B7 00HL 00HU 01HL 01HU GRID1 02HL 02HU 03HL 03HU GRID2 04HL 04HU 05HL 05HU GRID3 06HL 06HU 07HL 07HU GRID4 08HL 08HU 09HL 09HU GRID5 0AHL 0AHU 0BHL 0BHU GRID6 0CHL 0CHU 0DHL 0DHU GRID7 4.3、指令介绍 指令用来设置显示模式和 LED 驱动器的状态。 在 STB 下降沿后由 DATA 输入的第一个字节作为一条指令。 B7 B6 指令 0 0 显示模式设置 0 1 数据命令设置 1 0 显示控制命令设置 1 1 地址命令设置 如果在指令或数据传输时 STB 被置为高电平，串行通讯被初始化，并且正在传送的指令或数据 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 4 页 共 10 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN1620 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. 无效（之前传送的指令或数据保持有效）。 （1）显示模式设置 该指令用来设置选择段和位的个数。当指令执行时，显示被强制终止。要重新显示，显示开/关指 令“ON”必需被执行，但当相同模式被设置时，则上述情况并不发生。 MSB 0 0 - - - - LSB b1 b0 不考虑 00 4 位，10 段 01 5 位，9 段 10 6 位，8 段 （2）数据设置 该指令用来设置数据写 MSB 0 1 - - b3 b2 b1 LSB b0 不考虑 数据写模式设定 00：写数据到显示寄存器 测试模式设定： 0：普通模式 1：测试模式 地址增加模式设定（对于显示寄存）： 0：写一字节数据后地址增加 1：固定地址 （3）地址设定 该指令用来设置显示寄存器的地址。 MSB 1 1 - - b3 b2 b1 LSB b0 不考虑 地址（00H～0DH） 如果地址设为 OEH 或更高，数据被忽略，直到有效地址被设定。上电时，地址设为 00H。 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 5 页 共 10 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN1620 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. （4）显示控制 MSB 1 0 - - b3 b2 LSB b1 b0 不考虑 显示开关设定： 0：显示关 1：显示开 注：* 消光数量设定： 000：设置脉冲宽度为 1/16 001：设置脉冲宽度为 2/16 010：设置脉冲宽度为 4/16 011：设置脉冲宽度为 10/16 100：设置脉冲宽度为 11/16 101：设置脉冲宽度为 12/16 110：设置脉冲宽度为 13/16 111：设置脉冲宽度为 14/16 上电时，设置为脉冲宽度为 1/16，显示关。 4.4、串行数据传输格式 读取和接收 1 个 bit 都在时钟的上升沿操作。  数据接收（写数据） STB 只传送一个字节 ** 数据继续传送 CLK DIO 1 3 2 b0 b1 4 b2 5 b3 6 b4 7 b5 8 b6 b7 4.5、显示周期 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 6页 共 10 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN1620 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. 4.6、应用时串行数据的传输  地址增加模式 STB CLK DIO Command1 Command2 Command3 Data n Data1 Command4 Command1：设置显示模式。显示模式的设置在上电后设置，一般只需要设置一次就可以了。 Command2：设置数据 Command3：设置地址 Data1～Data n：传输显示数据（最多 14 字节） Command4：控制显示  固定地址 STB CLK DIO Command1 Command2 Data Command2 Data Command1：设置数据 Command2：设置地址 Data：显示数据 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 7页 共 10 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN1620 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. SEG8 SEG7 SEG6 SEG5 SEG4 SEG3 SEG2 SEG1 GRID1 GRID2 GRID3 GRID4 GRID5 GRID6 9 dp 8 g 7 f 6 e 5 d 4 c 3 b 2 a 17 G 1 16 G 2 14 G 3 13 G 4 11 G 5 10 G 6 5、典型应用线路图 VDD 10K 10K 10K VDD 电容在芯片附近就近接上 + 104 220uF/10V 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 VDD 1 20 STB SEG1 2 19 CLK SEG2 3 18 DIO SEG3 4 17 GRID1 SEG4 5 16 GRID2 SEG5 6 15 GND SEG6 7 14 GRID3 SEG7 8 13 GRID4 SEG8 9 12 GND GRID6 10 11 GRID5 STB 6 STB CLK 5 CLK DIO 4 DIO 3 VDD 100P 100P 100P 2 IR 1 GND 第 8页 共 10 页 VDD 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. GN1620 6、封装尺寸与外形图 6.1、SOP20 外形图与封装尺寸 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 9 页 共 10 页 旌芯半导体科技(上海)有限公司 GN1620 GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. 7、声明及注意事项： 7.1、产品中有毒有害物质或元素的名称及含量 有毒有害物质或元素 部件名称 铅（Pb） 汞（Hg） 镉（Cd） 六阶铬 多溴联苯 多溴联苯 （PBBs） 醚（PBDEs） （Cr（Ⅵ） ） 引线框 ○ ○ ○ ○ ○ ○ 塑封树脂 ○ ○ ○ ○ ○ ○ 芯片 ○ ○ ○ ○ ○ ○ 内引线 ○ ○ ○ ○ ○ ○ 装片胶 ○ ○ ○ ○ ○ ○ 说明 ○：表示该有毒有害物质或元素的含量在 SJ/T11363-2006 标准的检出限以 下。 ×：表示该有毒有害物质或元素的含量超出 SJ/T11363-2006 标准的限量要 求。 中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 http://www.gnsemic.com 电话:021-34125778 第 10 页 共 10页