CH3D04065I

. CH3D04065I 内绝缘型碳化硅二极管 产品特性 应用领域  反向耐压 650V  开关模式电源、AC/DC 变换器  零反向恢复电流  功率因数校正  工作频率高  电机驱动  开关特性不受温度影响  光伏逆变器、风力发电机  开关速度快 封装  正向压降正温度系数 产品优点  开关损耗极低  效率更高  系统对散热片的依赖低 产品型号 封装形式  并联器件中没有热崩溃 CH3D04065I TO‐220‐2 打标 CH3D04065I 最大额定值(无特殊说明时TJ=25℃) 标识 参 数 数值 单 位 VRRM 反向重复峰值电压 650 V VRSM 反向浪涌峰值电压 650 V VDC 反向直流电压 650 V 15 IF 平均正向电流 正向重复峰值电流 IFSM 正向不重复峰值电流 Ptot 耗散功率 TJ 工作温度 Tstg 贮存温度 备注 TC=25℃ A 8 4 IFRM 测试条 件 TC=135℃ Fig.3 TC=150℃ 25 A 17 35 A 29 78 W 45 TC=25℃,tP=10ms,Half Sine Wave TC=110℃,tP=10ms,Half Sine Wave TC=25℃,tP=10ms,Half Sine Wave TC=110℃,tP=10ms,Half Sine Wave TC=25℃ TC=175℃ ‐55 to ℃ +175 ‐55 to ℃ +175 1 Fig.4 . 电特性 标识 参数 VF 正向压降 IR 反向电流 QC 总存储电荷 典型值 大值 1.45 1.6 1.63 1.8 0.1 25 0.8 100 单位 V µA 15.4 nC 289 C IF=4A, TJ=25℃ 备注 Fig.1 IF=4A, TJ=175℃ VR=650V, TJ=25℃ Fig.2 VR=650V, TJ=175℃ VR=400V, IF=4A, TJ=25℃ VR=0V, TJ=25℃,f=1MHz 30 总电容 测试条件 pF 22 VR=200V, TJ=25℃,f=1MHz Fig.5 VR=400V, TJ=25℃,f=1MHz 热特性 标识 RthJC 参数 结到壳热阻 典型值 单位 备注 3.11 ℃/W Fig.6 特征曲线 Fig.1. 正向特性曲线 Fig. 2 反向特性曲线 Fig. 3 不同负载下的电流 Fig. 4 耗散功率曲线 2 . Fig. 5 电容—反向电压曲线 Fig. 6 结到壳热阻曲线 3 . 封装信息 POS 封装形式 TO‐220‐2 A B C D D1 D2 D3 E E1 E2 F G H L M N P Q S T U V W X Y Z Inches Min Max 0.381 0.410 0.235 0.255 0.100 0.120 0.223 0.337 0.457‐0.490 typ. 0.277‐0.303 typ. 0.244‐0.252 typ. 0.590 0.615 0.302 0.326 0.227 0.251 0.143 0.153 1.105 1.147 0.500 0.550 0.025 0.036 0.045 0.055 0.195 0.205 0.165 0.185 0.048 0.054 3° 6° 3° 6° 3° 6° 0.094 0.110 0.014 0.025 3° 5.5° 0.385 0.410 0.130 0.150 Millimeters Min Max 9.677 10.414 5.969 6.477 2.540 3.048 5.664 8.560 11.60‐12.45 typ. 7.04‐7.70 typ. 6.22‐6.4 typ. 14.986 15.621 7.68 8.28 5.77 6.37 3.632 3.886 28.067 29.134 12.700 13.970 0.635 0.914 1.143 1.550 4.953 5.207 4.191 4.699 1.219 1.372 3° 6° 3° 6° 3° 6° 2.388 2.794 0.356 0.635 3° 5.5° 9.779 10.414 3.302 3.810 二极管模型 VfT=VT+I F×RT VT=0.945‐1.27×10‐3×TJ RT=0.082+1.71×10‐4×TJ+1.63×10‐6×TJ 2 Note: TJ =Diode Junction Temperature In DegreeCelsius, valid from ‐55℃ to 17 ℃. 4