物料型号:
- IRFR320
- IRFR321
- IRFR322
- IRFU320
- IRFU321
- IRFU322
器件简介:
这些是N沟道增强型硅门功率场效应晶体管。它们是设计、测试并保证能承受特定能量级别的先进功率MOSFET,适用于开关调节器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器以及需要高速和低门驱动功率的高功率双极晶体管驱动等应用。
引脚分配:
- JEDEC TO-251AA:源极、漏极、门极
- JEDEC TO-252AA:门极、漏极(法兰)、源极、漏极
参数特性:
- 漏源电压(Vps):IRFR320和IRFR322为400V,IRFR321和IRFU321为350V
- 栅源电压(Vgs):最高20V
- 连续漏电流:IRFR320和IRFR321为3.1A,IRFR322和IRFU322为2.6A
- 最大功耗(Pd):50W
- 线性降额因子:0.4 W/°C
- 单脉冲雪崩能量:190 mJ
功能详解:
- 具有纳秒级的开关速度
- 线性传输特性
- 高输入阻抗
应用信息:
适用于需要高速开关和低门驱动功率的应用,如开关电源、电机驱动等。
封装信息:
- TO-252AA和TO-251AA两种封装类型,具体引脚分配如上所述。