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创作活动
1SS400WT

1SS400WT

  • 厂商:

    CBI(创基)

  • 封装:

    SOD523(SC-79)

  • 描述:

    硅外延平面开关二极管 用于高速开关应用

  • 详情介绍
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  • 价格&库存
1SS400WT 数据手册
PINNING 1SS400WT PIN Silicon Epitaxial Planar Switching Diode for high speed switching application Features DESCRIPTION 1 Cathode 2 Anode 2 1 • Extremely small surface mounting type A • High reliability Top View Marking Code: "A" Simplified outline SOD-523 and symbol Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 OC) Parameter Symbol Value Unit Peak Reverse Voltage VRM 90 V Reverse Voltage VR 80 V IF(AV) 100 mA Peak Forward Current IFM 225 mA Non-repetitive Peak Forward Surge Current (at t = 1 s) IFSM 500 mA Tj 150 O C Tstg - 55 to + 150 O C Symbol Max. Unit Forward Voltage at IF = 100 mA VF 1.2 V Reverse Current at VR = 80 V IR 0.1 µA Capacitance Between Terminals at VR = 0.5 V, f = 1 MHz CT 3 pF Reverse Recovery Time at VR = 6 V, IF = 10 mA, RL = 100 Ω trr 4 ns Average Rectified Forward Current Junction Temperature Storage Temperature Range Characteristics at Ta = 25 OC Parameter 1 of 3 3/28/2012 1SS400WT 2 of 3 3/28/2012 1SS400WT PACKAGE OUTLINE Plastic surface mounted package; 2 leads 3 of 3 SOD-523 UNIT A bp C D E HE V ∠ mm 0.70 0.60 0.4 0.3 0.135 0.100 1.25 1.15 0.85 0.75 1.7 1.5 0.1 5 O 3/28/2012
1SS400WT
物料型号:1SS400WT

器件简介:该二极管是用于高速开关应用的硅外延平面开关二极管,具有极小的表面安装类型和高可靠性。

引脚分配: - 引脚1:阴极(Cathode) - 引脚2:阳极(Anode)

参数特性: - 峰值反向电压(VRM):90V - 反向电压(VR):80V - 平均整流正向电流(IF(AV)):100mA - 峰值正向电流(IFM):225mA - 非重复峰值正向浪涌电流(IFSM,1秒):500mA - 结温(T):150℃ - 存储温度范围(Tstg):-55至+150℃

功能详解: - 正向电压在IF=100mA时(VF):1.2V - 反向电流在VR=80V时(IR):0.1A - 在VR=0.5V,频率为1MHz时的极间电容(Cr):3pF - 在VR=6V,IF=10mA,RL=100Ω时的反向恢复时间(tr):4ns

应用信息:文档中没有直接提供应用信息,但根据参数特性,该二极管适用于需要高速开关和高可靠性的电路。

封装信息: - 封装类型:塑料表面贴装封装 - 引脚数:2 - 封装型号:SOD-523
1SS400WT 价格&库存

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1SS400WT
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  • 3000+0.03220

库存:0

1SS400WT
    •  国内价格
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    • 500+0.04504
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    • 6000+0.03040
    • 24000+0.02670
    • 51000+0.02476

    库存:2259