AP8012HNEC-T1L

Chipown AP8012H 低待机功耗离线式开关电源IC 概述 AP8012H芯片内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，适用于小功率离线式开关电源。该芯片提供了完整的智 能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过压保护，过温保护和软启动功能。间歇工作模式能够降低系统处于待机模 式时的功耗；抖频技术有助于改善EMI特性。该芯片还内置高压启动模块，保证系统能迅速启动。 特征 应用领域 ■ 内置800V高雪崩能力智能功率MOSFET ■ 电磁炉电源 ■ 满足85~265V宽AC输入工作电压 ■ 小家电辅助电源 ■ 全电压半封闭式稳态输出功率6W(DIP-8封装) ■ 抖频技术改善EMI特性 封装/订购信息 ■ 间歇工作模式 ■ 软启动 ■ 内置高压启动电路 ■ 保护功能  过流保护（OCP）  过温保护（OTP）  VDD过压保护 订购代码 封装 AP8012HNEC-T1E DIP-8 AP8012HNEC-T1L DIP-8 AP8012HSEC-R1 SOP-8 典型应用 S n u b be r AC 8 5~ 2 6 5V VDD OTP B lock C ontrol B lock COMP DC O u tp u t SW S U P P LY & U V LO H V S tart B lock P W M S w itch & G ate D river FB B lock A P 8 0 1 2H GND 无锡新区 龙山路 旺庄科技创业中心 C 幢 13 层 电话：+86(510)85217718 网址：http://www.chipown.com RevA..1801 1 / 10 AP8012H 管脚定义 表 1. 管脚定义 SOP-8 管脚标号 DIP-8 管脚标号 管脚名 1,2 1,2 GND 3 3 COMP 4 4 VDD - 5 NC 空脚(DIP-8可接SW) 5,6,7,8 6,7,8 SW 功率MOS的漏极 管脚功能描述 功率MOS以及控制电路的参考地 反馈输入脚，用以确定功率MOS的峰值电流 控制电路的供电电源，启动时由高压启动管对VDD电容 进行充电，当达到UVLO启动电压时，启动过程结束 典型功率 表 2. 典型功率 封装 输入电压 稳态功率(1) 峰值功率(2) SOP-8 85-265 VAC 3.6W(12V300mA) 6W(12V500mA) DIP-8 85-265 VAC 6W(12V500mA) 8.4W(12V700mA) 备注： 1. 稳态功率在半封闭式 75°C 环境下测试，持续时间大于 2 小时。 2. 峰值功率在半封闭式 75°C 环境下测试，持续时间大于 1min。 极限工作范围 VDD 脚耐压……………………………………………………...…………….……………………….…….………-0.3~45V SW 脚耐压……………………………………………………..………………..………………………….…….…..…..-0.3~750V COMP 脚耐压…………………………….………………….……………………………………………………………-0.3~7V 结工作温度范围………………………………………………………………………..……….…..….…..….…..….….-40~150℃ 存储温度范围…………………………………………………………………………………………..….…..….…. ….-55~150℃ 管脚焊接温度 （10秒）……………………………………………….….……………………………..…………………...260℃ 封装热阻 RθJC （SOP-8）……………………………………………............….………….….…………………………….80℃/W 封装热阻 RθJC （DIP-8）………………………………………….............….…………….….…………………………….40℃/W 人体模式 ESD 能力(1)（HBM, ESDA/JEDEC JDS-001-2014）………………………………….………..….…..….……... ±4kV 空气模式ESD 能力(2)（静电测试仪对芯片引脚直接放电）……………………………………….………..….…..….……...8kV 漏极脉冲电流（Tpulse=100us）……………..…………………………………………………………………....…….…..…..…2A 备注：1. 产品委托第三方严格按照芯片级ESD标准(ESDA/JEDEC JDS-001-2014)中的测试方式和流程进行测试。 2. 此项测试为企业内部标准，结果仅供参考。 无锡新区 龙山路 旺庄科技创业中心 C 幢 13 层 电话：+86(510)85217718 网址：http://www.chipown.com Rev.A.1801 2 / 10 AP8012H 电气特性 (TJ =25°C, VDD= 15 V；特殊情况另行说明) 表 3. 功率部分 符号 参数 测试条件 BVDSS 功率管耐压 ISW =250uA IOFF 关态漏电流 VSW =550V 功率管导通电阻 ISW = 400mA, TJ =25°C RDSON 最小 典型 750 820 最大 单位 V 100 18 uA Ω 表 4. 控制部分 符号 参数 测试条件 最小 典型 最大 单位 欠压保护部分 VSTART 欠压保护启动电压 VCOMP=0V 13 14.5 16 V VSTOP 欠压保护关断电压 VCOMP=0V 7 8 9 V VHYS 欠压保护回差 VRST VDD 重新启动电压 6.5 V 5.5 6 6.5 V 40 45 50 kHz 振荡器部分 FOSC 开关频率 FD 抖频范围 ±5 kHz FM 调制频率 167 Hz DMAX TA = 25°C 65 最大占空比 80 90 % 反馈部分 ICOMP COMP关断电流 1.2 mA RCOMP COMP脚输入阻抗 1.15 kΩ 限流部分 ILIM 峰值电流 TA = 25°C TLEB 最小导通时间 LEB time tSS ID_BM 0.44 0.55 0.66 A 350 ns 软启动时间 10 ms 间歇工作模式工作电流 100 mA 无锡新区 龙山路 旺庄科技创业中心 C 幢 13 层 电话：+86(510)85217718 网址：http://www.chipown.com Rev.A.1801 3 / 10 AP8012H 过温保护部分 TSD 过温保护温度 THYST 过温保护回差 140 170 - °C 30 °C -1.2 mA 4 mA 0.6 mA 工作电流部分 VDRAIN = 105 V, ICH 启动管充电电流（SW 脚） VCOMP = GND, VDD = 12 V VDD = 16 V, AP8012H(E) 工作电流 VCOMP= 0V IDD AP8012H(L) VDD = 16 V, 工作电流 IDD VCOMP= 0V VDD 工作电压范围 VOVP VDD过压保护 IDD_OFF VDD欠压时消耗电流 After turn-on 10 37 VDD = 6V 100 40 35 V 43 V 400 uA 典型应用 图 1. 应用典型线路 无锡新区 龙山路 旺庄科技创业中心 C 幢 13 层 电话：+86(510)85217718 网址：http://www.chipown.com Rev.A.1801 4 / 10 AP8012H 典型参数曲线 950 40 BVDSS (V) RDS( on ) (Ω) 50 30 20 900 850 800 10 0 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 750 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 125 150 125 150 Junction Temperture(℃ ) Junction Temperture(℃ ) (a) RDS(on) vs Tj (b) BVDSS vs Tj 16.0 9.0 15.5 VSTOP (V) VSTART (V) 8.5 15.0 14.5 8.0 14.0 7.5 13.5 13.0 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 7.0 -50 -25 Junction Temperture(℃ ) 0 (c) VSTART vs Tj 50 42 48 75 100 VOVP (V) FOSC (kHz) 41 46 40 44 39 42 38 -50 50 (d) VSTOP vs Tj 43 37 25 Junction Temperture(℃ ) -25 0 25 50 75 100 125 150 Junction Temperture(℃ ) -50 -25 0 25 50 75 100 Junction Temperture(℃ ) (e) VOVP vs Tj 无锡新区 龙山路 旺庄科技创业中心 C 幢 13 层 40 (f) FOSC vs Tj 电话：+86(510)85217718 网址：http://www.chipown.com Rev.A.1801 5 / 10 AP8012H 功能描述 1. 启动 AP8012H 内部集成高压启动电路，启动时 SW 脚对 VDD 电源提供充电电流。当 VDD 电压达到 VSTART 电压时，内部高压启动电路关闭，VDD 电容的能量由变换器提供；当 VDD 电压低于 VSTOP ，芯片并不会 马上重新启动，只有当 VDD 电压低到 VRST 时，高压启动管开启并为 VDD 电容充电， 直至 VDD 电压达到 VSTART。 图 2. 启动电路 2. 软启动 启动阶段，漏极的最大峰值电流限制逐步的提高；可以大大减小器件的应力，防止变压器饱和。软启动 时间典型值为10ms。 3. 输出驱动 AP8012H采用优化的图腾柱结构，通过合理的输出驱动能力以及死区时间，得到较好的EMI特性和较低 的损耗。 4. 振荡器 AP8012H的振荡频率固定在45 kHz，无需外围电路进行设置。它含有特有的频率抖动技术，可以改善 EMI特性。 5. 反馈回路 反馈脚通过控制MOSFET的开通和关断实现输出的稳定。不同于传统的电压模式PWM控制电路， AP8012H采用电流控制方式（如图3所示），通过内部采样管得到流过功率MOS的电流。从COMP脚流入的 电流通过R2进行采样，采样电压（VR2）跟内部基准VR1比较；当VR2的电压超过内部基准电压时，则关断 MOSFET实现环路的控制。 图 3. 反馈电路 无锡新区 龙山路 旺庄科技创业中心 C 幢 13 层 电话：+86(510)85217718 网址：http://www.chipown.com Rev.A.1801 6 / 10 AP8012H 6. 前沿消隐 由于SW脚的寄生电容，当MOS开通瞬间存在较大的峰值电流，如果采样MOSFET采样到该信号，芯片 会进入过流保护状态。为了防止MOS开通瞬间引起电路误触发，过流保护电路在功率管开通一段时间（典 型值350ns）后才开始工作。 7. 欠压锁定 由于异常情况导致功率管被关闭后，VDD脚电压由于没有提供能量将会一直下降，当VDD电压下降到 VDD重新启动电压（VRST，典型值6V）时，欠压锁定电路被复位，内部高压电流源重新开始给VDD提供 能量。直至VDD电压上升到欠压锁定解除点（典型值14.5V）时，芯片开始正常工作，功率管正常开启和关 闭。通过这种控制方法，芯片在异常情况消除后能自动重启动。 8. 过温保护 功率MOSFET和控制芯片集成在一起，能保证温度采样电路更准确地采样功率管的温度信号，从而更及 时地对功率管进行保护。当芯片结温超过170℃时（典型值），芯片进入过温保护状态；直至结温回到140℃ （典型值）时，芯片重新开始工作。温度保护存在滞回，保证芯片不会出现热振荡现象。 无锡新区 龙山路 旺庄科技创业中心 C 幢 13 层 电话：+86(510)85217718 网址：http://www.chipown.com Rev.A.1801 7 / 10 AP8012H 封装尺寸（DIP-8） 表 5. DIP-8 封装尺寸 尺寸 最小值(mm) 最大值(mm) A 3.60 4.00 A1 0.51 A2 尺寸 最小值(mm) 最大值(mm) c1 0.23 0.27 —— D 9.05 9.45 3.00 3.40 E1 6.15 6.55 A3 1.55 1.65 e 2.54BSC b 0.44 0.53 eA 7.62BSC b1 0.43 0.48 eB 7.62 9.30 eC 0.00 0.84 L 3.00 —— 符号 B1 1.52BSC c 0.24 0.32 符号 图 4. 外形示意图 表层丝印 封装 AP8012H DIP-8 YWWXXXXX 备注：Y：年份代码； WW：周代码； XXXXX：内部代码 无锡新区 龙山路 旺庄科技创业中心 C 幢 13 层 电话：+86(510)85217718 网址：http://www.chipown.com Rev.A.1801 8 / 10 AP8012H 封装尺寸（SOP-8） 表 6. SOP-8 封装尺寸 尺寸 尺寸 最小(mm) 正常(mm) 最大(mm) 0.45 0.60 0.80 最小(mm) 正常(mm) 最大(mm) A 1.35 1.55 1.75 L A1 0.10 0.15 0.25 L1 1.04REF A2 1.25 1.40 1.65 L2 0.25BSC A3 0.50 0.60 0.70 R 0.07 — — b 0.38 — 0.51 R1 0.07 — — b1 0.37 0.42 0.47 h 0.30 0.40 0.50 c 0.17 — 0.25 θ 0° — 8° c1 0.17 0.20 0.23 θ1 15° 17° 19° D 4.80 4.90 5.00 θ2 11° 13° 15° E 5.80 6.00 6.20 θ3 15° 17° 19° E1 3.80 3.90 4.00 θ4 11° 13° 15° 符号 符号 1.270（BSC） e 图 5. 外形示意图 表层丝印 封装 AP8012H SOP-8 YWWXXXXX 备注：Y：年份代码； WW：周代码； XXXXX：内部代码 无锡新区 龙山路 旺庄科技创业中心 C 幢 13 层 电话：+86(510)85217718 网址：http://www.chipown.com Rev.A.1801 9 / 10 AP8012H 重要声明 无锡芯朋微电子股份有限公司保留更改规格的权利，恕不另行通知。无锡芯朋微电子股份有限公司对 任何将其产品用于特殊目的的行为不承担任何责任，无锡芯朋微电子股份有限公司没有为用于特定目 的产品提供使用和应用支持的义务。无锡芯朋微电子股份有限公司不会转让其专利许可以及任何其他 的相关许可权利。 无锡新区 龙山路 旺庄科技创业中心 C 幢 13 层 电话：+86(510)85217718 网址：http://www.chipown.com Rev.A.1801 10 / 10