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K12 THRU KllO 表面安装肖特基整流管 Surface Mount Schottky Rectifier • 特性Featu 「 es • 外型尺寸和标记 Outline Dimensions and Mark • 超薄的封装 Low-profile package • 适合千自动化放置 ＼ Ultrafast reverse recovery time �曰p I I • 超速的反向恢复时间 • 低损耗效率高 Low power loss.high efficiency • 低正向电压降 Low forward voltage drop • 高过载能力 High surge capability • 高温焊接终端260 C /10秒 High temperature soldering 260 C /10seconds at terminals ．机械数据 Mechanical Data • 土I 符合JEDEC SOD123FL的塑封本体和钝化芯片的封装 Cose:JEDEC SOD-123FL molded Plastic body over passivated chip • 终端：锁锡焊符合 J-STD-002B and JESD22-B102D Terminals:solder plated solderable pe 「 」-STD-002B and」ESD22-B102D I � Ldeal for automated p1acement l\ \ 厂11 。[[] D旧 I HIN 0.9 0.0 0.7 0.13 t6 2.6 053 3.50 A A1 B C D ., 尸』 Unit, mm E L HE TYP NAX 1.05 0.03 O.BO 0.15 1.30 0.1 1.0 0.2 2.0 3.0 0.73 3.90 1.8 2.8 0.63 3.70 • 极性激光带标记端为负极 Polarity:Laser band denotes cathode end 最大额定参数及热特性和电特性 Maximum Ratings & Thermal Characteristics and Electrical Characteristics 在25 环境温度下评级除非另有说明。 型号 Rating at 25 ambient temperature unless otherwise specified Type Number Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage 最大重复峰值反向电压 Maximum RMS Voltage 最大电压有效值 最大直流阻断电压 Maxirnurn DC Blocking Voltage 最大平均整流输出电流 Maximum Average Forward Rectified Current@ T 1 =110 。C 在＠兀 =not 的条件下 峰值正向冲击电流8.3 亳秒 Peak Forward surge Current,8.3 ms singe 在额定的半弦波叠加条件下 Half Sine-wave superimposed on Rated 负载符合 ( JEDEC方法） 最大瞬时正向电压@ 1.OA K12 K13 K14 K15 K16 K18 VRRM 20 30 40 50 60 80 100 14 21 28 35 42 56 20 30 40 50 60 80 100 v 邸 Voc 70 单位 Units V V V 1.0 A 25.0 A L (Av) IFSM KllO Load (JEDEC method) Maximum Lnstantaneous Forward Voltage @l. OA 最大直流反向电流@T A =25'c Maximum DC Reverse @吓 =25'c 额定电流阻断电压＠吓 =25°c 典型的结电容（注1) 符号 Symbol at Rated DC Blocking Voltage @ T A =100°c Typical Junction Capacitance at 4.0V, 1MHz VF 0. 70 0.55 10 L C 0.85 V 5 mA 110 pF 操作温度范围 Operating Temperature Range Ti -65 to +125 "c 存储温度范围 Storage Temperature Range 沁 —65 to +125 t K12 THRU KllO 表面安装肖特基整流管 Surface Mount Schottky Rectifier ｀ 0.8 Slagle Phase Half Wave 60Hz Resistive o, loductlve Load 06 0.4 0.2 。 尸· 0 ｀ — DSS12-DSS16 ---DSS17-DSS120 25 50 75 100 125 ｀ ｀ ｀ 150 S山丘山dWV 尸N山��n838�nsO�'v' M�O.:l>t 'v' 3d S山丘山dWV ' JN3��n8o山一 LL -5 山ao工WW工0LL 39泛 山＞ v FIG. 1- FORWARD CURRENT DERATING CURVE 2010 1 。 S山丘3dWV户N山丘工n:::> 0丘VNaoLLsn0山N产 N产 SN 山丘 户 ＞ 丘 山Q工工NN o 山N Sn 山 Nl —- DSS12-DSS14 DSS15-DSS16 - - - DSS17-DSS115 ----- DSS120 0.4 0.6 1.0 0.8 20 15 山 1000 1.1 、 户、、 三、 100 I I 二） 10 0.1 11 I DSS12-DSS14 - - -DSS15-DSS120 - 至 (_)I- 告＜ S FIG. 5-TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE 11 111 TJ =25它 、、、 111111 11 110 10 REVERSE VOLTAGE,VOLTS 、 r-.... ＼ 5.0 100 、、 、、 。。 。 山 S 江山d -T T 100 NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz V sl V 山V Vn INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE, VOLTS 2000 (JEDEC Method) 10 F G 4 TY p cAL REvERs E cHARAcT ER sT TJ 100°C I 。 。。 cs __, 硬卢 TJ 75°C 0.001 LL ＼、 111111 I I 1111 8 3ms SINGLE HALF SINE-WAVE 10 W FIG. 3-TYPICAL INSTANTANEOUS FORWARD CHARACTERISTICS 0.2 25 175 AMBIENT TEMPERATURE, °C O.D1 FIG. 2-MAXIMUM NON-REPETITIVE PEAK FORWARD SURGE CURRENT 30 TJ 25"C 。 20 I 40 60 80 PERCENT OF PEAK REVERSE VOLTAGE,% 100