DK5V100R25
同步二极管芯片
功能描述:
DK5V100R25 是同步二极管芯片。芯片内部集成了 100V 功率 NMOS 管,可以大
幅降低二极管导通损耗,提高整机效率,取代或替换目前市场上等规的肖特
基整流二级管。
产品特点:
l 支持 DCM 和 QR 模式反激系统。
l 内置 25 mΩ 100V 功率 NMOS 管。
l 特有的自供电技术,无需外部供电电源。
l 自检测开通关断,无需外部同步信号。
l 可直接替换肖特基管,对 EMC/I 有适当改善。
应用领域
l 反激电源转换器
l 反激电源适配器
DK5V100R25
第 1 页 共 9 页
Rev: V0.1
2016/11/05
DK5V100R25
同步二极管芯片
功能结构图
封装与引脚定义(SM-7)
引脚说明:
引脚
K
A
功能描述
应用时同二极管阴极。
应用时同二极管阳极。
极限参数
P,N 反向电压 ........................................... 100V
工作温度............................................... -25℃--+120℃
储存温度............................................... -55℃--+155℃
焊接温度............................................... +260℃/5S 引脚说明:
DK5V100R25
第 2 页 共 9 页
Rev: V0.1
2016/11/05
DK5V100R25
同步二极管芯片
电气参数刘先生/贰柒陆叁陆叁贰肆捌/壹伍玖玖玖伍柒陆贰肆玖
TA=25℃
Item
Symbol
Condition
Min
功率 MOS 开通电压
Von
先测 A,K 点电压
-230
功率 MOS 开通延迟
Tdon
150
ns
功率 MOS 关闭延迟
Tdoff
50
ns
功率 MOS 导通电阻
Rdson
25
mΩ
最大峰值电流
Ipeak
50
A
110
V
Breakdown 电压
Typ
90
Unit
mV
20
Vbr
Max
100
VCC 启动电压
VCC_on
4.2
V
VCC 复位电压
VCC_uvlo
3.5
V
8
V
VCC 电压
最大工作频率
结温
Fs_max
TJ
-25
100
KHz
150
℃
典型应用
正向整流应用
DK5V100R25
第 3 页 共 9 页
Rev: V0.1
刘先生/贰柒陆叁陆叁贰肆捌/壹伍玖玖玖伍柒陆贰肆玖
2016/11/05
DK5V100R25
同步二极管芯片
反向整流应用
功能描述
自供电
DK5V100R25 内置储能电容和自供电线路,可以实现芯片和功率 MOS 管驱动需求,无需
外接电源。
启动
当 K 极电压高于 A 极时,通过自供电线路,给 VCC 供电,VCC 电压逐渐上升。在 VCC 电
压低于启动电压 VCC_on 时,内置功率 MOS 管关闭,当 VCC 电压大于 VCC_on 时,结束启动状
态。当 VCC 电压降低到复位电压 VCC_uvlo 以下时,芯片重新进入启动状态。
功率 MOS 控制
当检测到 A、K 端正向导通电压大于开通电压 Von 时,则打开功率 MOS 管;当检测到流
过功率 MOS 管的电流逐渐减小到 0 时,即 A、K 端正向导通电压为零时,则关闭功率 MOS 管。
RC 吸收电路
在启动、输出短路、输入电压过高,CCM 模式等容易在二极管体产生尖峰电压,为防止
内置功率 MOS 管过压击穿,可以在 A 和 K 之间接入 RC 吸收电路,以减小 N 点的尖峰电压。
导通内阻:刘先生/贰柒陆叁陆叁贰肆捌/壹伍玖玖玖伍柒陆贰肆玖
DK5V100R25
第 4 页 共 9 页
Rev: V0.1
2016/11/05
DK5V100R25
同步二极管芯片
在工作过程中,随着温度升高,内阻值会增大,效率会降低,适当的增加散热面积,降
低 IC 的工作温度。
应用效率对比:
在同一块板同样的条件下,在 D2 位置上分别焊上 DK5V100R25 和 10V100 二极管,对比
两款整流管子效率差别。
DK5V100R25
第 5 页 共 9 页
ReV0.1
2016/11/05
DK5V100R25
同步二极管芯片
测试仪器:
1.WT3100 功率计
2.PRODIGIT 3311 电子负载
3.FLUKE 17B+
用 DK224的12V2A DEMO 板进行对比测试,检测板端电压进行效率对比。测试参数见表格:
DK5V100R25
第 6 页 共 9 页
Rev: V0.1
2016/11/05
DK5V100R25
同步二极管芯片
设计注意事项:
1.应用中需要测量同步芯片的耐压,确保同步整流芯片工作最高电压低于同步芯片
Breakdown 电压;
2.应用中需要测量同步芯片的温度,评估产品工作环境最高温度下是否超过结温度。
3.直接代换原边的 SR5100等二极管时,输出电压会提高0.2-0.4V,这个电压等效于原
来的二极管导通压降,输出功率会增加,这个电压客户可自行评估是否调低输出电压。
4.请注意 SM-7旁边的两个金属测试点,不能和其它导电的线路连接。
DK5V100R25
第 7 页 共 9 页
Rev: V0.1
2016/11/05
如有需要请联系:刘先生/贰柒陆叁陆叁贰肆捌/壹伍玖玖玖伍柒陆贰肆玖
DK5V100R25
同步二极管芯片
封装尺寸:
焊盘参考尺寸:
DK5V100R25
第 8 页 共 9 页
Rev: V0.1
2016/11/05
DK5V100R25
同步二极管芯片
编带包装:(5K/盘)
DK5V100R252
第 9 页 共 9 页
Rev: V0.1
2016/11/05
很抱歉,暂时无法提供与“DK5V100R25”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货
免费人工找货