物料型号：AO3401
器件简介：
AO3401是一款采用先进沟槽技术的P沟道30V（D-S）MOSFET，具有出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适合用作负载开关或PWM（脉冲宽度调制）应用。
引脚分配：
- D（漏极）
- G（栅极）
- S（源极）
参数特性：
- 绝对最大额定值包括：漏源电压（VDS）-30V，栅源电压（VGS）±12V，连续漏电流（ID）-4.2A，脉冲漏电流（IDM）-30A，最大功耗（PD）1.2W，结温和存储温度范围（TJ,TSTG）-55至150℃。
- 热特性：结到环境的热阻（RθJA）104℃/W。
- 电气特性包括关闭特性、开启特性、动态特性和开关特性等。
功能详解：
- 关闭特性：漏源击穿电压（BVDSS）在VGS=0V，ID=-250μA条件下，最小值为-30V。
- 开启特性：栅极阈值电压（VGS(th)）在VDS=VGS，ID=-250μA条件下，范围为-0.7至-1.3V。
- 动态特性：输入电容（Ciss）950pF，输出电容（Coss）115pF，反向传输电容（Crss）75pF。
- 开关特性：开通延迟时间（td(on)）7ns，开通上升时间（tr）3ns，关断延迟时间（td(off)）30ns，关断下降时间（tf）12ns。
- 总栅极电荷（Qg）9.5nC，栅极-源极电荷（Qgs）2nC，栅极-漏极电荷（Qgd）3nC。
应用信息：
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
封装信息：
- 表面安装封装，SOT-23。
