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FD2103S

FD2103S

  • 厂商:

    FORTIORTECH(峰岹科技)

  • 封装:

    SOP8_150MIL

  • 描述:

    180V 半桥栅极驱动器

  • 数据手册
  • 价格&库存
FD2103S 数据手册
FD2103C&S 180V 半桥栅极驱动器 FD2103C&S 产品特点 概述  悬浮绝对电压+180V 芯片,设计用于高压、高速驱动 N 型功率  输出电流+1.0A/-1.0A MOSFET。  3.3V/5V输入逻辑兼容 FD2103C&S 内置欠压(UVLO)保护功  VCC欠压保护(UVLO) 能,防止功率管在过低的电压下工作,提高  高端输出与高端输入同相 效率。  低端输出与低端输入反相  内置直通防止功能  内置100ns死区时间 FD2103C&S 内置直通防止和死区时间, im in a 防止功率管发生直通,有效保护功率器件。 ry FD2103C&S 是一款半桥栅极驱动电路 应用 封装 电机驱动 Pr el DC-DC转换器 www.fortiortech.com FD2103C&S 1. 绝对最大额定值(除非特殊说明,所有管脚均以 COM 为参考点) 符号 范围 单位 高侧浮动绝对电压 VB -0.3~205 V 高侧浮动偏移电压 VS VB-25~VB+0.3 V 高侧输出电压 VHO VS-0.3~VB+0.3 V 低侧供电电压 VCC -0.3~25 V 低侧输出电压 VLO -0.3~VCC+0.3 V 逻辑输入电压(HIN, LIN*) VIN -0.3~VCC+0.3 V dVS/dt ≤50 V/ns ≤0.625 W ≤0.525 W 偏移电压压摆率范围 功率耗散@TA≤25C SOIC-8 CPC-8 SOIC-8 结对环境的热阻 CPC-8 结温范围 PD ry 参数 RthJA Tj Tstg C/W ≤240 C/W ≤150 C -55~150 C im in a 储存温度范围 注 1:在任何情况下,不要超过 PD。 ≤200 注 2:电压超过绝对最大额定值,可能会损坏芯片。 2. 推荐工作条件(所有电压均以 COM 为参考点) 参数 高侧浮动绝对电压 高侧输出电压 低侧供电电压 低侧输出电压 el 高侧浮动偏移电压 逻辑输入电压(HIN, LIN*) 符号 最小值 最大值 单位 VB VS+10 VS+20 V VS -5 180 V VHO VS VB V VCC 10 20 V VLO 0 VCC V VIN 0 VCC V Pr 环境温度 TA -40 125 C 注 1:芯片长久工作在推荐工作条件外,可能会影响其可靠性,不建议芯片在推荐工作条件之外长期工作。 注 2:对于 CPC8 封装,建议 VS 电压不超过 100V。 REV_Preliminary_0.5 3 www.fortiortech.com FD2103C&S 3. 静态电气参数(除非特别注明,否则 TA =25C,VCC=VBS=15V,VS=COM) 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 高电平输入阈值电压 VIH 2.7 -- -- V 低电平输入阈值电压 VIL -- -- 0.8 V VCC 欠压保护跳闸电压 VCCUV+ 8.0 8.9 9.8 V VCC 欠压保护复位电压 VCCUV- 7.3 8.2 9.1 V VCC 欠压保护迟滞电压 VCCUVH 0.5 0.7 -- V 悬浮电源漏电流 ILK VB=VS=180V -- 0.1 5.0 μA VBS 静态电流 IQBS VIN=0V 或 5V -- -- 200 μA VCC 静态电流 IQCC VIN =0V 或 5V -- 300 600 uA LIN*高电平输入偏置电流 ILIN+ VLIN*=0V -- 60 120 μA LIN*低电平输入偏置电流 ILIN- VLIN*=5V HIN 高电平输入偏置电流 IHIN+ VHIN=5V HIN 低电平输入偏置电流 IHIN- VHIN=0V 高电平输出电压 VOH IO=20mA 高电平输出短路脉冲电流 低电平输出短路脉冲电流 VS 静态负压 2 μA -- 60 120 μA -- -- 2 μA -- 0.14 0.28 V -- 0.08 0.16 V ry -- im in a 低电平输出电压 -- VOL IO=20mA IOH VO=0V,PWD≤10μs 0.7 1.0 -- A IOL VO=15V,PWD≤10μs 0.7 1.0 -- A -- -6.5 -- V VSN 4. 动态电气参数(除非特别注明,否则 TA =25C,VCC=VBS=15V,CL=1000pF,VS=COM) 参数 ton 测试条件 CL=1000pF el 输出上升沿传输时间 符号 最小值 典型值 最大值 单位 -- 150 270 ns 输出下降沿传输时间 toff CL=1000pF -- 50 100 ns 输出上升时间 tr CL=1000pF -- 15 -- ns tf CL=1000pF -- 15 -- ns DT -- 100 200 ns MT -- -- 50 ns 输出下降时间 Pr 死区时间 高低侧延时匹配 REV_Preliminary_0.5 4 www.fortiortech.com FD2103C&S 5. 电路框图 VCC 1 8 VB 欠压检测 脉冲 滤波 VREG/VCC 电平转换 HIN 2 脉冲 产生 高侧驱动 7 HO VS VCC VREG/VCC 电平转换 低侧驱动 5 LO ry 低端延时 im in a COM 4 VCC 1 8 VB HIN 2 7 HO Pr FD2103C&S LIN* 3 6 VS COM 4 5 LO el 6. 芯片引脚配置 图 6-1 封装管脚图 表 6-1 管脚说明 管脚号 管脚名称 1 VCC 低侧供电电压 2 HIN 高侧输入 3 LIN* 低侧输入 4 COM 5 LO 接地 低侧输出 6 VS 高侧浮动偏移电压 7 HO 高侧输出 8 VB 高侧浮动绝对电压 REV_Preliminary_0.5 Q 6 死区时间 控制与 直通防止 LIN* 3 R S 管脚描述 5 www.fortiortech.com FD2103C&S 7. 逻辑时序图 HIN LIN* HO DT DT DT LO ry 直通保护 8. 开关时间测试标准 50% 50% im in a HIN ton tr toff 90% HO tf 90% 10% 50% LIN* 50% tr toff el ton 10% 90% tf 90% LO 10% 10% Pr 9. 传输时间匹配测试标准 50% 50% 50% 50% HIN LIN* MT LO HO 90% 10% MT REV_Preliminary_0.5 6 www.fortiortech.com FD2103C&S 10. 死区时间测试标准 HIN 50% 50% LIN* HO 50% 50% DT DT LO 50% 50% ry 11. 典型应用电路 DBS im in a HV VCC VCC VB 高压侧器件 HIN C1 LIN* R HO HIN FD2103C&S CBS VS LIN* COM 低压侧器件 R Pr el LO 接负载 C1:电源滤波电容,根据电路情况可选择 1μF~100μF,尽可能的靠近芯片管脚。 R:栅极驱动电阻,阻值根据被驱动器件而定。 Dbs:自举二极管,应选择高反向击穿电压的肖特基二极管。 Cbs:自举电容,应选择陶瓷电容或钽电容,根据电路情况可选择 1μF~50μF,电容应尽可能的靠近 芯片管脚。 注:以上线路及参数仅供参考,实际的应用电路根据实测结果设定参数。 REV_Preliminary_0.5 7 www.fortiortech.com FD2103C&S 12. 封装尺寸 Pr el im in a ry 12.1 CPC-8 封装尺寸 产品型号 封装形式 Marking 包装方式 数量 FD2103C CPC8 FD2103C Tape&Reel 15000 REV_Preliminary_0.5 8 www.fortiortech.com FD2103C&S Dimensions In Millimeters Symbol Min 0.45 0.07 0.07 0.30 0° 15° 11° 15° 11° Dimensions In Inches Nom Max Min Nom Max 1.55 0.15 1.40 0.60 0.42 0.20 4.90 6.00 3.90 1.75 0.25 1.65 0.70 0.51 0.47 0.25 0.23 5.00 6.20 4.00 0.053 0.004 0.049 0.020 0.015 0.015 0.007 0.007 0.189 0.228 0.150 0.061 0.006 0.055 0.024 0.017 0.008 0.193 0.236 0.154 0.069 0.010 0.065 0.028 0.020 0.019 0.010 0.009 0.197 0.244 0.157 0.60 0.80 0.018 0.024 0.031 0.003 0.003 0.012 0° 15° 11° 15° 11° 0.016 17° 13° 17° 13° 0.020 8° 19° 15° 19° 15° el 1.36 0.10 1.25 0.50 0.38 0.37 0.17 0.17 4.80 5.80 3.80 Pr A A1 A2 A3 b b1 c c1 D E1 E e L L1 L2 R R1 h θ θ1 θ2 θ3 θ4 im in a ry 12.2 SOIC-8 封装尺寸 1.27BSC 1.04REF 0.25BSC 0.40 17° 13° 17° 13° 0.50 8° 19° 15° 19° 15° 产品型号 封装形式 Marking 包装方式 数量 FD2103S SOP8 FD2103S Tape&Reel 3000 REV_Preliminary_0.5 9 www.fortiortech.com FD2103C&S Copyright Notice Copyright by Fortior Technology (Shenzhen) Co., Ltd. All Rights Reserved. Right to make changes —Fortior Technology (Shenzhen) Co., Ltd reserves the right to make changes in the products - including circuits, standard cells, and/or software - described or contained herein in order to improve design and/or performance. The information contained in this manual is provided for the general use by our customers. Our customers should be aware that the personal computer field is the subject of many patents. Our customers should ensure that they take appropriate action so that their use of our products does not infringe upon any patents. It is the policy of Fortior Technology (Shenzhen) Co., Ltd. to respect the valid patent rights of third parties and not to infringe upon or assist others to infringe upon such rights. im in a ry This manual is copyrighted by Fortior Technology (Shenzhen) Co., Ltd. You may not reproduce, transmit, transcribe, store in a retrieval system, or translate into any language, in any form or by any means, electronic, mechanical, magnetic, optical, chemical, manual, or otherwise, any part of this publication without the expressly written permission from Fortior Technology (Shenzhen) Co., Ltd. Fortior Technology(Shenzhen) Co.,Ltd. Room203,2/F, Building No.11,Keji Central Road2, Software Park, High-Tech Industrial Park, Shenzhen, P.R. China 518057 Tel: 0755-26867710 Fax: 0755-26867715 URL: http://www.fortiortech.com Pr el Contained herein Copyright by Fortior Technology (Shenzhen) Co.,Ltd all rights reserved. REV_Preliminary_0.5 10 www.fortiortech.com
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    •  国内价格
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    • 10+0.49600
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