JSM3400

JSM3400 N-Channel Enhancement mode Field Effect Transistor 1、 2、 to r 特点/Features： 电流能力强； 导通电阻低； R0 nd uc 用途/Applications： 用于一般开关和低压电源电路。 参数/Parameter co 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 符号/ Symbol 数值/Value 单位/Unit VDS 30 V 栅极-源极电压/Gate-Source Voltage VGS ±12 V 漏极电流（持续）/Continuous Drain Current ID 5.8 A 耗散功率/Power Dissipation PD 0.35 W 热阻/ Thermal Resistance Junction to Ambient RθJA 350 ℃/mW 结温/Junction Temperature Tj 150 ℃ 储存温度/Storage Temperature Tstg -55～150 ℃ JS MI CR O Se mi 漏极-源极电压/Drain-Source Voltage www.jsmsemi.com 第１／４页 JSM3400 N-Channel Enhancement mode Field Effect Transistor 电性能参数/Electrical characteristics (Ta=25℃) 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 静态/Static Characteristics VBR(DSS) VGS=OV,ID=250μA 30 栅极开启电压 VGS(th) ID=250μA, VGS=VDS 0.7 栅极漏电流 IGSS VGS=±12V,VDS=0V 零栅压漏极电流 IDSS VGS=0V, VDS=24V ③ 漏极源极导通电阻 RDS(ON) VGS=4.5V,ID=5A gfs VDS=5V,ID=5A Ciss ② Coss 输出电容 反向传输电容 Crss 栅极电阻 Rg ② VDS=15V,VGS=0V,f=1MHz Se ② 输入电容 mi 动态/Dynamic Characteristics V ±100 nA 1 µA VDS=0V,VGS=0V,f=1MHz 40 mΩ 52 8 S co ① 正向跨导 nd VGS=2.5V,ID=4A 1.4 35 uc VGS=10V,ID=5.8A V to r 源极-漏极击穿电压 1050 99 pF 77 3.6 Ω 5 ns CR O 开关参数/Switching Characteristics ② td(on) ② tr VDS=15V,VGS=10V, 7 ② td(off) RGEN=3Ω,RL=2.7Ω 40 ns ns 6 ns 1 V 开启延时 上升时间 JS MI 关闭延时 ② 下降延时 tf 漏极-源极二极管参数/Drain-source Body Diode Characteristics ① 二极管正向压降 VSD IS=1A,VGS=0V 注：① 脉冲测试脉冲宽度≤300µS,占空比≤2%； ② 这些参数未通过验证； www.jsmsemi.com 第２／４页 JSM3400 N-Channel Enhancement mode Field Effect Transistor JS MI CR O Se mi co nd uc to r 典型特性曲线图/Typical Characteristics www.jsmsemi.com 第３／４页 JSM3400 N-Channel Enhancement mode Field Effect Transistor 尺寸图/PACKAGE OUTLINE Plastic surface mounted package SOT-23 A SOT-23 Min Max A 2.70 3.10 B 1.10 1.50 C 0.90 1.10 D 0.30 0.50 E K 0.35 0.48 G 1.80 2.00 H 0.02 0.10 J 0.05 0.15 2.20 2.60 J D G co H K CR O Se SOLDERING FOOTPRINT 0.95 All Dimensions in mm mi C 0.95 E nd uc B to r Dim JS MI 2.00 0.90 0.80 Unit: mm 包装信息/PACKAGE INFORMATION Part No. Package Shipping JSM3400 SOT-23 3000pcs / Tape & Reel www.jsmsemi.com 第４／４页