BRD5N50

物料型号：BRD5N50

器件简介：TO-252塑封封装N沟道MOS场效应管，具有低栅电荷、低反馈电容和快速开关的特点。

引脚分配：PIN1: G (栅极), PIN2: D (漏极), PIN3: S (源极), PIN4: D (重复的漏极)

参数特性：包括极限参数和电性能参数，如Drain-Source Voltage (VDss) 500V, Drain Current (ID) 最高5A，Gate-Source Voltage (VGss) ±30V等。

功能详解：文档提供了电参数曲线图，展示了器件的电气特性。

应用信息：适用于高效率开关DC/DC转换器和开关模式电源。

封装信息：提供了外形尺寸图和尺寸数据，以及回流焊温度曲线图和耐焊接热试验条件。