IRF5305PBF

ＩＲＦ５３０５ＰＢＦ Ｐ 沟道 ＭＯＳ 场效应管 描述 / 引脚排列 Descriptions / Pinning TO-220 封装 P 沟道 MOS 场效应管。 P-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. 特征 / Features 1.Gate 2.Drain (D) VDS =- 60V,ID =-26A RDS(ON) < 40mΩ @ VGS=-10V RDS(ON) < 55mΩ @ VGS=-4.5V 高功率和电流转移能力，无铅产品，表面贴装封装。 3.Source (S) ｏｒ TO-220 High Power and current handing capability, Lead free product is acquired, Surface Mount Package. / 内部等效电路 / Equivalent Circuit ｃｔ 用途 (G) Applications ｄｕ 用于 PWM,负载开关，电源管理。 / Absolute Maximum Ratings(Ta=25℃) 符号 Symbol VDS 数值 Rating -60 单位 Unit V ID(Tc=25℃) -30 A ID(Tc=70℃) -20 A Drain Current - Pulsed IDM -60 A Gate-Source Voltage VGS ±20 V PD(Tc=25℃) 60 W Junction and Storage Temperature Range TJ,TSTG -55 to 175 ℃ Thermal Resistance, Junction-to-Ambient RθJA 25 ℃/W ＪＳ ＭＩ Drain Current ＣＲ Ｏ Drain Current 　Ｓ 参数 Parameter Drain-Source Voltage ｅｍ 极限参数 ｉｃ ｏｎ PWM applications, Load switch, Power management. Power Dissipation ｗｗｗ．ｊｓｍｓｅｍｉ．ｃｏｍ 第１／６页 ＩＲＦ５３０５ＰＢＦ Ｐ 沟道 ＭＯＳ 场效应管 电性能参数 / Electrical Characteristics(Ta=25℃) 符号 Symbol BVDSS Zero Gate Voltage Drain Current Gate-Body Leakage Current Forward Gate Threshold Voltage Static Drain-Source On-Resistance VGS=0V ID=-250μA IDSS VDS=-48V VGS=0V -1.0 μA IGSS VGS=±20V VDS=0V ±100 nA VDS=VGS ID=-250μA -2.5 V VGS=-10V ID=-20A VGS=-4.5V ID=-20A VGS(th) RDS(on) gFS VDS=-5V ID=-20A Drain-Source Diode Forward Voltage VSD VGS=0V IS=-1A Input Capacitance Ciss Output Capacitance Coss Reverse Transfer Capacitance Crss Turn-On Delay Time td(on) Turn-On Rise Time tr Turn-Off Delay Time td(off) VGS=0V ｉｃ ｏｎ VDS=-30V f=1.0MHz V=-10V ID=1A ｅｍ V=-30V RGEN=3Ω tf Qg Gate-Source Charge ＣＲ Ｏ Gate-Drain Charge 　Ｓ Total Gate Charge Qgs VDD=-30V VGS=-10V ID=-20A Qgd Trr Reverse Recovery Charge Qrr -1.0 IF=-20A dI/dt=100A/μs V -1.8 31 40 mΩ 42 55 mΩ 5 -0.72 S -1 V 3060 pF 300 pF 205 pF 14 ns 20 ns 49 ns 19 ns 48 nC 11 nC 10 nC 40 nS 56 nC ＪＳ ＭＩ Reverse Recovery Time -60 ｄｕ Forward Transconductance Turn-Off Fall Time 最小值 典型值 最大值 单位 Min Typ Max Unit ｏｒ Drain-Source Breakdown Voltage 测试条件 Test Conditions ｃｔ 参数 Parameter ｗｗｗ．ｊｓｍｓｅｍｉ．ｃｏｍ 第２／６页 ＩＲＦ５３０５ＰＢＦ Ｐ 沟道 ＭＯＳ 场效应管 / Electrical Characteristic Curve ＪＳ ＭＩ ＣＲ Ｏ 　Ｓ ｅｍ ｉｃ ｏｎ ｄｕ ｃｔ ｏｒ 电参数曲线图 ｗｗｗ．ｊｓｍｓｅｍｉ．ｃｏｍ 第３／６页 ＩＲＦ５３０５ＰＢＦ Ｐ 沟道 ＭＯＳ 场效应管 / Electrical Characteristic Curve ＪＳ ＭＩ ＣＲ Ｏ 　Ｓ ｅｍ ｉｃ ｏｎ ｄｕ ｃｔ ｏｒ 电参数曲线图 ｗｗｗ．ｊｓｍｓｅｍｉ．ｃｏｍ 第４／６页 ＩＲＦ５３０５ＰＢＦ Ｐ 沟道 ＭＯＳ 场效应管 / Typical electrical and thermal properties ＪＳ ＭＩ ＣＲ Ｏ 　Ｓ ｅｍ ｉｃ ｏｎ ｄｕ ｃｔ ｏｒ 典型电性和热特性 ｗｗｗ．ｊｓｍｓｅｍｉ．ｃｏｍ 第５／６页 ＩＲＦ５３０５ＰＢＦ Ｐ 沟道 ＭＯＳ 场效应管 / Package Dimensions Size ＪＳ ＭＩ Symbol ＣＲ Ｏ 　Ｓ ｅｍ ｉｃ ｏｎ ｄｕ ｃｔ ｏｒ 外形尺寸图 W W1 W2 W3 * W4 Min Max 9.66 10.28 2.54（TYP） 0.70 0.95 1.17 1.37 1.32 1.72 Symbol W5 L L1 L2 L3 Unit: mm Size Min 9.80 9.00 6.40 2.70 12.70 Max 10.20 9.40 6.80 2.90 14.27 Symbol L4** L5 T T1 T2 ｗｗｗ．ｊｓｍｓｅｍｉ．ｃｏｍ Size Min 6.20 2.79 4.30 1.15 2.20 Max 6.60 3.30 4.70 1.40 2.60 Symbol T3 G(Φ) Size Min 0.45 3.50 Max 0.60 3.70 第６／６页