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创作活动
MMBT5089

MMBT5089

  • 厂商:

    SK(台湾时科)

  • 封装:

    SOT-23

  • 描述:

    通用三极管 NPN Vceo:25V Ic:100mA Pd:200mW SOT-23

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
MMBT5089 数据手册
NPN General Purpose Amplifier For low noise, high gain, general purpose amplifier applications at collector currents from 1μA to 50mA. 1: Base 2: Emitter 3: Collector Marking: 1RM SOT-23 23 Plastic Package Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 ℃) 1 of 5 Characteristics at Tamb=25 OC 2 of 5 3 of 5 4 of 5 5 of 5
MMBT5089
物料型号:MMBT5089 器件简介:NPN通用放大器,适用于从1μA到50mA的集电极电流的低噪声、高增益通用放大器应用。 引脚分配:1. Base(基极)2. Emitter(发射极)3. Collector(集电极) 封装信息:SOT-23 Plastic Package 参数特性: - 集电极-发射极电压(VCEO):25V - 集电极-基极电压(VcBo):30V - 发射极-基极电压(VEBO):4.5V - 集电极电流(Ic):100mA - 总器件耗散(Ptot):200mW - 热阻,结到环境(ReJA):357°C/W - 工作和存储结温范围(TJ,Ts):-55°C 至 +150°C

功能详解: - DC电流增益(hFE):在Vce=5V,Ic=100μA时最小400,最大1200 - 小信号电流增益(hte):在Vce=5V,Ic=1mA,f=1kHz时为450至1800 - 集电极-基极击穿电压(V(BRCBO)):30V - 集电极-发射极击穿电压(V(BR)CEO):25V - 集电极-发射极饱和电压(VCEsat):0.5V - 基极-发射极导通电压(VBEn):0.8V - 集电极截止电流(ICBO):50nA - 发射极截止电流(IEBO):在VEB=3V时50nA,在VEB=4.5V时100nA - 增益带宽积(fr):50MHz - 集电极-基极电容(Ccb):4pF - 发射极-基极电容(Ceb):10pF - 噪声系数(NF):2dB

应用信息:文档中未明确提供应用信息,但根据其为通用放大器的特性,可以推断适用于多种放大应用场景。
MMBT5089 价格&库存

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      库存:32451