AO2301A

AO2301A P-Channel 20-V (D-S) MOSFET 特点/Features： 1、 开关速度快； 2、 导通电阻低； 用途/Applications： 用于一般开关和低压电源电路。 uc to r 印章/MARKING:A1SHB 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 符号/ Symbol 数值/Value 单位/Unit 漏极-源极电压/Drain-Source Voltage VDS -20 V VGS ±8 V ID -2.3 A 漏极电流（脉冲）/Pulsed Drain Current IDM -10 A 耗散功率/Power Dissipation PD 0.35 W 热阻/ Thermal Resistance Junction to Ambient RθJA 350 ℃/mW 结温/Junction Temperature Tj 150 ℃ 储存温度/Storage Temperature Tstg -55～150 ℃ co 栅极-源极电压/Gate-Source Voltage nd 参数/Parameter JS MI CR O Se mi 漏极电流（持续）/Continuous Drain Current www.jsmsemi.com 第１页，共３页 AO2301A P-Channel 20-V (D-S) MOSFET 电性能参数/Electrical characteristics (Ta=25℃) 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 静态/Static Characteristics 源极-漏极击穿电压 VBR(DSS) VGS=OV,ID=-250μA -20 栅极开启电压 VGS(th) ID=-250μA, VGS=VDS 0.4 栅极漏电流 IGSS 零栅压漏极电流 IDSS 漏极源极导通电阻 RDS(ON) 正向跨导 gfs V VGS=±8V,VDS=0V ±100 nA VGS=0V, VDS=-20V -1 µA VGS=-4.5V,ID=-2.8A VDS=-5V,ID=-2.8A Coss 反向传输电容 Crss nd 输出电容 VDS=-10V,VGS=0V,f=1MHz 栅极-源极充电电荷 QGS 栅极-漏极充电电荷 QGD 开启延时 tD(on) 上升时间 tR VDS=-6V,VGS=-4.5V, 关闭延时 tD(off) 下降延时 Tf ID=-2.8A Se QG CR O 总栅极充电电荷 mi 开关参数/Switching Characteristics 0.090 0.112 0.110 0.142 6.5 uc VGS=-2.5V,ID=-2A co Ciss to r -1 动态/Dynamic Characteristics 输入电容 V VDD=-10V,ID=-1A, VGEN=-4.5V,RG=1Ω, RL=10Ω Ω S 405 75 pF 55 5.4 10 nC 0.8 nC 1.1 nC 11 20 ns 35 60 ns 30 50 10 20 JS MI 漏极-源极二极管参数/Drain-source Body Diode Characteristics 源极-漏极二极管电流 IS 二极管正向脉冲电流 ISM 二极管正向压降 VSD Tc=25℃ IS=-0.7A -0.8 -1.3 A -10 A -1.2 V 注：① 脉冲测试脉冲宽度≤300µS,占空比≤2%； www.jsmsemi.com 第２页，共３页 AO2301A P-Channel 20-V (D-S) MOSFET 封装尺寸／ＰＡＣＫＡＧＥ　ＯＵＴＬＩＮＥ　 Plastic surface mounted package SOT-23 SOT-23 A Min Max A 2.70 3.10 B 1.10 1.50 C 0.9 1.1 0.3 0.5 0.35 0.48 1.80 2.00 H 0.02 0.1 J 0.05 0.15 K 2.20 2.60 E K B D E J D uc G to r Dim nd G H C ＳＯＬＤＥＲＩＮＧ　ＦＯＯＴＰＲＩＮＴ　 0.95 CR O Se 0.95 mi co All Dimensions in mm JS MI 2.00 0.90 0.80 Unit : mm www.jsmsemi.com 第３页，共３页