KP3110
高性能、低成本离线式 PWM 控制开关
主要特点
产品描述
⚫
高精度 5V 默认输出
KP3110 是一款非隔离型 、高集成度且低成本的
⚫
集成 500V 高压 MOSFET 和高压启动电路
PWM 功率开关,适用于降压型和升降压型电路。
⚫
超低系统成本
⚫
支持降压和升降压电路
KP3110 采用高压单晶圆工艺,在同一片晶圆上集
⚫
开关式峰值电流模式控制
成有 500V 高压 MOSFET 和采用开关式峰值电流
⚫
超低待机功耗小于 50mW
模式控制的控制器。在全电压输入的范围内可以保
⚫
超低工作电流,支持小 VDD 电容
证高精度的 5V 默认输出。在芯片内部,振荡器频
⚫
集成 31KHz 带抖频功能振荡器
率固定为 31kHz 且带有抖频功能,在保证输出功率
⚫
集成软启动电路
的条件下优化了 EMI 效果。同时,芯片设计有轻重
⚫
集成式保护功能:
载模式,可轻松获得低于 50Mw 的待机功耗。
◼ 过载保护 (OLP)
KP3110 集成有完备的保护功能:VDD 欠压保护、
◼ 过热保护 (OTP)
逐周期电流限制、过热保护、过载保护和短路保护
◼ 逐周期电流限制 (OCP)
等。
◼ 前沿消隐 (LEB)
◼ VDD 欠压保护
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可选封装 TO-92 与 SOT23-3L
典型应用
⚫
小家电电源
⚫
辅助电源
典型应用电路
降压型电路
+
升降压型电路
+
+
-
*Option
DC
Input
1
2
3
Drain
CS
VDD
KP3110
-
DS_KP3110_REV1.02_CN
*Option
DC
Output
-
DC
Input
1
2
3
Drain
CS
VDD
KP3110
-
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DC
Output
+
1
KP3110
高性能、低成本离线式 PWM 功率开关
管脚封装
KP3110
Drain CS VDD
TO-92
SOT23-3L
Y: 年份代码
WW:周代码,01-52
Z: 流水码, 1-9 or A-Z
Y:年份代码
WW:周代码,01-52
Z: 流水码, 1-9 or A-Z
产品标记
3
KW10L
YWWZ
10YWWZ
1
2
TO-92
SOT23-3L
封装类型
最大输出电流@85-265Vac
TO-92
220mA
SOT23-3L
200mA
典型功率表
备注:
1.
默认 5V 降压型输出。
2.
实际输出功率取决于输出电压和散热条件。
管脚功能描述
TO-92
SOT23-3L
名称
I/O
描述
1
1
Drain
P
内部高压 MOSFET 的漏极
3
2
VDD
P
芯片的供电管脚
2
3
CS
P
芯片的参考地,也是峰值电流检测管脚
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2
KP3110
高性能、低成本离线式 PWM 功率开关
订货信息
型号
描述
KP3110LPA
TO-92, 无铅、编带盘装, 2000 颗/盒(卷)
KP3110LGA
SOT23-3L, 无卤、编带盘装, 3000 颗/卷
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3
KP3110
高性能、低成本离线式 PWM 功率开关
极限参数 (备注 1)
参数
数值
单位
7
V
-0.3 to 500
V
封装热阻---结到环境 (TO-92)
120
℃/W
封装热阻---结到环境 (SOT23-3L)
260
℃/W
最高芯片工作结温
150
℃
-65 to 150
℃
管脚温度 (焊接 10 秒)
260
℃
ESD 能力 (人体模型)
3
kV
数值
单位
-40 to 125
℃
VDD 直流供电电压
Drain 管脚
储藏温度
推荐工作条件
参数
芯片工作结温
电气参数 (无特殊注明,环境温度为 25 ℃)
符号
参数
测试条件
最小
典型
最大
单位
150
300
uA
5.46
5.58
V
供电部分 (VDD 管脚)
IVDD_standby
VDD 静态工作电流
VDD=6V
VDD_Op
VDD 正常工作电压
满载输出
VDD_OFF
VDD 欠压保护电压
4.38
V
VDD_ON
VDD 启动电压
4.87
V
Vout_Reg
输出电压基准
5.34
4.95
5
5.075
V
28.2
31
34.5
KHz
5
%
振荡器部分
FOSC
振荡器频率
ΔF(shuffle)
/FOSC
抖频范围
T(shuffle)
抖频周期
DMAX
TD_OLP
VDD=5.46V
-5
32
最大占空比
(备注 2)
过流保护检测周期
VDD=5.46V
24.9
25
128
ms
25.1
%
ms
电流采样部分 (CS 管脚)
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4
KP3110
高性能、低成本离线式 PWM 功率开关
TLEB
前沿消隐
Vcs(max)
过流保护阈值
TD_OCP
过流保护延时
300
440
480
ns
520
mV
100
ns
150
℃
过热保护部分
TSD
过热保护阈值
(备注 2)
高压 MOSFET 部分 (Drain 管脚)
VBR
高压 MOSFET 击穿电压
Rdson
导通阻抗
I(Drain)=50mA
13
IDrain_to_VDD
高压供电电流
Drain=500V,
VDD=0V
1
IDrain_leakage
高压漏电电流
HV=500V, VDD=6V
500
V
ohm
3
mA
50
uA
备注 1:超出列表中"极限参数"可能会对器件造成永久性损坏。极限参数为应力额定值。在超出推荐的工作条件和应力的
情况下,器件可能无法正常工作,所以不推荐让器件工作在这些条件下。过度暴露在高于推荐的最大工作条件下,可能会
影响器件的可靠性。
备注 2: 参数取决于实际设计,在批量生产时进行功能性测试。
备注 3:器件为 ESD 敏感元件,建议使用中谨慎处理。
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KP3110
高性能、低成本离线式 PWM 功率开关
参数特性曲线
Vout_Reg vs Temperature
VDD_OFF vs Temperature
4.6
5.15
VDD_OFF(v)
Vout_Reg(v)
5.25
5.05
4.95
4.85
4.75
-40
-20
0
20
40
60
80
100
4.5
4.4
4.3
4.2
-40
120
-20
0
Temperature(°C)
0.485
32.5
0.48
0.475
-20
0
20
40
60
40
60
80
100
120
100
120
FOSC vs Temperature
33.5
FOSC(KHz)
Vcs(max)(v)
Vcs(max) vs Temperature
0.49
0.47
-40
20
Temperature(°C)
80
100
120
31.5
30.5
29.5
28.5
-40
-20
Temperature(°C)
0
20
40
60
80
Temperature(°C)
IVDD_standby vs Temperature
IVDD_standby(uA)
180
170
160
150
140
130
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
Temperature(°C)
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KP3110
高性能、低成本离线式 PWM 功率开关
封装尺寸
TO-92
D
D1
A
A2
E
EJECTION MARK
h
Φ
L2
L3
L1
b
e
符号
c
e
尺寸 (毫米)
尺寸 (英寸)
最小
最大
最小
最大
A
3.300
3.700
0.130
0.146
A2
1.100
1.400
0.043
0.055
b
0.380
0.550
0.015
0.022
c
0.360
0.510
0.014
0.020
D
4.400
4.700
0.173
0.185
D1
3.430
-
0.135
-
E
4.300
4.700
0.169
0.185
e
2.440
2.640
0.096
0.104
h
0.000
0.380
0.000
0.015
L1
12.500
14.500
0.492
0.571
L3
2.500
3.500
0.098
0.138
θ
-
1.600
-
0.063
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KP3110
高性能、低成本离线式 PWM 功率开关
封装尺寸
SOT23-3L
D
θ
b
E
E1
L
0.2
e
c
A1
A2
A
e1
符号
尺寸 (毫米)
尺寸 (英寸)
最小
最大
最小
最大
A
1.050
1.250
0.041
0.049
A1
0.000
0.100
0.000
0.004
A2
1.050
1.150
0.041
0.045
b
0.300
0.500
0.012
0.020
c
0.100
0.200
0.004
0.008
D
2.820
3.020
0.111
0.119
E
1.500
1.700
0.059
0.067
E1
2.650
2.950
0.104
0.116
e
0.950 (中心到中心)
0.037 (中心到中心)
e1
1.800
2.000
0.071
0.079
L
0.300
0.600
0.012
0.024
θ
0°
8°
0°
8°
声明
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必易的产品整合到任何应用的过程中,应确保不侵犯第三方知识产权;未按以上信息所规定的应用条件和参
数进行使用所造成的损失,必易不负任何法律责任。
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