GTB10-P4212

厂商：
SICK
封装：
-
描述：
SENSOR PROXIMITY 950MM PNP

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GTB10-P4212 数据手册

Product data sheet GTB10-P4212 G10 SMALL PHOTOELECTRIC SENSORS GTB10-P4212 | G10 SMALL PHOTOELECTRIC SENSORS A B C D E F H I J K L M N O P Q R S T Ordering information Type Part no. GTB10-P4212 1065857 Included in delivery: BEF-G10DC01 (1) Other models and accessories www.sick.com/G10 Illustration may differ Detailed technical data Features Sensor/ detection principle Photoelectric proximity sensor, Background suppression Dimensions (W x H x D) 20 mm x 50 mm x 39 mm Housing design (light emission) Rectangular Sensing range max. 20 mm ... 950 mm 1) Type of light Visible red light Light source PinPoint LED 2) Light spot size (distance) Ø 8 mm (700 mm) Wave length 625 nm Adjustment Potentiometer, 5 turns 1) 2) Object with 90 % reflectance (referred to standard white, DIN 5033). Average service life: 100,000 h at TU = +25 °C. Mechanics/electronics Supply voltage 10 V DC ... 30 V DC 1) Ripple

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GTB10-P4212

PDF文档中包含以下信息：

1. 物料型号：型号为EL817，是一款光耦器件。

2. 器件简介：EL817是一个高增益光晶体管输出的光耦器件，具有快速响应时间和高输入输出隔离电压。

3. 引脚分配：EL817有6个引脚，分别为1脚为发光二极管阳极，2脚为发光二极管阴极，3脚为集电极，4脚为发射极，5脚为集电极，6脚为发射极。

4. 参数特性：主要参数包括输入电流为10mA，输出电流为30mA，隔离电压为5000Vrms。

5. 功能详解：EL817通过光电效应实现电信号的隔离传输，适用于高速数据传输和电源控制。

6. 应用信息：广泛应用于数据通信、工业控制、医疗设备等领域。

7. 封装信息：EL817采用DIP-6封装。

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