CBM41AD49QF
产品详参
产品应用
产品描述
高速高精度 14 位 250MSPS A/D 转换器是采
无线、宽带通信
用 CMOS 工艺制造的单片集成电路,采样率最
接收器
高可达 250 MSPS。该模数转换器利用新的设计
通信测试设备
方法在获得高的动态性能的同时,也能在 1.8V
雷达和卫星子系统
的电源电压下获得超低功耗。它适用于多载波的
率放大器的线性化
宽带通信应用。
A/D 转换器的原理图。该电路主要包括多级流
产品特点
水线,输出驱动电路,内部基准产生电路、时钟
稳定电路、控制逻辑、数字校正电路以及输出驱
分辨率:14bit
动电路等。
采样率:250MSPS;
该电路采用 CMOS 工艺制造,48 引线封装
SNR 大于 65dB;
(VQF48),该电路可相似替代美国 TI 公司的
SFDR 大于 70dB;
ADS4149。
功耗小于 0.45W
PIN 兼容 AD4149 系列
引脚配置
图 1.1
引脚配置图
1
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引脚简述
引脚序号
符号
简述
1
GNDD
数字地
2
VDDD
3
符号
简述
25
GNDA
模拟地
数字电源
26
VDDA
模拟电源
QOR
溢出位
27
SEN
串行接口使能
4
QCLK+
时钟输入正
28
SDATA
串行接口数据输入
5
QCLK-
时钟输入负
29
SCLK
串行接口时钟输入
6
DFS
输出数据格式
30
RESET
复位
7
OE
输出使能
31
DNC
悬空
8
VDDA
模拟电源
32
DNC
悬空
9
GNDA
模拟地
33
DD0-/DD1-
D0、D1 输出负端
10
INCLK+
差分时钟输入正
34
DD0+/DD1+
D0、D1 输出正端
11
INCLK-
差分时钟输入负
35
VDDD
数字电源
12
GNDA
模拟地
36
GNDD
数字地
13
VCM
共模输出
37
DD2-/DD3-
D2、D3 输出负端
14
GNDA
模拟地
38
DD2+/DD3+
D2、D3 输出正端
15
IN+
差分模拟输入正
39
DD4-/DD5-
D4、D5 输出负端
16
IN-
差分模拟输入负
40
DD5+/DD5+
D4、D5 输出正端
17
GNDA
模拟地
41
DD6-/DD7-
D6、D7 输出负端
18
VDDA
模拟电源
42
DD6+/DD7+
D6、D7 输出正端
19
GNDA
模拟地
43
DD8-/DD9-
D8、D9 输出负端
20
VDDA
模拟电源
44
DD8+/DD9+
D8、D9 输出正端
21
DNC
悬空
45
DD10-/DD11-
D10、D11 输出负端
22
VDDA
模拟电源
46
DD10+/DD11+
D10、D11 输出正端
23
DNC
备用
47
DD12-/DD13-
D12、D13 输出负端
24
VDDA
模拟电源
48
DD12+/DD13+
D12、D13 输出正端
图 1.2
引脚序号
引脚简述
2
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功能框图及定时特性
OVDD
内部基准产
生器
AIN+
9级流
水线
数字校正
输出驱动
数字输出
AIN-
时钟稳定
电路
OF
CLKOUT
控制逻辑
VDD
GND
ENC+ ENC-
控制信号
图 1.3
功能框图
图 1.4
定时特性
3
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性能参数
参数
测试条件
14 位 250MHz ADC
最小值
分辨率
SNR
-
fCLK=250MHz,
71
-
68
70
-
67
69
-
68
70
-
67
69
-
66
68
-
78
82
-
77
80
-
76
78
-
10.5
-
-
Bit
-0.99
±0.8
-
LSB
-
±3.5
±5
LSB
2
-
Vpp
fCLK=250MHz,
fIN=170MHz
fCLK=250MHz,
fIN=30MHz
fCLK=250MHz,
fIN=70MHz
fCLK=250MHz,
fIN=170MHz
fCLK=250MHz,
fIN=30MHz
fCLK=250MHz,
fIN=70MHz
fCLK=250MHz,
fIN=170MHz
ENOB
Bit
69
fIN=30MHz
fIN=70MHz
SFDR
最大值
14
fCLK=250MHz,
SINAD
典型值
单位
fCLK=250MHz,
dBFS
dBFS
dBFS
fIN=30MHz
DNL
fCLK=250MHz,
fIN=10MHz
INL
fCLK=250MHz,
fIN=10MHz
模拟输入
差分输入范围
—
-
4
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输入电阻
—
-
1
-
MΩ
输入电溶
—
-
4
-
pF
模拟输入带宽
—
-
480
-
MHz
共模输出电压
—
-
0.95
-
V
直流特性
失调误差
—
-15
3
15
mV
增益误差
—
-2
-
2
%FS
-
138
150
mA
-
65
80
mA
-
248.4
270
mW
-
117
144
mW
-
3.5
25
mW
功耗
模拟电流
LVDS 模式
(350mV)
数字电流
LVDS 模式
(350mV)
模拟功耗
LVDS 模式
(350mV)
数字功耗
LVDS 模式
(350mV)
休眠功耗
LVDS 模式
(350mV)
数字特性
逻辑输入高电平
—
1.5
-
—
V
逻辑输入低电平
—
—
-
0.3
V
输入高电平电流
—
-15
-
15
uA
输入低电平电流
—
-2
-
2
uA
LVDS 模式
200
350
500
mV
LVDS 差分
输出电压
5
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(350mV)
LVDS 共模
LVDS 模式
输出电压
0.8
1.05
1.3
V
0.6
0.8
1.2
ns
0.35
0.6
-
ns
0.75
1.1
-
ns
(350mV)
时间参数
孔径延迟
数据建立时间
LVDS 模式
(350mV)
数据保持时间
LVDS 模式
(350mV)
图 1.5
性能参数表
主要特性曲线图(电特性测试图)
1、DNL、INL 测试结果
测试条件:
采样率:fCLK=250MHz;
输入信号频率 fIN=10MHz;
测试结果:
DNL: +0.8/-0.75
LSB
INL: +4.1/-3.8 LSB
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图 1.6
DNL、INL 测试结果
2、动态参数测试结果
测试条件:
采样率:fCLK=250MHz;
输入信号频率 fIN=10MHz;
测试结果:
SFDR=78dB;
HD2,3nd = 78dB;
HD4nd = 83dB;
SNR = 68.6dB;
7
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图 1.7
动态指标测试结果
动态性能 VS 输入信号频率
76
75
SNR(dB)
74
73
72
71
70
69
68
67
66
10
30
70
100
170
输入信号频率(MHz)
8
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动态性能 VS 输入信号频率
90
88
SFDR(dB)
86
84
82
80
78
76
10
30
70
100
170
输入信号频率(MHz)
图 1.8
动态指标随频率变化
典型应用线路图
1 概述
高速高精度 14 位 A/D 转换器是采用 CMOS 工艺制造的半导体集成电路。该产品具有
采样率高、线性误差小、失调增益校正和 SPI 接口控制等特点。通过 SPI 接口可对内部电路
的工作状态、输入失调和满度输入范围进行配置;模拟输入为差分输入,既可交流耦合输入
也可直流耦合输入;时钟输入电路内部设有直流偏置,必须交流耦合输入。
2 模拟输入
模拟输入包含一个差分的基于开关电容的采样保持结构,如图 1.9 所示。差分结构在高
频输入时有更好的 AC 特性。差分输入 INP 和 INM 的共模电压为 0.95V,由片内引脚 VCM
提供。差分的最大输入摆幅为 2VPP。
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采样开关
RCR滤波器
采样电容
差分
输入
采样电容
采样开关
图 1.9
模拟输入等效电路
3 驱动电路
图 2.0(a)和图 2.0(b)展示了驱动电路的两种配置情况:一个是从低带宽方面进行
优化的,另一个则是从高带宽(以支持高输入频率)方面进行优化的。
图 2.0(a) 低频模拟输入驱动电路
图 2.0(b) 高频模拟输入驱动电路
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图 2.1 1:4 的变压器驱动电路
在各种情形下,为获得需要的动态性能,需要有带通或者低通的滤波器辅助,如图 12
所示。这样的一个滤波器在高频时有较低的源阻抗,有利于吸收采用尖峰,同时又不会造成
性能的衰减。
4 时钟输入
产品的输入时钟可以差分(正弦、LVPECL 或者 LVDS)也可以单端(LVCMOS)驱动。
当用正弦时钟信号时,驱动电路可以采用变压器耦合的;当用 LVPECL 或者 LVDS 的时钟信
号源时,驱动电路可以采用交流耦合的。输入时钟的等效电路如图 2.2 所示。
图 2.2
输入时钟等效电路
单端的时钟驱动电路如图 2.3 所示。差分的时钟驱动电路如图 2.4 所示。
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时钟
输入
差分
时钟
输入
图 2.3
单端时钟驱动电路
图 2.4
差分时钟驱动电路
5 数字功能
器件默认处于低延迟模式,该模式下没有开启任何数字功能。配置“低延迟模式”寄存
器为“1”
,可以开启的数字功能包含增益校正、失调校正以及测试模式,如图 2.5 所示。
图 2.5 差分时钟驱动电路
注意事项
1.产品安装注意事项:
1) 要求应用对象电路板有一个完整干净的地。
2) 要求应用对象为多层布线板且内含独立的地层。
3) 要求应用对象电路板的数字地和模拟地尽量分离,不要将数字线布于模
拟线旁边或于 ADC 底下。
4) AVDD,DRVDD 和 VCM 要接高质量的陶瓷旁路电容,且旁路电容要尽
量靠近管脚,连接管脚和旁路电容的连线越短越宽越好。
2.产品使用注意事项:
1) 差分输入应尽量靠近且相互平行。
2) 输入连线应尽量短以最小化寄生电容和噪声引入。
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3) 为了更好的散热并获得更好的电性能,芯片的底板应焊接到 PCB 板的一
个大的地端,从而最大限度发挥封装的热性能。
4) 很重要的是,芯片的地应该通过尽量多的渠道和足够多的面积与 PCB 板
的地层相连。
3.产品防护注意事项:
1) 静电电荷很容易在人体和测试设备上累积,并可能在没有察觉的情况下
放电。尽管本产品具有专用 ESD 保护电路,但在遇到高能量静电放电时,
可能会发生永久性器件损坏。因此,建议采取适当的 ESD 防范措施,以
避免器件性能下降或功能丧失。
2) 超出绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这只是额定最值,不表
示在这些条件下或者在任何其它超出本产品手册中所示的条件下,器件
能够正常工作。长期在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
常见故障及处理办法
1. 无信号输出:检查电源电压、输入信号、时钟是否正确加载。
2. 出现溢出信号:检查基准是否正常工作,输入信号幅度是否正确。
3. 器件工作不稳定:检查电源,保证电源电压稳定。
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