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MMBT2222A

MMBT2222A

  • 厂商:

    TWGMC(台湾迪嘉)

  • 封装:

    SOT-23

  • 描述:

    晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):300mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@150mA,15m...

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MMBT2222A 数据手册
MMBT2222A AO3400 SI2305 MMBT2222A TRANSISTOR (NPN) FEATURES SOT-23 Epitaxial planar die construction Complementary PNP Type available(MMBT2907A) 1.BASE 2.EMITTER 3.COLLECTOR MARKING: 1P MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Units VCBO VCEO Collector-Base Voltage 75 V Collector-Emitter Voltage 40 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC PC RθJA Collector Current -Continuous 600 mA Collector Dissipation 300 mW Thermal Resistance, Junction to Ambient 417 ℃/W TJ Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature -55to+150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC= 10μA, IE=0 75 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO* IC= 10mA, IB=0 40 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=10μA, IC=0 6 V Collector cut-off current ICBO VCB=60V, IE=0 0.01 µA Collector cut-off current ICEX VCE=30V, VBE(off)=3V 0.01 µA Emitter cut-off current IEBO VEB= 3V, IC=0 0.1 µA DC current gain hFE(1) * VCE=10V, IC= 150mA 100 hFE(2) VCE=10V, IC= 0.1mA 40 VCE=10V, IC= 500mA 42 hFE(3) Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage * VCE(sat) * VBE(sat) Transition frequency fT Delay time td Rise time tr Storage time tS Fall time tf * IC=500 mA, IB= 50mA IC=150 mA, IB=15mA IC=500 mA, IB= 50mA IC=150 mA, IB=15mA VCE=20V, IC= 20mA, f=100MHz VCC=30V, VBE(off)=-0.5V IC=150mA , IB1= 15mA VCC=30V, IC=150mA IB1=-IB2=15mA *pulse test: Pulse Width ≤300μs, Duty Cycle≤ 2.0%. www.tw-gmc.com 1 3 2 300 1 0.3 2.0 1.2 300 V V MHz 10 nS 25 nS 225 nS 60 nS MMBT2222A AO3400 SI2305 Typical Characteristics 1000 300 hFE, DC CURRENT GAIN PD, POWER DISSIPATION (mW) 350 250 200 150 100 TA = 125°C 100 TA = +25°C TA = -25°C 10 50 VCE = 1.0V 0 0 25 50 75 100 125 150 175 1 200 TA, AMBIENT TEMPERATURE (°C) Fig. 1, Max Power Dissipation vs Ambient Temperature 1000 100 VCE COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (V) 2.0 20 CAPACITANCE (pF) 10 IC, COLLECTOR CURRENT (mA) Fig. 2, Typical DC Current Gain vs Collector Current 30 Cibo 10 5.0 Cobo 1.0 1 0.1 0.1 1.0 10 50 REVERSE VOLTS (V) Fig. 3 Typical Capacitance www.tw-gmc.com 1.8 IC = 30mA IC = 1mA IC = 10mA 1.6 IC = 100mA 1.4 IC = 300mA 1.2 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0 0.001 0.01 0.1 1 10 IB, BASE CURRENT (mA) Fig. 4 Typical Collector Saturation Region 1 2 100 MMBT2222A AO3400 SI2305 PACKAGE OUTLINE Plastic surface mounted package; 3 leads www.tw-gmc.com SOT-23 1 3 2
MMBT2222A
物料型号:MMBT2222A 器件简介:NPN型晶体管,采用外延平面芯片结构,具有互补的PNP类型(MMBT2907A)。 引脚分配:SOT-23封装,引脚1为发射极(Emitter),引脚2为基极(Base),引脚3为集电极(Collector)。 参数特性:包括最大额定值和电气特性,如集电极-基极电压(VCBO)、集电极-发射极电压(VCEO)、发射极-基极电压(VEBO)、连续集电极电流(IC)、集电极耗散(PC)、结到环境的热阻(ROJA)、结温(TJ)和存储温度(Tstg)。 功能详解:提供了直流电流增益(hFE)、集电极-发射极饱和电压(VcE(sat))、基极-发射极饱和电压(VBE(sat))、转换频率(fr)、延迟时间(4)、上升时间、存储时间和下降时间等参数。 应用信息:文档中未明确提供应用信息,但根据其电气特性,该晶体管适用于一般用途的放大和开关应用。 封装信息:SOT-23塑料表面贴装封装,包含3个引脚。
MMBT2222A 价格&库存

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MMBT2222A
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MMBT2222A
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