AIP74HC573TA.TB

无锡中微爱芯电子有限公司 Wuxi I-CORE Electronics Co., Ltd. 版次：B3 编号：AiP74HC/HCT573-AX-LJ-A024 表 835-11 e AiP74HC/HCT573 or 带三态控制的8位D型锁存器 i-c 产品说明书 说明书发行履历： 版本 发行时间 2020-10-A1 2020-10 新制/修订内容 新制 江苏省无锡市滨湖区建筑西路 777 号无锡国家集成电路设计中心 B4 楼 http://www.i-core. cn 邮编：214072 第 1 页 共 18 页 版本：2020-10-A1 无锡中微爱芯电子有限公司 Wuxi I-CORE Electronics Co., Ltd. 版次：B3 编号：AiP74HC/HCT573-AX-LJ-A024 表 835-11 1、概 述 AiP74HC/HCT573是一个带三态输出的8位D型锁存器。该器件具有锁存使能（LE）和输出使能 — （OE）。当LE为高电平时，输入端的数据进入锁存器中。在这种情况下，锁存器是透明的，每次其 相应的D输入更改时，锁存器输出都会更改。当LE为低电平时，锁存器存储LE下降沿前一个建立时间 — — 的输入端信息。OE上的高电平使输出呈现高阻态。OE输入的运行不会影响锁存器的状态。输入内置 钳位二极管。这样就可以使用限流电阻将输入接口连接到超过VCC的电压。 其主要特点如下： ● 输入电平： AiP74HC573：CMOS电平 AiP74HCT573：TTL电平 e ● 输入和输出位于封装体的相对侧，便于与微处理器连接 ● 可用作微处理器和微处理器计算机的输入和输出端口 ● 面向总线应用的三态同相输出 ● 公共三态使能输入 or ● 工作环境温度范围：-40℃～+85℃ i-c ● 封装形式：DIP20/SOP20/TSSOP20 江苏省无锡市滨湖区建筑西路 777 号无锡国家集成电路设计中心 B4 楼 http://www.i-core. cn 邮编：214072 第 2 页 共 18 页 版本：2020-10-A1 无锡中微爱芯电子有限公司 表 835-11 Wuxi I-CORE Electronics Co., Ltd. 版次：B3 编号：AiP74HC/HCT573-AX-LJ-A024 订购信息： 管装： 封装形式 打印标识 管装数 盒装管 盒装数 箱装盒 箱装数 AiP74HC573DA.TB DIP20 74HC573 18 PCS/管 40 管/盒 720 PCS/盒 10 盒/箱 7200 PCS/箱 AiP74HCT573DA.TB DIP20 74HCT573 18 PCS/管 40 管/盒 720 PCS/盒 10 盒/箱 7200 PCS/箱 AiP74HC573SA.TB SOP20 74HC573 35 PCS/管 80 管/盒 2800 PCS/盒 10 盒/箱 28000 PCS/箱 AiP74HCT573SA.TB SOP20 74HCT573 35 PCS/管 80 管/盒 2800 PCS/盒 10 盒/箱 28000 PCS/箱 or AiP74HC573TA.TB TSSOP20 74HC573 70 PCS/管 200 管/盒 14000 PCS/盒 10 盒/箱 140000 PCS/箱 AiP74HCT573TA.TB TSSOP20 74HCT573 70 PCS/管 200 管/盒 14000 PCS/盒 10 盒/箱 140000 PCS/箱 i-c 编带： 备注说明 塑封体尺寸： 26.3mm× 6.4mm 引脚间距： 2.54mm 塑封体尺寸： 26.3mm× 6.4mm 引脚间距： 2.54mm 塑封体尺寸： 12.8mm×7.5mm 引脚间距： 1.27mm 塑封体尺寸： 12.8mm×7.5mm 引脚间距： 1.27mm 塑封体尺寸： 6.5mm×4.4mm 引脚间距： 0.65mm 塑封体尺寸： 6.5mm×4.4mm 引脚间距： 0.65mm e 产品型号 产品型号 封装形式 打印标识 编带盘装数 编带盒装数 箱装数 AiP74HC573SA.TR SOP20 74HC573 1000PCS/盘 1000PCS/盒 8000PCS/箱 AiP74HCT573SA.TR SOP20 74HCT573 1000PCS/盘 1000PCS/盒 8000PCS/箱 AiP74HC573TA.TR TSSOP20 74HC573 2500PCS/盘 5000PCS/盒 40000PCS/箱 AiP74HCT573TA.TR TSSOP20 74HCT573 2500PCS/盘 5000PCS/盒 40000PCS/箱 备注说明 塑封体尺寸： 12.8mm×7.5mm 引脚间距：1.27mm 塑封体尺寸： 12.8mm×7.5mm 引脚间距：1.27mm 塑封体尺寸： 6.5mm×4.4mm 引脚间距：0.65mm 塑封体尺寸： 6.5mm×4.4mm 引脚间距：0.65mm 注：如实物与订购信息不一致，请以实物为准。 江苏省无锡市滨湖区建筑西路 777 号无锡国家集成电路设计中心 B4 楼 http://www.i-core. cn 邮编：214072 第 3 页 共 18 页 版本：2020-10-A1 无锡中微爱芯电子有限公司 Wuxi I-CORE Electronics Co., Ltd. 版次：B3 编号：AiP74HC/HCT573-AX-LJ-A024 表 835-11 2、功能框图及引脚说明 2.1、功能框图 1 2 3 4 5 6 7 8 9 OE D0 Q0 D1 Q1 D2 Q2 D3 Q3 D4 Q4 D5 Q5 D6 Q6 D7 Q7 19 18 17 16 15 14 13 12 e LE 11 图 1 逻辑符号 or 11 1 2 C1 EN1 19 1D 18 4 17 5 16 6 15 7 14 8 13 9 12 i-c 3 图 2 IEC 逻辑符号 2 3 4 5 6 7 8 9 D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 LATCH 1 TO 8 Q0 Q1 Q2 Q3 3-STATE Q4 OUTPUTS Q5 Q6 Q7 19 18 17 16 15 14 13 12 11 LE 1 OE 图 3 功能框图 江苏省无锡市滨湖区建筑西路 777 号无锡国家集成电路设计中心 B4 楼 http://www.i-core. cn 邮编：214072 第 4 页 共 18 页 版本：2020-10-A1 无锡中微爱芯电子有限公司 Wuxi I-CORE Electronics Co., Ltd. 版次：B3 编号：AiP74HC/HCT573-AX-LJ-A024 表 835-11 D0 D2 D1 D Q D D3 D Q Q D4 D Q D5 D Q D6 D Q D7 D Q D Q LATCH 1 LATCH 2 LATCH 3 LATCH 4 LATCH 5 LATCH 6 LATCH 7 LATCH 8 LE LE LE LE LE LE LE LE LE OE Q2 Q1 Q3 Q4 Q5 Q6 图 4 逻辑框图 2.2、引脚排列图 20 VCC or OE 1 2 19 Q0 D1 3 18 Q1 D2 4 17 Q2 D3 5 16 Q3 D4 6 15 Q4 D5 7 14 Q5 D6 8 13 Q6 D7 9 12 Q7 GND 10 11 LE i-c D0 2.3、引脚说明 引脚 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 符 号 — OE D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 GND LE Q7 Q6 Q5 Q7 e Q0 功 能 三态输出使能输入（低电平有效） 数据输入 数据输入 数据输入 数据输入 数据输入 数据输入 数据输入 数据输入 地（0V） 锁存使能输入（高电平有效） 三态锁存输出 三态锁存输出 三态锁存输出 江苏省无锡市滨湖区建筑西路 777 号无锡国家集成电路设计中心 B4 楼 http://www.i-core. cn 邮编：214072 第 5 页 共 18 页 版本：2020-10-A1 无锡中微爱芯电子有限公司 Wuxi I-CORE Electronics Co., Ltd. 版次：B3 编号：AiP74HC/HCT573-AX-LJ-A024 表 835-11 15 16 17 18 19 20 三态锁存输出 三态锁存输出 三态锁存输出 三态锁存输出 三态锁存输出 电源电压 Q4 Q3 Q2 Q1 Q0 VCC 2.4、功能表 控制 工作模式 — LE 使能和读取寄存器 （透明模式） L H 锁存和读取寄存器 L 锁存寄存器和失能输出 H L H L H L H 输出 Qn L H L H Z Z L L or 注： 内部锁存 e OE 输入 Dn L H l h l h H=高电平；L=低电平；Z=高阻态；X=无关； h=LE下降沿前一个建立时间的高电平电压； l= LE下降沿前一个建立时间的低电平电压。 3、电特性 3.1、极限参数 i-c 除非另有规定，Tamb=25℃，GND=0V 参 数 名 称 电源电压 输入钳位电流 输出钳位电流 输出电流 电源电流 地电流 贮存温度 总功耗 符 号 VCC IIK IOK IO ICC IGND Tstg Ptot 焊接温度 TL 条 件 — VIVCC+0.5V VOVCC+0.5V VO=-0.5V～(VCC+0.5V) — — — — DIP 10 秒 SOP 最小 -0.5 — — — — -70 -65 — 最大 +7.0 ±20 ±20 ±35 +70 — +150 500 245 250 单 位 V mA mA mA mA mA ℃ mW ℃ ℃ 注： [1] DIP20 封装：高于 70℃，Ptot 的值以 12mW/K 线性降低。 [2] SOP20 封装：高于 70℃，Ptot 的值以 8mW/K 线性降低。 [3] (T)SSOP20 封装：高于 60℃，Ptot 的值以 5.5mW/K 线性降低。 江苏省无锡市滨湖区建筑西路 777 号无锡国家集成电路设计中心 B4 楼 http://www.i-core. cn 邮编：214072 第 6 页 共 18 页 版本：2020-10-A1 无锡中微爱芯电子有限公司 Wuxi I-CORE Electronics Co., Ltd. 版次：B3 编号：AiP74HC/HCT573-AX-LJ-A024 表 835-11 3.2、推荐使用条件 电源电压 输入电压 输出电压 VCC VI VO 输入上升和下降 转换速率 Δt/ΔV 工作环境温度 Tamb 电源电压 输入电压 输出电压 VCC VI VO 输入上升和下降 转换速率 Δt/ΔV 条 件 AiP74HC573 — — — VCC=2.0V VCC=4.5V VCC=6.0V — AiP74HCT573 — — — VCC=2.0V VCC=4.5V VCC=6.0V — 最小 典型 最大 单 位 2.0 0 0 — — — -40 5.0 — — — 1.67 — — 6.0 VCC VCC 625 139 83 +85 V V V ns/V ns/V ns/V ℃ 4.5 0 0 — — — -40 5.0 — — — 1.67 — — 5.5 VCC VCC — 139 — +85 V V V ns/V ns/V ns/V ℃ 最小 典型 最大 单 位 1.5 3.15 4.2 — — — 1.9 4.4 5.9 3.98 5.48 — — — — — — 1.2 2.4 3.2 0.8 2.1 2.8 2.0 4.5 6.0 4.32 5.81 0 0 0 0.15 0.16 — — — — 0.5 1.35 1.8 — — — — — 0.1 0.1 0.1 0.26 0.26 ±0.1 V V V V V V V V V V V V V V V V uA — — ±0.5 uA — — 8.0 uA e 符 号 or 参 数 名 称 工作环境温度 Tamb 3.3、电气特性 3.3.1、直流参数 1 （除非另有规定，Tamb=25℃，GND=0V） 参 数 名 称 符 号 VIH 低电平输入 电压 VIL 高电平输出 电压 VOH 低电平输出 电压 VOL i-c 高电平输入 电压 测 试 条 件 AiP74HC573 VCC=2.0V VCC=4.5V VCC=6.0V VCC=2.0V VCC=4.5V VCC=6.0V IO=-20uA；VCC=2.0V IO=-20uA；VCC=4.5V VI=VIH或VIL IO=-20uA；VCC=6.0V IO=-6.0mA；VCC=4.5V IO=-7.8mA；VCC=6.0V IO=20uA；VCC=2.0V IO=20uA；VCC=4.5V VI=VIH或VIL IO=20uA；VCC=6.0V IO=6.0mA；VCC=4.5V IO=7.8mA；VCC=6.0V VI=VCC或GND；VCC=6.0V VI=VIH或VIL；VCC=6.0V； VO=VCC或GND VI=VCC或GND；IO=0A；VCC=6.0V 输入漏电流 截止状态输 出电流 静态电流 II IOZ ICC 江苏省无锡市滨湖区建筑西路 777 号无锡国家集成电路设计中心 B4 楼 http://www.i-core. cn 邮编：214072 第 7 页 共 18 页 版本：2020-10-A1 无锡中微爱芯电子有限公司 Wuxi I-CORE Electronics Co., Ltd. 版次：B3 编号：AiP74HC/HCT573-AX-LJ-A024 表 835-11 高电平输入 电压 低电平输入 电压 高电平输出 电压 低电平输出 电压 输入漏电流 截止状态输 出电流 静态电流 — 3.5 — pF VIH VCC=4.5V～5.5V 2.0 1.6 — V VIL VCC=4.5V～5.5V — 1.2 0.8 V 4.4 3.98 — — — 4.5 4.32 0 0.16 — — — 0.1 0.26 ±0.1 V V V V uA — — ±0.5 uA VOH VOL II IOZ ICC ΔICC VI=VIH或VIL； VCC=4.5V IO=-20uA IO=-6.0mA IO=20uA VI=VIH或VIL； VCC=4.5V IO=6.0mA VI=VCC或GND；VCC=5.5V VI=VIH或VIL；VCC=5.5V； VO=VCC或GND VI=VCC或GND；IO=0A；VCC=5.5V 每个输入引脚； 每个输入引脚； Dn输入 VI=VCC-2.1V；其他输 每个输入引脚； 入接在VCC或GND LE输入 上；VCC=4.5V～ 每个输入引脚； 5.5V；IO=0A — OE输入 — — — 8.0 uA — 35 126 uA — 65 234 uA — 125 450 uA — 3.5 — pF 最小 典型 最大 单 位 1.5 3.15 4.2 — — — 1.9 4.4 5.9 3.84 5.34 — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — 0.5 1.35 1.8 — — — — — 0.1 0.1 0.1 0.33 0.33 ±1.0 V V V V V V V V V V V V V V V V uA or 串通电流 — AiP74HCT573 CI e 输入电容 输入电容 CI 3.3.2、直流参数 2 （除非另有规定，Tamb=-40℃～+85℃，GND=0V） 符 号 测 试 条 件 AiP74HC573 VCC=2.0V VCC=4.5V VCC=6.0V VCC=2.0V VCC=4.5V VCC=6.0V IO=-20uA；VCC=2.0V IO=-20uA；VCC=4.5V VI=VIH或VIL IO=-20uA；VCC=6.0V IO=-6.0mA；VCC=4.5V IO=-7.8mA；VCC=6.0V IO=20uA；VCC=2.0V IO=20uA；VCC=4.5V VI=VIH或VIL IO=20uA；VCC=6.0V IO=6.0mA；VCC=4.5V IO=7.8mA；VCC=6.0V VI=VCC或GND；VCC=6.0V i-c 参 数 名 称 高电平输入 电压 VIH 低电平输入 电压 VIL 高电平输出 电压 VOH 低电平输出 电压 VOL 输入漏电流 II 江苏省无锡市滨湖区建筑西路 777 号无锡国家集成电路设计中心 B4 楼 http://www.i-core. cn 邮编：214072 第 8 页 共 18 页 版本：2020-10-A1 无锡中微爱芯电子有限公司 Wuxi I-CORE Electronics Co., Ltd. 版次：B3 编号：AiP74HC/HCT573-AX-LJ-A024 表 835-11 IOZ ICC CI 高电平输入 电压 低电平输入 电压 高电平输出 电压 低电平输出 电压 输入漏电流 截止状态输 出电流 静态电流 VI=VIH或VIL；VCC=6.0V； VO=VCC或GND VI=VCC或GND；IO=0A；VCC=6.0V — AiP74HCT573 — — ±5.0 uA — — — — 80 — uA pF VIH VCC=4.5V～5.5V 2.0 — — V VIL VCC=4.5V～5.5V — — 0.8 V 4.4 3.84 — — — — — — — — — — 0.1 0.33 ±1.0 V V V V uA — — ±5.0 uA — — 80 uA VOH VOL II IOZ IO=-20uA IO=-6.0mA IO=20uA VI=VIH或VIL； VCC=4.5V IO=6.0mA VI=VCC或GND；VCC=5.5V VI=VIH或VIL；VCC=5.5V； VO=VCC或GND VI=VCC或GND；IO=0A；VCC=5.5V 每个输入引脚； 每个输入引脚； Dn输入 VI=VCC-2.1V；其他输 每个输入引脚； 入接在VCC或GND LE输入 上；VCC=4.5V～ 每个输入引脚； 5.5V；IO=0A — OE输入 — or ICC VI=VIH或VIL； VCC=4.5V e 截止状态输 出电流 静态电流 输入电容 ΔICC 串通电流 输入电容 CI — — 158 uA — — 293 uA — — 563 uA — — — pF 最小 典型 最大 单 位 — — — — — — — — — — — — — — — 47 17 14 14 50 18 15 14 44 16 13 55 20 16 14 150 30 — 26 150 30 — 26 140 28 24 150 30 26 60 ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns i-c 3.3.3、交流参数 1 （除非另有规定，Tamb=25℃，GND=0V） 参 数 名 称 传输延时 符 号 tpd — OE到Qn的使 能时间 ten — OE到Qn的失 能时间 tdis 转换时间 tt 测 试 条 件 AiP74HC573 VCC=2.0V VCC=4.5V Dn到Qn； 见图6 VCC=5.0V；CL=15pF VCC=6.0V VCC=2.0V VCC=4.5V LE到Qn； 见图7 VCC=5.0V；CL=15pF VCC=6.0V VCC=2.0V VCC=4.5V 见图8 VCC=6.0V VCC=2.0V VCC=4.5V 见图8 VCC=6.0V VCC=2.0V Qn； 江苏省无锡市滨湖区建筑西路 777 号无锡国家集成电路设计中心 B4 楼 http://www.i-core. cn 邮编：214072 第 9 页 共 18 页 版本：2020-10-A1 无锡中微爱芯电子有限公司 Wuxi I-CORE Electronics Co., Ltd. 版次：B3 编号：AiP74HC/HCT573-AX-LJ-A024 表 835-11 见图6 tW 建立时间 tsu 保持时间 th 功耗电容 CPD 传输延时 5 4 14 5 4 11 4 3 3 1 1 26 12 10 — — — — — — — — — — — — — — 20 17 18 15 35 — 35 — or — tpd — — 80 16 14 50 10 9 5 5 5 — OE到Qn的使 能时间 — ns ns ns ns ten VCC=4.5V；见图8 — 17 30 ns tdis VCC=4.5V；见图8 — 18 30 ns tt tW Qn；VCC=4.5V；见图6 LE为高电平；VCC=4.5V；见图7 — 16 5 5 12 — ns ns tsu VCC=4.5V；见图9 13 7 — ns th VCC=4.5V；见图9 9 4 — ns CPD CL=50pF，f=1MHz；VI=GND～VCC-1.5V — 26 — pF i-c OE到Qn的失 能时间 转换时间 脉冲宽度 Dn到LE的建 立时间 Dn到LE的保 持时间 功耗电容 注： ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns pF e 脉冲宽度 VCC=4.5V VCC=6.0V VCC=2.0V LE为高电平； VCC=4.5V 见图7 VCC=6.0V VCC=2.0V Dn到LE； VCC=4.5V 见图9 VCC=6.0V VCC=2.0V Dn到LE； VCC=4.5V 见图9 VCC=6.0V CL=50pF，f=1MHz；VI=GND～VCC AiP74HCT573 VCC=4.5V Dn到Qn； 见图6 VCC=5.0V；CL=15pF VCC=4.5V LE到Qn； 见图7 VCC=5.0V；CL=15pF [1] tpd与tPLH和tPHL相同。 [2] ten与tPZH和tPZL相同。 [3] tdis与tPLZ和tPHZ相同。 [4] tt与tTHL和tTLH相同。 [5] CPD用于决定动态功率损耗（PD单位为uW） 。 PD=CPD×VCC2×fi×N+∑(CL×VCC2×fo)，其中： fi=输入频率（MHz） ； fo=输出频率（MHz） ； CL=输出负载电容（pF） ； VCC=电源电压（V） ； N=输入开关数； ∑(CL×VCC2×fo)=输出总和。 江苏省无锡市滨湖区建筑西路 777 号无锡国家集成电路设计中心 B4 楼 http://www.i-core. cn 邮编：214072 第 10 页 共 18 页 版本：2020-10-A1 无锡中微爱芯电子有限公司 Wuxi I-CORE Electronics Co., Ltd. 版次：B3 编号：AiP74HC/HCT573-AX-LJ-A024 表 835-11 3.3.4、交流参数 2 （除非另有规定，Tamb=-40℃～+85℃，GND=0V） 传输延时 符 号 测 试 条 件 AiP74HC573 VCC=2.0V VCC=4.5V Dn到Qn； 见图6 VCC=5.0V；CL=15pF VCC=6.0V VCC=2.0V VCC=4.5V LE到Qn； 见图7 VCC=5.0V；CL=15pF VCC=6.0V VCC=2.0V VCC=4.5V 见图8 VCC=6.0V VCC=2.0V VCC=4.5V 见图8 VCC=6.0V VCC=2.0V Qn； VCC=4.5V 见图6 VCC=6.0V VCC=2.0V LE为高电平； VCC=4.5V 见图7 VCC=6.0V VCC=2.0V Dn到LE； VCC=4.5V 见图9 VCC=6.0V VCC=2.0V Dn到LE； VCC=4.5V 见图9 VCC=6.0V CL=50pF，f=1MHz；VI=GND～VCC AiP74HCT573 VCC=4.5V Dn到Qn； 见图6 VCC=5.0V；CL=15pF VCC=4.5V LE到Qn； 见图7 VCC=5.0V；CL=15pF 最小 典型 最大 单 位 — — — — — — — — — — — — — — — — — 100 20 17 65 13 11 5 5 5 — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — 190 38 — 33 190 38 — 33 175 35 30 190 38 33 75 15 13 — — — — — — — — — — ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns pF — — — — — — — — 44 — 44 — ns ns ns ns ten VCC=4.5V；见图8 — — 38 ns tdis VCC=4.5V；见图8 — — 38 ns tt tW Qn；VCC=4.5V；见图6 LE为高电平；VCC=4.5V；见图7 — 20 — — 15 — ns ns tsu VCC=4.5V；见图9 16 — — ns tpd — OE到Qn的使 能时间 ten — tdis 转换时间 tt 脉冲宽度 tW 建立时间 tsu 保持时间 th 功耗电容 CPD i-c or OE到Qn的失 能时间 e 参 数 名 称 传输延时 tpd — OE到Qn的使 能时间 — OE到Qn的失 能时间 转换时间 脉冲宽度 Dn到LE的建 立时间 江苏省无锡市滨湖区建筑西路 777 号无锡国家集成电路设计中心 B4 楼 http://www.i-core. cn 邮编：214072 第 11 页 共 18 页 版本：2020-10-A1 无锡中微爱芯电子有限公司 Wuxi I-CORE Electronics Co., Ltd. 版次：B3 编号：AiP74HC/HCT573-AX-LJ-A024 表 835-11 Dn到LE的保 持时间 功耗电容 注： th VCC=4.5V；见图9 11 — — ns CPD CL=50pF，f=1MHz；VI=GND～VCC-1.5V — — — pF [1] tpd与tPLH和tPHL相同。 [2] ten与tPZH和tPZL相同。 [3] tdis与tPLZ和tPHZ相同。 [4] tt与tTHL和tTLH相同。 [5] CPD用于决定动态功率损耗（PD单位为uW） 。 PD=CPD×VCC2×fi×N+∑(CL×VCC2×fo)，其中： fo=输出频率（MHz） ； CL=输出负载电容（pF） ； VCC=电源电压（V） ； N=输入开关数； or ∑(CL×VCC2×fo)=输出总和。 e fi=输入频率（MHz） ； 4、测试线路 4.1、交流测试线路 VI tW 90% negative pulse VM VM 10% 0V tr tr tf i-c tf VI 90% positive pulse VM 0V VM 10% tW VCC VCC G VI VO RL open DUT RT S1 CL 图5 测量开关时间的测试电路 测试电路的定义： RL=负载电阻 CL=负载电容，包括探针、夹子上的电容 江苏省无锡市滨湖区建筑西路 777 号无锡国家集成电路设计中心 B4 楼 http://www.i-core. cn 邮编：214072 第 12 页 共 18 页 版本：2020-10-A1 无锡中微爱芯电子有限公司 Wuxi I-CORE Electronics Co., Ltd. 版次：B3 编号：AiP74HC/HCT573-AX-LJ-A024 表 835-11 RT=终端电阻须与信号发生器的输出阻抗 Zo 匹配 S1=测试选择开关 4.2、交流测试波形 Dn input VM tPLH tPHL 90% Qn output VM e 10% tTLH tTHL or 图6 数据输入（Dn）到输出（Qn）的传输延时和输出转换时间 LE input VM tW tPHL tPLH 90% VM Qn output 10% i-c tTHL tTLH 图7 锁存使能输入（LE）的脉冲宽度，锁存使能输入（LE）到输出（Qn） 的传输延时和输出转换时间 江苏省无锡市滨湖区建筑西路 777 号无锡国家集成电路设计中心 B4 楼 http://www.i-core. cn 邮编：214072 第 13 页 共 18 页 版本：2020-10-A1 无锡中微爱芯电子有限公司 Wuxi I-CORE Electronics Co., Ltd. 版次：B3 编号：AiP74HC/HCT573-AX-LJ-A024 表 835-11 VI OE input VM GND tPLZ tPZL VCC output LOW-to-OFF OFF-to-LOW VM 10% VOL tPZH 90% VM GND e output HIGH-to-OFF OFF-to-HIGH tPHZ VOH outputs enabled outputs disabled outputs enabled or 图8 使能和失能时间 LE input VM tsu tsu th VM i-c Dn input th 图9 数据输入（Dn）到锁存输入（LE）的建立和保持时间 4.3、测试点 输入 VM 0.5×VCC 1.3V 类型 AiP74HC573 AiP74HCT573 输出 VM 0.5×VCC 1.3V 4.4、测试数据 输入 类型 AiP74HC573 AiP74HCT573 VI VCC 3V 负载 tr，tf 6ns 6ns CL 15pF，50pF 15pF，50pF RL 1kΩ 1kΩ 江苏省无锡市滨湖区建筑西路 777 号无锡国家集成电路设计中心 B4 楼 http://www.i-core. cn 邮编：214072 tPHL，tPLH S1 位置 tPZH，tPHZ tPZL，tPLZ open open GND GND VCC VCC 第 14 页 共 18 页 版本：2020-10-A1 无锡中微爱芯电子有限公司 表 835-11 Wuxi I-CORE Electronics Co., Ltd. 版次：B3 编号：AiP74HC/HCT573-AX-LJ-A024 5、封装尺寸与外形图 i-c or e 5.1、DIP20 外形图与封装尺寸 江苏省无锡市滨湖区建筑西路 777 号无锡国家集成电路设计中心 B4 楼 http://www.i-core. cn 邮编：214072 第 15 页 共 18 页 版本：2020-10-A1 无锡中微爱芯电子有限公司 表 835-11 Wuxi I-CORE Electronics Co., Ltd. 版次：B3 编号：AiP74HC/HCT573-AX-LJ-A024 i-c or e 5.2、SOP20 外形图与封装尺寸 江苏省无锡市滨湖区建筑西路 777 号无锡国家集成电路设计中心 B4 楼 http://www.i-core. cn 邮编：214072 第 16 页 共 18 页 版本：2020-10-A1 无锡中微爱芯电子有限公司 表 835-11 Wuxi I-CORE Electronics Co., Ltd. 版次：B3 编号：AiP74HC/HCT573-AX-LJ-A024 i-c or e 5.3、TSSOP20 外形图与封装尺寸 江苏省无锡市滨湖区建筑西路 777 号无锡国家集成电路设计中心 B4 楼 http://www.i-core. cn 邮编：214072 第 17 页 共 18 页 版本：2020-10-A1 无锡中微爱芯电子有限公司 Wuxi I-CORE Electronics Co., Ltd. 版次：B3 编号：AiP74HC/HCT573-AX-LJ-A024 表 835-11 6、声明及注意事项 6.1、产品中有毒有害物质或元素的名称及含量 有毒有害物质或元素 部件 铅 名称 汞 镉 （Pb） （Hg） （Cd） 六阶铬 多溴联 多溴联 邻苯二 邻苯二 苯 苯醚 甲酸二 甲酸丁 （Cr （PBBs （PBD 丁酯 苄酯 （VI ） Es） （DBP) （BBP) ） ） 邻苯二甲 酸二（2乙基巳 基）酯 （DEHP) 邻苯二甲酸 二异丁酯 （DIBP) ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ 芯片 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ 内引线 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ 装片胶 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ 塑封 树脂 ○：表示该有毒有害物质或元素的含量在 SJ/T11363-2006 标准的检出限以下。 or 说明 e ○ 引线框 ×：表示该有毒有害物质或元素的含量超出 SJ/T11363-2006 标准的限量要求。 6.2、注意 在使用本产品之前建议仔细阅读本资料； 本资料中的信息如有变化，恕不另行通知； 本资料仅供参考，本公司不承担任何由此而引起的任何损失； i-c 本公司也不承担任何在使用过程中引起的侵犯第三方专利或其它权利的责任。 江苏省无锡市滨湖区建筑西路 777 号无锡国家集成电路设计中心 B4 楼 http://www.i-core. cn 邮编：214072 第 18 页 共 18 页 版本：2020-10-A1