AT2659S

杭州中科微电子有限公司 L1频段卫星导航射频前端低噪声放大器芯片 1. 概述 AT2659S 是一款具有低功耗、高增益、低噪声系数的低噪声放大器（LNA） 芯片，支持L1频段多模式全球卫星定位，可以应用于北斗二代、GPS、伽利略、 Glonass等GNSS导航设备中。芯片采用先进的SiGe工艺制造，采用2.9 mm ×2.8 mm ×1.1 mm的6 pin SOT23-6封装。 应用 导航天线 集成导航功能的手机 自动导航 定位功能移动设备 个人导航仪 笔记本/PAD 水下导航 航空设备 AT2659S 地址：杭州市 滨江区江南大道3850号创新大厦10F 第 1页 杭州中科微电子有限公司 主要特点  支持北斗、GPS、GALILEO、GLONASS等L1频段的多个卫星导航系统；  典型噪声系数：0.8dB；  典型功率增益：20dB；  典型输入P1dB：-15dBm；  工作频率：1550MHz ～ 1615MHz；  电流消耗：4.4mA;  宽供电电压范围：1.4V ~ 3.6V;  2.0KV HBM ESD管脚保护电路；  内部集成的50Ω输出匹配电路；  外围电路简单 2. 管脚、功能和典型应用框图 图1. 典型应用框图 AT2659S 地址：杭州市 滨江区江南大道3850号创新大厦10F 第 2页 杭州中科微电子有限公司 表1. 管脚说明 管脚 名称 功能 1 RFIN 射频输入 2、3 GND 接地 4 RFOUT 射频输出 5 SHDN 工作（高电平）,休眠(低电平), 6 VDD 电源 表1. 外围元件说明 AT2659S 元件标号 描述 C1 输入隔直电容，470 pF L1 输入匹配电感，6.8 nH C2 电源旁路电容，0.1 uF(可选) C3 电源旁路电容，100 pF(可选) 地址：杭州市 滨江区江南大道3850号创新大厦10F 第 3页 杭州中科微电子有限公司 3. 绝对最大额定值 参数 单位 最小值 最大值 电源电压 V 0 3.6 芯片控制引脚电压 V 0 3.6 芯片射频输入引脚电压 V 0 1.0 芯片存储温度范围 ℃ -60 +160 芯片工作温度范围 ℃ -40 +85 4. 直流电学特性 参数 条件 电源电压 电源电流 SHDN =1 最小值 典型值 最大值 单位 1.4 2.85 3.6 V 3.8 4.4 5.1 mA 4 uA SHDN =0 数字输入逻辑高电平 1.1 V 数字输入逻辑低电平 RFIN 直流偏置电压 0.4 SHDN =1 V 0.83 V 5.交流电学特性：表一（中心频率1575.42 MHz，2.85V供电电压下） 参数 条件 工作频率 最小值 典型值 最大值 单位 1550 1575.42 1615 MHz 功率增益 噪声系数 AT2659S 注1 地址：杭州市 滨江区江南大道3850号创新大厦10F 20.0 dB 0.8 dB 第 4页 杭州中科微电子有限公司 L1:6.8nH 13 dB L1:7.5nH 20 dB 输出回损 15 dB 反向隔离 33 dB -6 dBm -15 dBm 输入回损 输入IP3 注2 输入P1dB 注1：扣除PCB，SMA及其他板级接入损耗0.2dB； 注2：采用偏离中心频率(1575.42MHz)分别为-2MHz和2MHz的两路输入信号， 输入信号强度为-40dBm； 6.交流电学特性：表二（中心频率1561.098 MHz，2.85V供电电压下） 参数 条件 工作频率 最小值 典型值 最大值 单位 1550 1561.098 1615 MHz 功率增益 20.0 dB 噪声系数 注1 0.8 dB 输入回损 L1:6.8nH 14 dB L1:7.5nH 20 dB 输出回损 15 dB 反向隔离 34 dB -6 dBm -15 dBm 输入IP3 注2 输入P1dB 注1：扣除PCB，SMA及其他板级接入损耗0.2dB； AT2659S 地址：杭州市 滨江区江南大道3850号创新大厦10F 第 5页 杭州中科微电子有限公司 注2：采用偏离中心频率(1561.098MHz)分别为-2MHz和2MHz的两路输入信号， 输入信号强度为-40dBm； 7.交流电学特性：表三（中心频率1602 MHz，2.85V供电电压下） 参数 条件 工作频率 最小值 典型值 最大值 单位 1550 1602 1615 MHz 功率增益 20.0 dB 噪声系数 注1 0.8 dB 输入回损 L1:6.8nH 14 dB L1:7.5nH 20 dB 输出回损 15 dB 反向隔离 33 dB -6 dBm -15 dBm 输入IP3 注2 输入P1dB 注1：扣除PCB，SMA及其他板级接入损耗0.2dB； 注2：采用偏离中心频率(1602MHz)分别为-2MHz和2MHz的两路输入信号，输入 信号强度为-40dBm； AT2659S 地址：杭州市 滨江区江南大道3850号创新大厦10F 第 6页 杭州中科微电子有限公司 8. 典型工作特性 典型工作条件为：评估板板级测试，温度为25℃，电源电压为2.85V，输入 信号为中心频率的信号（另有说明除外） 。 NF vs. Supply Voltage 1.100 1.075 1.050 NF (dB) 1.025 1.000 0.975 0.950 0.925 0.900 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 Supply Voltage(V) 图一、噪声系数与供电电压的曲线 NF vs. RF Frequency 1.150 1.125 1.100 NF (dB) 1.075 1.050 1.025 1.000 0.975 0.950 0.925 0.900 1450 1500 1550 1600 1650 1700 Frequency (GHz) 图二、噪声系数与工作频率的曲线 AT2659S 地址：杭州市 滨江区江南大道3850号创新大厦10F 第 7页 杭州中科微电子有限公司 Power Gain vs. Supply Voltage 20 Power Gain (dB) 15 10 5 0 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 Supply Voltage (V) 图三、功率增益与供电电压的曲线 20 S21 vs. RF Frequency 18 S21 (dB) 16 14 12 10 8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 Frequency (GHz) 图四、功率增益与工作频率的曲线 AT2659S 地址：杭州市 滨江区江南大道3850号创新大厦10F 第 8页 杭州中科微电子有限公司 S11 vs. RF Frequency -2 -4 -6 S11 (dB) -8 -10 -12 -14 -16 -18 -20 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 Frequency (GHz) 图五、输入回损与工作频率的曲线 S22 vs. RF Frequency 0 -2 S22 (dB) -4 -6 -8 -10 -12 -14 -16 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 Frequency (GHz) 图六、输出回损与工作频率的曲线 6. 封装说明 AT2659S 地址：杭州市 滨江区江南大道3850号创新大厦10F 第 9页 杭州中科微电子有限公司 AT2659S 地址：杭州市 滨江区江南大道3850号创新大厦10F 第 10页