74HC165M/TR

74HC165 74HC165 8 位并入串出移位寄存器 特点  异步 8 位并行读取  同步串行输入  温度范围为-40 °C～+85 °C  兼容 JEDEC 标准 no.7A  封装形式：DIP16/SOP16/TSSOP16 DIP16 SOP16 TSSOP16 产品订购信息 产品名称 74HC165N 74HC165M/TR 74HC165MT/TR http://www.hgsemi.com.cn 封装 打印名称 包装 包装数量 DIP16 SOP16 TSSOP16 74HC165 74HC165 HC165 管装 编带 编带 1000 只/盒 2500 只/盘 2500 只/盘 1 / 13 2020 MAR 74HC165 概述 74HC165 是一款高速硅栅 CMOS 器件，遵循 JEDEC 标准的 no.7A ，引脚兼容低 功耗肖特基 TTL（LSTTL）系列。 该芯片是一款 8 位并行输入转串行输出的移位寄存器电路，并且串行输出有两个互斥的 输出 Q7 可用来扩展串并转换位数。 当 PL 端输入端控制信号为低，即 PL=0 时，从端口 D0-D7 输入的并行数据异步加载于寄 存器组中。 当 PL 端输入端控制信号为高，即 PL=1 时，数据从 DS 端口串行输入，并且在每个时钟 上升沿有效时，将数据准确的传输到下一个寄存器中（Q0→Q1→Q2，等等）。这样设计的优 点是，通过将电路的 Q7 输出端级联到另一个电路的 DS 输入端，可以实现串并转换位数的扩 展。 功能框图 11 12 13 14 3 4 5 6 D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 1 �� 10 DS 2 CP 15 �� 8-VIT SHIFT REGISTER PARALLEL-IN/SERIAL-OUT �7 9 �7 7 图 1、整体功能框图 http://www.hgsemi.com.cn 图 2、逻辑符号 2 / 13 图 3、逻辑图 2020 MAR 74HC165 引脚排列图 图 4、引脚图 引脚说明及结构原理图 引脚 符 号 1 功 能 引脚 符 号 功 能 异步并行读取输入 （低电平有效） 9 Q7 末级串行输出 2 CP 时钟输入 （低到高边沿触发） 10 DS 串行数据输入 3 D4 并行数据输入 11 D0 并行数据输入 4 D5 并行数据输入 12 D1 并行数据输入 5 D6 并行数据输入 13 D2 并行数据输入 6 D7 并行数据输入 14 D3 并行数据输入 末级互斥输出 15 地 16 7 8 GND http://www.hgsemi.com.cn 3 / 13 时钟使能输入 （低电平有效） VCC 电源 2020 MAR 74HC165 功能说明（真值表、时序图） 工作 Qn 寄存器 输入 DS L �� CP 并行 �� X X X L L L→L L �7 加载 L X X X H H H→H H L H L ↑ l X L q0~q5 q6 H L ↑ h X H q0~q5 q6 H ↑ L l X L q0~q5 q6 H ↑ L h X H q0~q5 q6 H H X X X q0 q1~q6 q7 H X H X X q0 q1~q6 q7 模式 串行 移位 保持 不变 D0~D7 Q0 Q1~Q6 输出 Q7 H 注：H 为高电平，L 为低电平，X 为忽略不计，↑为上升沿 h 为建立时间阶段到上升沿的高电平，l 为建立时间阶段到上升沿的低电平 q 为建立时间阶段到上升沿的输出状态 图 5 时序图 http://www.hgsemi.com.cn 4 / 13 2020 MAR 74HC165 极限参数 参 数 名 称 电源电压 符 号 VCC 电源电流 ICC 输出电流 IO 总功耗 Ptot 条 件 额 定 值 单 位 -0.5~+7 V 50 mA -0.5 V < VO < VCC + 0.5 V ±25 mA DIP16 750 SOP16 500 TSSOP16 500 -40~+85°C mW 工作环境温度 Tamb -40～+85 ℃ 贮存温度 Tstg -65～+150 ℃ 焊接温度 TL 10 秒 DIP 245 SOP 250 ℃ 推荐使用条件 参 数 名 称 符 号 最小 典型 最大 单 位 电源电压 VCC 2.0 5.0 6.0 V 输入电压 VI 0 - VCC V 输出电压 VO 0 - VCC V 环境温度 Tamb -40 - +125 °C 直流参数 参数名称 符号 高电平 输入电压 VIH 低电平 输入电压 VIL 高电平 输出电压 VOH http://www.hgsemi.com.cn VCC=2.0V VCC=4.5V VCC=6.0V VCC=2.0V VCC=4.5V VCC=6.0V VI=VIH 或VIL IO = -20uA; VCC= 2.0 V IO = -20uA; VCC = 4.5 V IO = -20uA ;VCC = 6.0 V IO = -4.0mA; VCC = 4.5 V IO = -5.2mA; VCC = 6.0 V -40～+80°C 25°C 测试条件 单位 最小 1.5 3.15 4.2 - 典型 1.2 2.4 3.2 0.8 2.1 2.8 最大 0.5 1.35 1.8 最小 1.5 3.15 4.2 - 最大 0.5 1.35 1.8 V V V V V V 1.9 2.0 - 1.9 - V 4.4 4.5 - 4.4 - V 5.9 6.0 - 5.9 - V 3.98 4.32 - 3.84 - V 5.48 5.81 - 5.34 - V 5 / 13 2020 MAR 74HC165 低电平 输出电压 VOL 输入 漏电流 II 电源电流 ICC 输入电容 CI VI=VIH 或VIL IO = 20uA; VCC = 2.0 V IO = 20uA; VCC = 4.5 V IO = 20uA; VCC = 6.0 V IO = 4.0mA; VCC = 4.5 V IO = 5.2mA; VCC = 6.0 V VI =VCC 或 GND; - 0 0.1 - 0.1 V - 0 0.1 - 0.1 V - 0 0.1 - 0.1 V - 0.15 0.26 - 0.33 V - 0.16 0.26 - 0.33 V - - ±0.1 - ±1 uA - - 8.0 - 80 uA - 3.5 - - - pF 最小 - 25°C 典型 52 19 15 最大 165 33 28 -40～+80°C 最小 最大 205 41 35 - 16 - - - - 50 18 14 165 33 28 - 205 41 35 - 15 - - - 36 13 10 120 24 20 - 150 30 26 - 11 - - - - 19 75 - 95 VCC = 4.5 V - 7 15 - 19 VCC = 6.0 V - 6 13 - 16 VCC = 2.0 V 80 17 - 100 - VCC = 4.5 V 16 6 - 20 - VCC = 6.0 V 14 5 - 17 - VCC = 2.0 V 80 14 - 100 - VCC = 4.5 V 16 5 - 20 - VCC = 6.0 V 14 4 - 17 - VCC=6.0 V VI = VCC 或 GND; IO=0A; VCC = 6.0 V 交流参数（除非另有规定，CL=50pF） 参数名称 符号 传输延时��,CP 至 Q7, (图6) 传输延时 ��至Q7, （图7） tPHL/tPLH 传输延时 D7 至 Q7, （图8） 传输时间 Q7, 输出（图6） tTHL /tTLH 时钟脉宽 CP 输入高或低 （图 6） 时钟脉宽 输入低 （图7） tW http://www.hgsemi.com.cn 测试条件 VCC = 2.0 V VCC = 4.5 V VCC = 6.0 V VCC = 5.0 V CL = 15 pF VCC = 2.0 V VCC = 4.5 V VCC = 6.0 V VCC = 5.0 V CL = 15 pF VCC = 2.0 V VCC = 4.5 V VCC = 6.0 V VCC = 5.0 V CL = 15 pF VCC = 2.0 V 6 / 13 单位 ns ns ns 2020 MAR 74HC165 VCC = 2.0 V 100 22 - 125 - VCC = 4.5 V 20 8 - 25 - VCC = 6.0 V 17 6 - 21 - 建立时间 DS,至 CP（图9） VCC = 2.0 V VCC = 4.5 V VCC = 6.0 V 80 16 14 11 4 3 - 100 20 17 - 建立时间 至CP, CP 至 （图9） VCC = 2.0 V 80 17 - 100 - VCC = 4.5 V 16 6 - 20 - VCC = 6.0 V 14 5 - 17 - VCC = 2.0 V VCC = 4.5 V VCC = 6.0 V 80 16 14 22 8 6 - 100 20 17 - VCC = 2.0 V 5 6 - 5 - VCC = 4.5 V 5 2 - 5 - VCC = 6.0 V 5 2 - 5 - VCC = 2.0 V 5 -17 - 5 - VCC = 4.5 V 5 -6 - 5 - VCC = 6.0 V 5 -5 - 5 - VCC = 2.0 V VCC = 4.5 V VCC = 6.0 V VCC = 5.0V CL = 15 pF 6 30 35 17 51 61 - 5 24 28 - - 56 - - - VI=GND 至VCC - 35 - - - 复位时间 CP, （图 7） 建立时间 Dn 至 （图10） trec tsu 保持时间 DS 至CP,和Dn 至 （图 9） 保持时间 至 CP 和 CP 至（图9） th 最大频率 CP 输入 （图 6） fmax 电源功耗电容 CPD ns ns ns ns ns MHz pF 波形图 ： 图6 http://www.hgsemi.com.cn 7 / 13 2020 MAR 74HC165 图7 图8 http://www.hgsemi.com.cn 8 / 13 2020 MAR 74HC165 图9 注： （1）当CP 为低时，��只能从高变为低 图 10 http://www.hgsemi.com.cn 9 / 13 2020 MAR 74HC165 测试线路 图 11 测试转换时间 注：VI=VCC，VM=0.5VCC，tr=tf=6ns，CL=15pF,50pF，RL=1K，S1=open; RT 为终端电阻要和脉冲发生器的输出阻抗 Z0 匹配； S1 为转换开关。 http://www.hgsemi.com.cn 10 / 13 2020 MAR 74HC165 封装外形尺寸 DIP16 B L1 L E D1 d D A c a b Dimensions In Millimeters(DIP16) A B D D1 E L L1 a b c Min： 6.10 18.94 8.40 7.42 3.10 0.50 3.00 1.50 0.85 0.40 Max： 6.68 19.56 9.00 7.82 3.55 0.70 3.60 1.55 0.90 0.50 Symbol： d 2.54 BSC SOP16 Q A C1 C B D A1 a 0.25 b Dimensions In Millimeters(SOP16) A A1 B C C1 D Q a Min： 1.35 0.05 9.80 5.80 3.80 0.40 0 0.35 Max： 1.55 0.20 10.0 6.20 4.00 0.80 8 0.45 Symbol： http://www.hgsemi.com.cn 11 / 13 b 1.27 BSC 2020 MAR 74HC165 TSSOP16 Dimensions In Millimeters(TSSOP16) A A1 B C C1 D Q a Min： 0.85 0.05 4.90 6.20 4.30 0.40 0 0.20 Max： 0.95 0.20 5.10 6.60 4.50 0.80 8 0.25 Symbol： http://www.hgsemi.com.cn 12 / 13 b 0.65 BSC 2020 MAR 74HC165 重要声明： 华冠半导体保留未经通知更改所提供的产品和服务。客户在订货前应获取最新的相关信息，并核实这些信息是否最新且完整的。华冠半导体对 篡改过的文件不承担任何责任或义务。 客户在使用华冠半导体产品进行系统设计和整机制造时有责任遵守安全标准并采取安全措施。您将自行承担以下全部责任： 针对您的应用选择 合适的华冠半导体产品； 设计、验证并测试您的应用；确保您的应用满足相应标准以及任何其他安全、安保或其他要求。以避免潜在风险可能导致 人身伤害或财产损失情况的发生。 华冠半导体产品未获得生命支持、军事、航空航天等领域应用之许可，华冠半导体将不承担产品在这些领域应用造成的后果。 华冠半导体所生产半导体产品的性能提供技术和可靠性数据（包括数据表）、设计资源（包括参考设计）、应用或其他设计建议、网络工具、 安全信息和其他资源，不保证没有瑕疵且不做出任何明示或暗示的担保，测试和其他质量控制技术的使用只限于华冠半导体的质量保证范围内。每 个器件并非所有参数均需要检测。 华冠半导体的文档资料，授权您仅可将这些资源用于研发本资料所述的产品的应用。您无权使用任何其他华冠半导体知识产权或任何第三方知 识产权。严禁对这些资源进行其他复制或展示，您应全额赔偿因在这些资源的使用中对华冠半导体及其代理造成的任何索赔、损害、成本、损失和 债务，华冠半导体对此概不负责。 http://www.hgsemi.com.cn 13 / 13 2020 MAR