UDZS15B RRG

厂商：
TAIWANSEMICONDUCTOR(台半)
封装：
SOD323
描述：
台半 SOD-323 Zzk： 190Ω Pd: 200mW Izk: 1mA

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UDZS3V6B - UDZS36B Taiwan Semiconductor 200mW, 2% Tolerance Zener Diodes FEATURES KEY PARAMETERS ● ● ● ● Wide zener voltage range selection: 3.6V to 36V VZ tolerance selection of ± 2% Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 Compliant to RoHS directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC ● Halogen-free according to IEC 61249-2-21 PARAMETER VALUE UNIT VZ 3.6-36 V PD 200 mW TJ Max. 150 °C APPLICATIONS Package SOD-323F Configuration Single die ● Constant voltage control MECHANICAL DATA ● ● ● ● ● Case: SOD-323F Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating Terminal: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002 Polarity: Indicated by cathode band Weight: 4.594 mg (approximately) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) PARAMETER Power dissipation SYMBOL VALUE UNIT PD 200 mW Junction temperature range TJ -55 to +150 °C Storage temperature range TSTG -55 to +150 °C 1 Version: G1804 UDZS3V6B - UDZS36B Taiwan Semiconductor ELECTRICAL SPECIFICATIONS (TA = 25°C unless otherwise noted) ZENER VOLTAGE TEST TEST LEAKAGE CURRENT CURRENT ZZK @ IZK IZK IR @ V R mA REGULAR IMPEDANCE CURRENT PART MARKING NUMBER CODE VZ @ IZT IZT V mA Min. Nom. Max. ZZT @ IZT Ω Ω Max. Max. µA V Max. UDZS3V6B D0 3.60 3.60 3.85 5 90 600 1.0 4.50 1 UDZS3V9B D1 3.89 3.90 4.16 5 90 600 1.0 2.70 1 UDZS4V3B D2 4.17 4.30 4.43 5 90 600 1.0 2.70 1 UDZS4V7B D3 4.55 4.70 4.75 5 80 500 1.0 2.70 1 UDZS5V1B D4 4.98 5.10 5.20 5 60 500 1.0 1.80 2 UDZS5V6B D5 5.49 5.60 5.73 5 40 300 1.0 0.90 3 UDZS6V2B D6 6.06 6.20 6.33 5 40 150 1.0 2.70 3 UDZS6V8B D7 6.65 6.80 6.93 5 30 75 1.0 1.80 4 UDZS7V5B D8 7.28 7.50 7.60 5 30 75 1.0 0.90 4 UDZS8V2B D9 8.02 8.20 8.36 5 30 75 1.0 0.63 5 UDZS9V1B DA 8.85 9.10 9.23 5 30 90 1.0 0.45 6 UDZS10B DB 9.77 10.00 10.21 5 20 150 1.0 0.18 7 UDZS11B DC 10.76 11.00 11.22 5 20 150 1.0 0.09 8 UDZS12B DE 11.74 12.00 12.24 5 20 150 1.0 0.09 9 UDZS13B DF 12.91 13.00 13.49 5 40 160 1.0 0.045 10 UDZS15B DG 14.34 15.00 14.98 5 40 190 1.0 0.045 11 UDZS16B DH 15.85 16.00 16.51 5 40 190 1.0 0.045 12 UDZS18B DJ 17.56 18.00 18.35 5 50 220 1.0 0.045 13 UDZS20B DK 19.52 20.00 20.39 5 60 220 1.0 0.045 15 UDZS22B DL 21.54 22.00 22.47 5 80 240 1.0 0.045 17 UDZS24B DM 23.72 24.00 24.78 5 80 240 1.0 0.045 19 UDZS27B DN 26.19 27.00 27.53 5 100 300 0.5 0.045 21 UDZS30B DP 29.19 30.00 30.69 5 100 300 0.5 0.045 23 UDZS33B DR 32.15 33.00 33.79 5 100 310 0.5 0.045 25 UDZS36B DS 35.07 36.00 36.87 5 100 330 0.5 0.045 27 Notes: 1. The zener voltage (VZ) is tested under pulse condition of 30ms 2. For detailed information on price, availability and delivery of nominal zener voltages between the voltages shown and tighter voltage tolerances 3. The zener impedance is derived from the 60-cycle ac voltage, which results when an ac current having an ms value equal to 10% of the DC zener current (IZT or IZK) is superimpossed to IZT or IZK 2 Version: G1804 UDZS3V6B - UDZS36B Taiwan Semiconductor ORDERING INFORMATION PART NO. (Note 1) PACKAGE PACKING UDZSxxxB RRG SOD-323F 3K / 7" Reel UDZSxxxB RR SOD-323F 3K / 7" Reel UDZSxxxB R9G SOD-323F 10K / 13" Reel UDZSxxxB R9 SOD-323F 10K / 13" Reel Note: 1. "xxx" defines voltage from 3.6V (UDZS3V6B) to 36V (UDZS36B) 3 Version: G1804 UDZS3V6B - UDZS36B Taiwan Semiconductor CHARACTERISTICS CURVES (TA = 25°C unless otherwise noted) 36 33 30 27 24 22 20 18 16 100 15 5.6 6.2 6.8 7.5 8.2 9.1 10 11 12 13 Fig.1 VZ - IZ Characteristics 10 4.7 Zener Current, IZ (mA) 1 5.1 0.1 0.01 0.001 0.0001 0 5 10 15 20 25 30 35 40 Zener Voltage, VZ (V) Fig.2 Derating Curve Fig.3 Zener Voltage-Temp. Coefficient Characteristics Temp. Coefficient Characteristics(%/℃) Power Dissipation : PD (mW) 250 200 150 100 50 0.10 0.08 Iz=5mA 0.06 Iz=0.5mA 0.04 0.02 0.00 -0.02 -0.04 -0.06 -0.08 0 0 25 50 75 100 125 0 150 4 8 12 16 20 24 28 32 36 40 o Ambient Temperature ( C) Zener Voltage (V) 4 Version: G1804 UDZS3V6B - UDZS36B Taiwan Semiconductor PACKAGE OUTLINE DIMENSION SOD-323F DIM. Unit (mm) Unit (inch) Min Max Min Max A 1.15 1.35 0.045 0.053 B 2.30 2.80 0.091 0.110 C 0.25 0.40 0.010 0.016 D 1.60 1.80 0.063 0.071 E 0.80 1.10 0.031 0.043 F 0.05 0.25 0.002 0.010 SUGGEST PAD LAYOUT DIM. 5 Unit (mm) Unit (inch) Typ. Typ. A 0.63 0.025 B 0.83 0.033 C 1.60 0.063 D 2.86 0.113 Version: G1804 UDZS3V6B - UDZS36B Taiwan Semiconductor Notice Specifications of the products displayed herein are subject to change without notice. TSC or anyone on its behalf, assumes no responsibility or liability for any errors or inaccuracies. Information contained herein is intended to provide a product description only. No license, express or implied, to any intellectual property rights is granted by this document. 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UDZS15B RRG

物料型号：UDZS3V6B - UDZS36B，由台湾半导体公司生产。

器件简介：这些是200毫瓦，2%容差稳压二极管，具有以下特点： - 宽范围的稳压电压选择：3.6V至36V。 - 稳压电压容差选择为±2%。 - 符合J-STD-020标准的1级湿度敏感度。 - 符合2011/65/EU的RoHS指令和2002/96/EC的WEEE指令。 - 根据IEC 61249-2-21，无卤素。

引脚分配：文档中未明确提供引脚分配信息，但通常稳压二极管有一个阳极和一个阴极。

参数特性： - 稳压电压（Vz）：3.6V至36V。 - 最大功耗（Po）：200毫瓦。 - 最高结温（T Max.）：150°C。 - 封装类型：SOD-323F。 - 配置：单片。

功能详解：文档中未提供详细的功能解释，但稳压二极管通常用于维持稳定的电压水平。

应用信息：适用于恒定电压控制。

封装信息： - 封装类型：SOD-323F。 - 封装符合UL 94 V-0可燃性等级。 - 端子：镀锡的哑光引线，符合J-STD-002的可焊性。 - 极性：通过阴极带表示。 - 重量：大约4.594毫克。

绝对最大额定值： - 功耗：200毫瓦。 - 结温范围：-55°C至+150°C。 - 储存温度范围：-55°C至+150°C。

电气规格：文档提供了不同型号稳压二极管的电气特性，包括稳压电压、测试电流、正向阻抗、漏电流等。

订购信息：提供了不同封装和包装选项的订购信息。

特性曲线：文档包含了稳压二极管的特性曲线，包括稳压电压与电流的关系、功率耗散随环境温度的变化曲线以及稳压电压的温度系数特性。

封装外形尺寸：提供了SOD-323F封装的详细尺寸信息。

建议的焊盘布局：提供了焊盘布局的典型尺寸信息。

UDZS15B RRG 价格&库存