KIA50N06BD

厂商：
KIA(可易亚)
封装：
TO-252-2(DPAK)
描述：
类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：88W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12.5mΩ@10V,30A N沟道,60V,50A,10.5...

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KIA 50A，60V N-CHANNEL MOSFET 50N06B SEMICONDUCTORS 1. Features n RDS(on)=10.5mΩ@ VGS=10V n Lead free and green device available n Low Rds-on to minimize conductive loss n High avalanche current 2. Applications n Power supply n UPS n Battery management system 3.Symbol 1 of 6 Pin Function 1 Gate 2 Drain 3 Source 4 Drain Rev 1.1 JAN 2014 KIA 50A，60V N-CHANNEL MOSFET 50N06B SEMICONDUCTORS 4. Absolute maximum ratings Parameter Symbol (TA=25°C,unless otherwise noted) Rating Units Drain-source voltage VDSS 60 V Gate-source voltage VGSS +25 V 50 A 35 A IDP4 250 A Avalanche current IAS5 15 A Avalanche energy, EAS5 120 mJ 88 W 44 W -55-175 ℃ Continuous drain current Pulse drain current TC=25ºC TC=100ºC TC=25ºC Maximum power dissipation TC=25 ºC TC=100ºC Junction & storage temperature range ID3 PD TJ,TSTG 5. Thermal characteristics Parameter Symbol Thermal resistance,Junction-ambient RθJA Thermal resistance,Junction-case RθJC 2 of 6 Rating To-252 To-220 100 62.5 1.1 1.7 Unit ºC/W ºC/W Rev 1.1 JAN 2014 KIA 50A，60V N-CHANNEL MOSFET 50N06B SEMICONDUCTORS 6. Electrical characteristics Parameter Drain-source breakdown voltage Zero gate voltage drain current Gate threshold voltage Gate leakage current Drain-source on-resistance Gate resistance Diode forward voltage (TA=25°C,unless otherwise noted) Min Typ Max Units Symbol Test Conditions BVDSS VGS=0V,IDS=250μA 60 - - VDS=48V, VGS=0V - - 1 TJ=125°C - - 20 VGS(th) VDS=VGS, ID=250μA 2.0 3.0 4.0 V IGSS VGS=+25V, VDS=0V - - +100 nA RDS(on)1 VGS=10V,ID=30A - 10.5 12.5 mΩ Rg VDS=0V, VGS=0V,f=1MHz - 1.0 - Ω VSD1 ISD=30A, VGS=0V - 0.8 1.3 V - - 50 A IDSS V μA Diode continuous forward current IS3 Reverse recovery time trr IF=30A , - 32 - nS Reverse recovery charge Qrr dlSD/dt=100A/μs - 60 - nC Input capacitance Ciss - 2060 - Output capacitance Coss - 755 - Reverse transfer capacitance Crss - 375 - Turn-on delay time td(on) - 14 - Rise time Turn-off delay time Fall time VDS=25V,VGS=0V, f=1MHz tr VDD=30V, ID=30A, - 13 td(off) RG=5Ω,VGS=10V - 20 - - 7.5 - - 50 - - 12 -- - 17 -- tf Total gate charge Qg Gate-source charge Qgs Gate-drain charge Qgd VDS=48V, VGS=10V IDS=30A - Note:1: Pulse test; pulse width

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KIA50N06BD

物料型号：50N06B

器件简介： - 该器件是一款50A、60V的N-Channel MOSFET。 - RDS(on)为10.5mΩ@ VGS=10V，表示在10V的门极源电压下，漏极和源极之间的导通电阻为10.5毫欧。 - 是一款无铅绿色装置，具有低导通电阻以最小化导通损耗，并且具有高雪崩电流能力。

引脚分配： - 1号引脚：门极（Gate） - 2号引脚：漏极（Drain） - 3号引脚：源极（Source）

参数特性： - 最大漏极-源极电压（VDss）：60V - 最大门极-源极电压（VGSS）：+25V - 连续漏极电流（ID3）：在25°C时为50A，在100°C时为35A - 雪崩电流（IAs5）：15A - 最大功耗（PD）：在25°C时为88W，在100°C时为44W - 封装类型：TO-220和TO-252

功能详解： - 该器件适用于电源供应、UPS（不间断电源）、电池管理系统等应用。

应用信息： - 适用于电源供应、UPS、电池管理系统等。

封装信息： - 器件的封装类型为TO-220和TO-252。

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