HGT1S7N60C3DS9A

物料型号： - HGTP7N60C3D - HGT1S7N60C3D - HGT1S7N60C3DS

器件简介： 这些器件是MOS控制的高电压开关器件，结合了MOSFET和双极晶体管的最佳特性。具有MOSFET的高输入阻抗和双极晶体管的低导通损耗。在25°C至150°C之间，导通电压降变化不大。

引脚分配： - JEDEC TO-220AB：发射极、集电极、门极 - JEDEC TO-262AA：发射极、集电极门极（法兰） - JEDEC TO-263AB：集电极、门极、发射极

参数特性： - 集-射电压：600V - 25°C时连续集电极电流：14A - 110°C时连续集电极电流：7A - 脉冲集电极电流：56A - 门-射极电压：连续20V，脉冲30V - 存储和工作结温范围：-40°C至150°C

功能详解： 这些IGBT适用于许多高电压开关应用，如交流和直流电机控制、电磁铁、继电器和接触器的电源供应和驱动器。

应用信息： 适用于中等频率操作且导通损耗低的应用。

封装信息： - HGTP7N60C3D：TO-220AB封装 - HGT1S7N60C3D：TO-262AA封装 - HGT1S7N60C3DS：TO-263AB封装

注意：订购时使用完整型号，并添加后缀Aa以获取TO-263AB变体的胶带和卷轴版本。