IRF9Z34NPBF

IRF9Z34NPBF P -Channnel MOSFET 描述 / Descriptions P 沟道 TO-220AB封装场效应管。 P-CHANNEL MOSFET in a TO-220AB Plastic Package . 特征 / Features G D S ｏｒ 大电流输出能力。无卤产品。 用途 / ｃｔ High Current Capability. HF Product. Applications ｄｕ 交流负载开关，蓄电池充电/放电保护。 极限参数 / ｅｍ ｉｃ ｏｎ AC-in load switch,Battery protection charge/discharge. Absolute Maximum Ratings(Ta=25℃) 符号 Symbol 数值 Rating 单位 Unit VDSS -60 V ID(Tc=25℃) -20 A Drain Current - Pulsed IDM -80 A Gate-Source Voltage VGS ±20 V Avalanche Current IAS 13.8 A Avalanche energy L=0.5mH EAS 65 mJ PD(Tc=25℃) 20 W PD(Tc=100℃) 10 W Tj，Tstg -55～150 ℃ ＭＩ ＣＲ Ｏ Drain-Source Voltage 　Ｓ 参数 Parameter ＪＳ Drain Current Power Dissipation Junction and Storage Temperature Range Maximum Junction-to-Ambient t ≤ 10s Maximum Junction-to-Ambient Steady-State Maximum Junction-to-Case Steady-State RθJA 30 60 RθJC ｗｗｗ．ｊｓｍｓｅｍｉ．ｃｏｍ ℃/W 7.5 第１／５页 IRF9Z34NPBF P -Channnel MOSFET 电性能参数 / Electrical Characteristics(Ta=25℃) Drain-Source Breakdown Voltage BVDSS Zero Gate Voltage Drain Current IDSS Gate-Body Leakage Current Forward IGSS 测试条件 Test Conditions 最小值 典型值 最大值 Min Typ Max VGS=0V ID=-250μA VDS=-60V VGS=0V VDS=-60V TJ=55°C VGS=0V VGS=±20V VDS=0V -60 -70 -1.0 μA -5.0 μA ±0.1 μA -1.7 -2.5 V 87 92 mΩ VGS(th) VDS=VGS ID=250μA Static Drain-Source On-Resistance RDS(on)1 VGS=-10V ID=-20A RDS(on)2 VGS=-4.5V ID=-10A 98 102 mΩ IS=-1A VGS=0V -0.7 -1.2 V Output Capacitance Reverse Transfer Capacitance Ciss Coss Rg Total Gate Charge Qg(10V) Total Gate Charge Qg(4.5V) ｎｄ ｃｏ 最小值 典型值 最大值 Min Typ Max VGS=0V VGS=0V f=1MHz VDS=0V 330 6.4 VGS=-10V ID=-12A VDS=-30V 3.8 Qgd 1.9 Turn-On Delay Time td(on) 4.2 Turn-On Rise Time tr Turn-Off Delay Time td(off) ＪＳ ＭＩ Gate Drain Charge VGS=-10V RL=2.5Ω 1.2 VDS=-30V RGEN=3Ω tf trr Qrr Ω 7.5 Qgs Body Diode Reverse Recovery Time Body Diode Reverse Recovery Charge pF 205 Gate Source Charge Turn-Off Fall Time 单位 Unit 1650 VDS=-25V f=1.0MHz Crss ＣＲ Ｏ　 Gate resistance 测试条件 Test Conditions ｍｉ Input Capacitance 符号 Symbol Ｓｅ 参数 Parameter VSD ｕｃ Gate Threshold Voltage Diode Forward Voltage -1 单位 Unit V ｒ 符号 Symbol ｔｏ 参数 Parameter 3.4 16 nC ns 2 IF=-12A dI/dt=500A/ms IF=-12A dI/dt=500A/ms ｗｗｗ．ｊｓｍｓｅｍｉ．ｃｏｍ 27 ns 30 nC 第２／５页 IRF9Z34NPBF P -Channnel MOSFET / Electrical Characteristic Curve ＪＳ ＭＩ ＣＲ Ｏ　 Ｓｅ ｍｉ ｃｏ ｎｄ ｕｃ ｔｏ ｒ 电参数曲线图 ｗｗｗ．ｊｓｍｓｅｍｉ．ｃｏｍ 第３／５页 ＪＳ ＭＩ ＣＲ Ｏ　 Ｓｅ ｍｉ ｃｏ ｎｄ ｕｃ ｔｏ ｒ IRF9Z34NPBF P -Channnel MOSFET ｗｗｗ．ｊｓｍｓｅｍｉ．ｃｏｍ 第４／５页 IRF9Z34NPBF P -Channnel MOSFET / Package Dimensions ＪＳ ＭＩ ＣＲ Ｏ　 Ｓｅ ｍｉ ｃｏ ｎｄ ｕｃ ｔｏ ｒ 外形尺寸图 ｗｗｗ．ｊｓｍｓｅｍｉ．ｃｏｍ 第５／５页