WNM4002-3/TR

厂商：
WILLSEMI(韦尔)
封装：
SOT-523-3
描述：
MOSFET SOT523 N-Channel ID=300mA

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WNM4002-3/TR 数据手册

WNM4002 WNM4002 Small Signal N-Channel, 20V, 0.3A, MOSFET V(BR)DSS Http://www.willsemi.com Top RDS(on) Typ. D 3 1.4 @ 4.5V 20 V 2.2 @ 2.5V 3.8 @ 1.8V 1 2 G S SOT-523 Descriptions D 3 The WNM4002 is the N-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor, uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use in 1 G small signal switch. Standard product WNM4002 is Pb-free. Pin Configuration Features z Trench N-Channel z Supper high density cell design for extremely low 3 N3 * 1 Rds(on) z 2 N3 = Device Code Exceptional ON resistance and maximum DC * current capability z 2 S = Month Marking Small package design with SOT-523 Applications z Driver: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers z Power supply converters circuit z Load/Power Switching for potable device Will Semiconductor Ltd. Order Information Device WNM4002-3/TR 1 Package SOT-523 Shipping 3000/Tape&Reel Dec,2011 - Rev. 1.5 WNM4002 Absolute Maximum Ratings o (TA=25 C unless otherwise noted) Symbol Parameter VDSS VGSS ID PD TJ TSG Ratings Unit Drain-to-Source Voltage 20 V Gate-to-Source Voltage 6.0 V Drain Current – Continue Note1 0.3 A Drain Current – Pulsed (t

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WNM4002-3/TR

物料型号：WNM4002

器件简介：WNM4002是一款小信号N沟道增强型MOS场效应晶体管，采用先进的沟槽技术和设计，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。适用于小信号开关，标准产品WNM4002无铅。

引脚分配：文档中未明确提供引脚分配图，但通常SOT-523封装有3个引脚，分别为栅极(G)、源极(S)和漏极(D)。

参数特性： - 漏源电压(V(BR)DSS)：20V - 导通电阻(RDs(on))典型值：1.40Ω @ 4.5V，2.20Ω @ 2.5V，3.8Ω @ 1.8V - 栅源电压(VGss)：+6.0V - 连续漏电流(l)：0.3A - 脉冲漏电流：0.6A（t<300us, Duty<2%） - 功率耗散(Po)：0.25W - 工作结温范围(TJ)：-150℃ - 存储温度范围(TsG)：-55~150℃

功能详解：适用于驱动继电器、螺线管、灯具、锤子等，以及便携式设备的负载/电源开关。

应用信息：适用于电源转换器电路和便携式设备的负载/电源开关。

封装信息：SOT-523，3000/卷带封装。

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