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DK5V100R25

DK5V100R25

  • 厂商:

    DK(东科半导体)

  • 封装:

    SM7

  • 描述:

    同步二极管芯片 SM7

  • 数据手册
  • 价格&库存
DK5V100R25 数据手册
DK5V100R25 同步二极管芯片 功能描述: DK5V100R25 是同步二极管芯片。芯片内部集成了 100V 功率 NMOS 管,可以大 幅降低二极管导通损耗,提高整机效率,取代或替换目前市场上等规的肖特 基整流二级管。 产品特点: l 支持 DCM 和 QR 模式反激系统。 l 内置 25 mΩ 100V 功率 NMOS 管。 l 特有的自供电技术,无需外部供电电源。 l 自检测开通关断,无需外部同步信号。 l 可直接替换肖特基管,对 EMC/I 有适当改善。 应用领域 l 反激电源转换器 l 反激电源适配器 DK5V100R25 第 1 页 共 9 页 Rev: V0.1 2016/11/05 DK5V100R25 同步二极管芯片 功能结构图 封装与引脚定义(SM-7) 引脚说明: 引脚 K A 功能描述 应用时同二极管阴极。 应用时同二极管阳极。 极限参数 P,N 反向电压 ........................................... 100V 工作温度............................................... -25℃--+120℃ 储存温度............................................... -55℃--+155℃ 焊接温度............................................... +260℃/5S 引脚说明: DK5V100R25 第 2 页 共 9 页 Rev: V0.1 2016/11/05 DK5V100R25 同步二极管芯片 电气参数刘先生/贰柒陆叁陆叁贰肆捌/壹伍玖玖玖伍柒陆贰肆玖 TA=25℃ Item Symbol Condition Min 功率 MOS 开通电压 Von 先测 A,K 点电压 -230 功率 MOS 开通延迟 Tdon 150 ns 功率 MOS 关闭延迟 Tdoff 50 ns 功率 MOS 导通电阻 Rdson 25 mΩ 最大峰值电流 Ipeak 50 A 110 V Breakdown 电压 Typ 90 Unit mV 20 Vbr Max 100 VCC 启动电压 VCC_on 4.2 V VCC 复位电压 VCC_uvlo 3.5 V 8 V VCC 电压 最大工作频率 结温 Fs_max TJ -25 100 KHz 150 ℃ 典型应用 正向整流应用 DK5V100R25 第 3 页 共 9 页 Rev: V0.1 刘先生/贰柒陆叁陆叁贰肆捌/壹伍玖玖玖伍柒陆贰肆玖 2016/11/05 DK5V100R25 同步二极管芯片 反向整流应用 功能描述 自供电 DK5V100R25 内置储能电容和自供电线路,可以实现芯片和功率 MOS 管驱动需求,无需 外接电源。 启动 当 K 极电压高于 A 极时,通过自供电线路,给 VCC 供电,VCC 电压逐渐上升。在 VCC 电 压低于启动电压 VCC_on 时,内置功率 MOS 管关闭,当 VCC 电压大于 VCC_on 时,结束启动状 态。当 VCC 电压降低到复位电压 VCC_uvlo 以下时,芯片重新进入启动状态。 功率 MOS 控制 当检测到 A、K 端正向导通电压大于开通电压 Von 时,则打开功率 MOS 管;当检测到流 过功率 MOS 管的电流逐渐减小到 0 时,即 A、K 端正向导通电压为零时,则关闭功率 MOS 管。 RC 吸收电路 在启动、输出短路、输入电压过高,CCM 模式等容易在二极管体产生尖峰电压,为防止 内置功率 MOS 管过压击穿,可以在 A 和 K 之间接入 RC 吸收电路,以减小 N 点的尖峰电压。 导通内阻:刘先生/贰柒陆叁陆叁贰肆捌/壹伍玖玖玖伍柒陆贰肆玖 DK5V100R25 第 4 页 共 9 页 Rev: V0.1 2016/11/05 DK5V100R25 同步二极管芯片 在工作过程中,随着温度升高,内阻值会增大,效率会降低,适当的增加散热面积,降 低 IC 的工作温度。 应用效率对比: 在同一块板同样的条件下,在 D2 位置上分别焊上 DK5V100R25 和 10V100 二极管,对比 两款整流管子效率差别。 DK5V100R25 第 5 页 共 9 页 ReV0.1 2016/11/05 DK5V100R25 同步二极管芯片 测试仪器: 1.WT3100 功率计 2.PRODIGIT 3311 电子负载 3.FLUKE 17B+ 用 DK224的12V2A DEMO 板进行对比测试,检测板端电压进行效率对比。测试参数见表格: DK5V100R25 第 6 页 共 9 页 Rev: V0.1 2016/11/05 DK5V100R25 同步二极管芯片 设计注意事项: 1.应用中需要测量同步芯片的耐压,确保同步整流芯片工作最高电压低于同步芯片 Breakdown 电压; 2.应用中需要测量同步芯片的温度,评估产品工作环境最高温度下是否超过结温度。 3.直接代换原边的 SR5100等二极管时,输出电压会提高0.2-0.4V,这个电压等效于原 来的二极管导通压降,输出功率会增加,这个电压客户可自行评估是否调低输出电压。 4.请注意 SM-7旁边的两个金属测试点,不能和其它导电的线路连接。 DK5V100R25 第 7 页 共 9 页 Rev: V0.1 2016/11/05 如有需要请联系:刘先生/贰柒陆叁陆叁贰肆捌/壹伍玖玖玖伍柒陆贰肆玖 DK5V100R25 同步二极管芯片 封装尺寸: 焊盘参考尺寸: DK5V100R25 第 8 页 共 9 页 Rev: V0.1 2016/11/05 DK5V100R25 同步二极管芯片 编带包装:(5K/盘) DK5V100R252 第 9 页 共 9 页 Rev: V0.1 2016/11/05
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