ME8604AS7G

ME8604 高效率、低能耗非隔离稳压器 ME8604 概述 特点 ME8604是一款非隔离型稳压器。内部集成高压  输出最大功率： MOSFET。其应用外围简单，为小功率电源应用提供了 ME8604A：4W 低成本，高效率的解决方案。 ME8604B：10W ME8604也是一款具有省电模式的稳压器。当负载下 ME8604C：2W 降时，峰值电流与开关频率随之减小。因此在轻载时系统 ME8604D：6W 仍然能保持高效率。同时其内部还集成了欠压锁定，过温 ME8604E：10W 保护，过载保护，短路保护，开环保护等功能。ME8604  支持包括升压，升降压，反激等多种拓扑结构。 内置MOS管： ME8604A/C：650V/10Ω ME8604B：200V/0.5Ω ME8604D：650V/5Ω ME8604E：650V/3Ω  内置热保护自动恢复功能  最高频率 70kHz  内置高压启动  内部集成过载保护、短路保护功能  内部集成开环保护、过温保护  内部集成 BP 欠压锁定和过压保护功能 应用场合 封装形式  家用电器  7-pin SOP7、DIP7  工业电源  6-pin SOP6  待机电源 V08 www.microne.com.cn Page 1 of 14 ME8604 典型应用方案 D3 D2 1N4148 R4 900Ω 20k 1N4007 L2 1mH C6 C7 10uF 400V 10uF 400V 5 VIN NC 4 6 VIN BP 3 ME8604 SW R2 C3 2 220n FB CS 7 1 Rcs VIN AC 85V~265V C5 C4 2.2u 470p R3 5.1k L1 1.3mH 12V/0.3A VOUT 0.88Ω F1 D1 100uF 25V 10Ω 1W C1 C2 1uF R5 3k GND ME8604A 典型应用方案 VIN DC120V 5 VIN NC 4 6 VIN BP 3 D4 C7 ME8604 10uF 400V SW D3 D2 1N4148 R4 900Ω 20k ES1D R2 C3 2 220n FB CS 7 1 Rcs C5 C4 2.2u 470p R3 5.1k 0.65mH L1 12V/0.8A VOUT 0.4Ω ES2D D1 100uF 25V C1 C2 1uF R5 3k GND ME8604B 典型应用方案 D3 D2 1N4148 R4 900Ω 20k 1N4007 L2 1mH C6 10uF 400V C7 5 VIN NC 4 6 VIN BP 3 ME8604 10uF 400V SW F1 C3 2 220n 7 VIN AC 85V~265V R2 CS FB Rcs 1 C5 C4 2.2u 470p R3 5.1k L1 3.3mH 12V/0.17A VOUT 1.3Ω D1 100uF 25V 10Ω 1W C1 C2 1uF R5 3k GND ME8604C 典型应用方案 V08 www.microne.com.cn Page 2 of 14 ME8604 选购指南 ME 86 04 X X G 环保标识 封装形式 S7：SOP7 S6：SOP6 D7：DIP7 版本或功能 产品品种号 产品类别号 公司标志 产品型号 产品说明 ME8604AS7G 内置 MOS: 650V/10Ω；最大 4W 输出功率；封装形式：SOP7 ME8604AS6G 内置 MOS: 650V/10Ω；最大 4W 输出功率；封装形式：SOP6 ME8604BS7G 内置 MOS:200V/0.5Ω；最大 10W 输出功率；封装形式：SOP7 ME8604BS6G 内置 MOS:200V/0.5Ω；最大 10W 输出功率；封装形式：SOP6 ME8604CS7G 内置 MOS: 650V/10Ω； 最大 2W 的输出功率；封装形式： SOP7 ME8604DD 7G 内置 MOS: 650V/5Ω；最大 5W 的输出功率；封装形式：DIP7 ME8604ED7G 内置 MOS: 650V/3Ω；最大 10W 的输出功率；封装形式：DIP7 注：如您需要其他电压值或封装形式的产品，请联系我司销售人员。 V08 www.microne.com.cn Page 3 of 14 ME8604 产品脚位图 FB 1 SW 2 BP 3 6 NC 4 5 7 FB 1 SW 2 VIN BP 3 VIN NC 4 CS 6 CS ME8604 ME8604 5 SOP7 VIN FB 1 7 CS SW 2 BP 3 6 VIN NC 4 5 VIN ME8604 SOP6 DIP7 脚位功能说明 PIN 脚位 PIN 脚位 PIN 脚位 (SOP7) (SOP6) (DIP7) 1 1 1 FB 稳压器反馈管脚 2 2 2 SW 系统开关管脚、芯片地、功率 MOS 管的源极 3 3 3 BP 芯片电源 4 4 4 NC 无连接 5,6 5 5,6 VIN 系统输入管脚、功率 MOS 管的漏极 7 6 7 CS 电流采样引脚 符号名 功能说明 芯片功能示意图 VIN BP HVStartup & Regulator BANDGAP UVLO VIN VREF OTP OTP UVLO VREF PWM Comparator SR & LOGIC FB Driver CS Comparator OSC Leading edge Blanking VCS Green mode SW V08 www.microne.com.cn CS Page 4 of 14 ME8604 绝对最大额定值 参数 极限值 单位 SW与VIN管脚间电压（ME8604A/C/D/E） -0.3~650 V SW与VIN管脚间电压（ME8604B） -0.3~200 V FB、CS管脚电压 -0.3~6.5 V BP管脚电压 -0.3~40 V SOP7、SOP6 86 ºC/W DIP7 74 ºC/W SOP7、SOP6 1.45 W DIP7 1.69 W 储存温度范围 -55~+150 ºC 工作环境温度范围 -40~+85 ºC 结温范围 -40~+150 ºC 封装热阻（结到空气） 封装功耗 电气参数（正常情况下，环境温度为 25 ºC） 符号 参数 ICHRG 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 VIN 内部充电电流 2.5 3.5 4.5 mA VBD VIN 端口耐压 (ME8604A/C/D/E) 650 - - V VBD VIN 端口耐压(ME8604B) 200 - - V IBPQ BP 端口静态电流 BP=VSTARTUP+0.1V， FB=2V - 730 - uA IBPQN BP 端口静态电流（无开关） BP=VSTARTUP+0.1V， FB=3V - 230 - uA VSTARTUP BP 启动电压 9.2 10.2 11.2 V VRESTART BP 再启动电压 8.3 9.3 10.3 V VBPOFF BP 关断电压 - 3.1 - V VLIMIT BP 过压嵌位电压 10.2 11.2 12.2 V CS 峰值电压 ME8604A/B/D/E 450 500 550 VPEAK ME8604C 650 710 770 mV TLEB 前沿消隐时间 - 350 - ns VFB 反馈电压 2.60 2.65 2.70 V TMAXON 最大导通时间 - 26 - us TMINOFF 最小关断时间 - 15 - us TSCP 短路保护延迟时间 - 150 - ms VOLP FB 过载保护电压 1.4 1.58 1.65 V TSD 热关断温度 - 155 - ℃ V08 BP=VSTARTUP+0.1V www.microne.com.cn Page 5 of 14 ME8604 典型性能参数 VIN = 230V AC, VOUT = 12V , IOUT = 300mA, L=1.3mH, C=100μF, T=25℃ V08 www.microne.com.cn Page 6 of 14 ME8604 VIN = 115V AC, VOUT = 12V, L=1.3mH, C=100μF, T=25℃ VOUT = 12V, L=1.3mH, C=100μF, T=25℃ 效率随输出电流变化曲线 81% 80% 效率/% 79% 85V AC 115V AC 230V AC 265V AC 78% 77% 76% 75% 75 V08 100 125 150 175 200 225 输出电流/mA www.microne.com.cn 250 275 300 Page 7 of 14 ME8604 输出电压随温度变化曲线 13 12.9 电压/V 12.8 12.7 12.6 12.5 12.4 12.3 -40 -25 -10 5 20 35 50 65 温度/℃ 80 95 110 125 原理描述 ME8604 内部集成高压 MOS 管，芯片上电时高压启动通过 VIN 为 BP 电容充电，当 BP 电压高过开启电压后芯片 开始工作。然后将内部高压功率 MOS 打开，从而有电流流过 CS 电阻，当 CS 脚电压高于内部比较基准 0.48V 时，将 内部高压管关断。如此往复不断给输出电容提供能量，当输出电压达到预设值时，FB 通过与内部基准 2.65V 比较后， 周期性关断内部高压 MOS 管，从而达到控制系统能量平衡的目的。 反馈电阻与输出电压设定 R2、R3 为反馈电阻，合理分配 R2 与 R3 的值，使得 FB 管脚电压维持在 2.65V。系统输出电压的值由反馈电阻 决定，计算公式如下： VOUT=2.65V× R 2 +R3 R3 其中， Vout 为系统的输出电压。建议 R 3 的取值不要太大，最好在4k到10kΩ之间。 反馈电容选取 反馈电容C4起到了采样维持的功能。若该电容过小，接小负载会影响稳压性能；若该电容过大，则会影响系统功 能。C4电容值的选取范围如下： Vout Co 1 Vout Co  CFB  2 R2 +R3 Io R2 +R3 Io 电感参数选取 ME8604 有最小关断时间，它能够决定最大输出功率。随着电感 L1 的增大，系统的最大输出功率也会随之变大， 最大输出功率的公式如下： V08 www.microne.com.cn Page 8 of 14 ME8604 VO  Tmin off ), CCM 2L 1 1  L  Ipeak 2 , DCM 2 Tmin off Po max  VO (Ipeak  Po max Pomax 为最大输出功率，VO 为输出电压，Ipeak 为电感的峰值电流，Tminoff 为最小停机时间，L 为电感。 选取电感的原则在于，当 Ipeak 与 Tminoff 的值不变时，改变电感值，使最大输出功率的最小值大于额定功率。 整流二极管选取 二极管 D1 的反向电压要大于最大输入电压，流过其的电流由输出电流决定。除此之外，二极管的反向恢复时间会 影响系统运行时的效率。在 CCM 工作模式下，反向恢复时间最好小于 35ns；DCM 工作模式下，反向恢复时间小于 75ns。 输出电容选取 输出电容C1可以稳定输出电压，减小纹波。输出电压的纹波公式如下： VCCM _ ripple  I L  I L RESR , 8fSCO VDCM _ ripple  I O Ipk  IO 2 ( )  IpkRESR , fSCO Ipk CCM DCM 辅助供电 如果输出电压值比BP端电压高，可以通过连接二极管D3以及电阻R4提供芯片辅助供电电压并降低系统功耗。通 过上述设置，BP端电压可在11.2V嵌位，芯片内部的控制器将会关闭。对于高于11.2V的输出电压，R4值可由以下公 式计算： R4  VO  11.2V 230A PCB布局建议 在设计 ME8604 的 PCB 板时，需注意以下事项： （1）减小输入电容、芯片、整流二极管、电感及输出电容间的环路； （2）在芯片 FB 管脚及 SW 管脚之间加值为几 nF 的电容，并尽可能靠近芯片； （3）VIN 管脚需焊接在铜箔面积较大的焊盘上，以提高散热性能。 V08 www.microne.com.cn Page 9 of 14 ME8604 其它应用拓扑结构 High-Side Buck-Boost + 5 VIN NC 4 6 VIN BP 3 ME8604 SW VIN 7 CS FB 2 1 GND - + VOUT Boost + + 5 VIN NC 4 6 VIN BP 3 ME8604 SW VIN 7 FB CS 2 VOUT 1 - GND Flyback + T VIN - 5 VIN NC 4 6 VIN BP 3 CS SW 2 FB 1 + VOUT - ME8604 7 V08 www.microne.com.cn Page 10 of 14 ME8604 封装信息  封装形式：SOP7 尺寸（mm） 参数 尺寸（Inch） 最小值 最大值 最小值 最大值 A 1.35 1.75 0.0531 0.0689 A1 0.05 0.25 0.002 0.0098 A2 1.25 1.65 0.0492 0.065 A3 0.5 0.7 0.0197 0.0276 b 0.33 0.51 0.013 0.0201 c 0.17 0.25 0.0067 0.0098 D 4.7 5.1 0.185 0.2008 E 5.8 6.2 0.2283 0.2441 E1 3.8 4 0.1496 0.1575 e 1.27(TYP) 0.05(TYP) h 0.25 0.5 0.0098 0.0197 L 0.4 1.27 0.0157 0.05 L1 1.04(TYP) θ 0 c1 0.0409(TYP) 8° 0.25(TYP) V08 www.microne.com.cn 0 8° 0.0098(TYP) Page 11 of 14 ME8604  封装形式：SOP6 尺寸（mm） 参数 最小值 尺寸（Inch） 最大值 A 最小值 最大值 1.75 0.0689 A1 0.1 0.225 0.0039 0.0089 A2 1.3 1.5 0.0512 0.0591 A3 0.6 0.7 0.0236 0.0276 b 0.39 0.47 0.0154 0.0185 c 0.2 0.24 0.0079 0.0094 D 4.8 5 0.1890 0.1969 E 5.8 6.2 0.2283 0.2441 E1 3.8 4 0.1496 0.1575 e 1.27(TYP) L 0.5 L1 0.05(TYP) 0.8 0.0197 1.05(TYP) 0.0315 0.0413(TYP) L2 0.3 0.5 0.0118 0.0197 θ 0 8° 0.0000 8° c1 0.25(TYP) V08 www.microne.com.cn 0.0098(TYP) Page 12 of 14 ME8604  封装形式：DIP7 尺寸（mm） 参数 A 尺寸（Inch） 最小值 最大值 最小值 最大值 3.6 5.33 0.1417 0.2098 A1 0.5(TYP) 0.0197(TYP) A2 3.1 3.6 0.1220 0.1417 A3 1.4 1.65 0.0551 0.0650 b 0.38 0.57 0.0150 0.0224 B1 1.52(TYP) 0.0598(TYP) C 0.2 0.36 0.0079 0.0142 D 9 9.4 0.3543 0.3700 E1 6.1 6.6 0.2402 0.2598 eA 7.62(TYP) eB 7.62 e 0.3(TYP) 10.9 0.3000 2.54(TYP) 0.4291 0.1(TYP) eC 0 1.52 0.0000 0.0598 L 2.93 3.81 0.1154 0.1500 V08 www.microne.com.cn Page 13 of 14 ME8604  本资料内容，随产品的改进，会进行相应更新，恕不另行通知。使用本资料前请咨询我司销售人 员，以保证本资料内容为最新版本。  本资料所记载的应用电路示例仅用作表示产品的代表性用途，并非是保证批量生产的设计。  请在本资料所记载的极限范围内使用本产品，因使用不当造成的损失，我司不承担其责任。  本资料所记载的产品，未经本公司书面许可，不得用于会对人体产生影响的器械或装置，包括但 不限于：健康器械、医疗器械、防灾器械、燃料控制器械、车辆器械、航空器械及车载器械等。  尽管本公司一向致力于提高产品质量与可靠性，但是半导体产品本身有一定的概率发生故障或错 误工作，为防止因此类事故而造成的人身伤害或财产损失，请在使用过程中充分留心备用设计、 防火设计、防止错误动作设计等安全设计。  将本产品或者本资料出口海外时，应当遵守适用的进出口管制法律法规。  未经本公司许可，严禁以任何形式复制或转载本资料的部分或全部内容。  V08 www.microne.com.cn Page 14 of 14