BAW56

BAW56/BAV70/BAV99 SILICON PLANAR HIGH SPEED SWITCHING DIODES 特点/Features： 速度快； 用途/Applications： 高速开关电路。 SOT-23 nd uc to r 电路和印章/Circuit&Marking: co 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数／Ｐａｒａｍｅｔｅｒ 符号／　Ｓｙｍｂｏｌ 数值／Ｖａｌｕｅ 单位／Ｕｎｉｔ ７０ Ｖ ＩＦ ２００ ｍＡ ＩＦＭ（ｓｕｒｇｅ） ５００ ｍＡ ＰＤ ０．２２５ Ｗ ＲθＪＡ ５５６ ℃／Ｗ 结温／Ｊｕｎｃｔｉｏｎ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｔｊ １５０ ℃ 储存温度／Ｓｔｏｒａｇｅ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｔｓｔｇ Se 正向电流／Ｆｏｒｗａｒｄ　Ｃｕｒｒｅｎｔ mi ＶＲ 反向电压／Ｒｅｖｅｒｓｅ Ｖｏｌｔａｇｅ 正向瞬间峰值电流／Ｐｅａｋ　Ｆｏｒｗａｒｄ　Ｓｕｒｇｅ　Ｃｕｒｒｅｎｔ 功率／　Ｐｏｗｅｒ　Ｄｉｓｓｉｐａｔｉｏｎ CR O 热阻／Ｔｈｅｒｍａｌ　Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ　Ｊｕｎｃｔｉｏｎ　ｔｏ　Ａｍｂｉｅｎｔ　Ａｉｒ －５５～１５０ ℃ JS MI 电性能参数/Electrical characteristics (Ta=25℃) 参数／Ｐａｒａｍｅｔｅｒ 符号 测试条件 最小值 反向击穿电压／Ｒｅｖｅｒｓｅ　Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ　Ｖｏｌｔａｇｅ ＶＲ ＩＲ＝１００μＡ ７０ ＶＦ１ ＩＦ＝１ｍＡ ０．７１５ Ｖ ＶＦ２ ＩＦ＝１０ｍＡ ０．８５５ Ｖ ＶＦ３ ＩＦ＝５０ｍＡ １ μＡ ＶＦ４ ＩＦ＝１５０ｍＡ １．２５ μＡ 反向漏电流／Ｒｅｖｅｒｓｅ　Ｃｕｒｒｅｎｔ ＩＲ ＶＲ＝７０Ｖ ２．５ μＡ 端电容／Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ　Ｂｅｔｗｅｅｎ　Ｔｅｒｍｉｎａｌｓ ＣＴ ＶＲ＝０，ｆ＝１ＭＨｚ １．５ ｐＦ ６ ｎＳ 正向电压／Ｆｏｒｗａｒｄ　Ｖｏｌｔａｇｅ 最大值 单位 Ｖ ＩＦ＝ＩＲ＝１０ｍＡ， 反向恢复时间／Ｒｅｖｅｒｓｅ　Ｒｅｃｏｖｅｒｙ　Ｔｉｍｅ ｔｒｒ Ｉｒｒ＝０．１хＩＲ， ＲＬ＝１００Ω www.jsmsemi.com 第１页，共３页 BAW56/BAV70/BAV99 SILICON PLANAR HIGH SPEED SWITCHING DIODES JS MI CR O Se mi co nd uc to r 典型特性曲线图／Ｔｙｐｉｃａｌ　Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ www.jsmsemi.com 第２页，共３页 BAW56/BAV70/BAV99 SILICON PLANAR HIGH SPEED SWITCHING DIODES 封装尺寸／ＰＡＣＫＡＧＥ　ＯＵＴＬＩＮＥ　 Plastic surface mounted package SOT-23 SOT-23 A Min Max A 2.70 3.10 B 1.10 1.50 C 0.9 1.1 0.3 0.5 0.35 0.48 1.80 2.00 H 0.02 0.1 J 0.05 0.15 K 2.20 2.60 E K B D E J D uc G to r Dim nd G H C ＳＯＬＤＥＲＩＮＧ　ＦＯＯＴＰＲＩＮＴ　 0.95 CR O Se 0.95 mi co All Dimensions in mm JS MI 2.00 0.90 0.80 Unit : mm www.jsmsemi.com 第３页，共３页