FD2103C&S
180V 半桥栅极驱动器
FD2103C&S
产品特点
概述
悬浮绝对电压+180V
芯片,设计用于高压、高速驱动 N 型功率
输出电流+1.0A/-1.0A
MOSFET。
3.3V/5V输入逻辑兼容
FD2103C&S 内置欠压(UVLO)保护功
VCC欠压保护(UVLO)
能,防止功率管在过低的电压下工作,提高
高端输出与高端输入同相
效率。
低端输出与低端输入反相
内置直通防止功能
内置100ns死区时间
FD2103C&S 内置直通防止和死区时间,
im
in
a
防止功率管发生直通,有效保护功率器件。
ry
FD2103C&S 是一款半桥栅极驱动电路
应用
封装
电机驱动
Pr
el
DC-DC转换器
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FD2103C&S
1. 绝对最大额定值(除非特殊说明,所有管脚均以 COM 为参考点)
符号
范围
单位
高侧浮动绝对电压
VB
-0.3~205
V
高侧浮动偏移电压
VS
VB-25~VB+0.3
V
高侧输出电压
VHO
VS-0.3~VB+0.3
V
低侧供电电压
VCC
-0.3~25
V
低侧输出电压
VLO
-0.3~VCC+0.3
V
逻辑输入电压(HIN, LIN*)
VIN
-0.3~VCC+0.3
V
dVS/dt
≤50
V/ns
≤0.625
W
≤0.525
W
偏移电压压摆率范围
功率耗散@TA≤25C
SOIC-8
CPC-8
SOIC-8
结对环境的热阻
CPC-8
结温范围
PD
ry
参数
RthJA
Tj
Tstg
C/W
≤240
C/W
≤150
C
-55~150
C
im
in
a
储存温度范围
注 1:在任何情况下,不要超过 PD。
≤200
注 2:电压超过绝对最大额定值,可能会损坏芯片。
2. 推荐工作条件(所有电压均以 COM 为参考点)
参数
高侧浮动绝对电压
高侧输出电压
低侧供电电压
低侧输出电压
el
高侧浮动偏移电压
逻辑输入电压(HIN, LIN*)
符号
最小值
最大值
单位
VB
VS+10
VS+20
V
VS
-5
180
V
VHO
VS
VB
V
VCC
10
20
V
VLO
0
VCC
V
VIN
0
VCC
V
Pr
环境温度
TA
-40
125
C
注 1:芯片长久工作在推荐工作条件外,可能会影响其可靠性,不建议芯片在推荐工作条件之外长期工作。
注 2:对于 CPC8 封装,建议 VS 电压不超过 100V。
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3
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3. 静态电气参数(除非特别注明,否则 TA =25C,VCC=VBS=15V,VS=COM)
参数
符号
测试条件
最小值 典型值 最大值 单位
高电平输入阈值电压
VIH
2.7
--
--
V
低电平输入阈值电压
VIL
--
--
0.8
V
VCC 欠压保护跳闸电压
VCCUV+
8.0
8.9
9.8
V
VCC 欠压保护复位电压
VCCUV-
7.3
8.2
9.1
V
VCC 欠压保护迟滞电压
VCCUVH
0.5
0.7
--
V
悬浮电源漏电流
ILK
VB=VS=180V
--
0.1
5.0
μA
VBS 静态电流
IQBS
VIN=0V 或 5V
--
--
200
μA
VCC 静态电流
IQCC
VIN =0V 或 5V
--
300
600
uA
LIN*高电平输入偏置电流
ILIN+
VLIN*=0V
--
60
120
μA
LIN*低电平输入偏置电流
ILIN-
VLIN*=5V
HIN 高电平输入偏置电流
IHIN+
VHIN=5V
HIN 低电平输入偏置电流
IHIN-
VHIN=0V
高电平输出电压
VOH
IO=20mA
高电平输出短路脉冲电流
低电平输出短路脉冲电流
VS 静态负压
2
μA
--
60
120
μA
--
--
2
μA
--
0.14
0.28
V
--
0.08
0.16
V
ry
--
im
in
a
低电平输出电压
--
VOL
IO=20mA
IOH
VO=0V,PWD≤10μs
0.7
1.0
--
A
IOL
VO=15V,PWD≤10μs
0.7
1.0
--
A
--
-6.5
--
V
VSN
4. 动态电气参数(除非特别注明,否则 TA =25C,VCC=VBS=15V,CL=1000pF,VS=COM)
参数
ton
测试条件
CL=1000pF
el
输出上升沿传输时间
符号
最小值 典型值 最大值 单位
--
150
270
ns
输出下降沿传输时间
toff
CL=1000pF
--
50
100
ns
输出上升时间
tr
CL=1000pF
--
15
--
ns
tf
CL=1000pF
--
15
--
ns
DT
--
100
200
ns
MT
--
--
50
ns
输出下降时间
Pr
死区时间
高低侧延时匹配
REV_Preliminary_0.5
4
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5. 电路框图
VCC 1
8 VB
欠压检测
脉冲
滤波
VREG/VCC
电平转换
HIN 2
脉冲
产生
高侧驱动
7 HO
VS
VCC
VREG/VCC
电平转换
低侧驱动
5 LO
ry
低端延时
im
in
a
COM 4
VCC 1
8 VB
HIN 2
7 HO
Pr
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LIN* 3
6 VS
COM 4
5 LO
el
6. 芯片引脚配置
图 6-1 封装管脚图
表 6-1 管脚说明
管脚号
管脚名称
1
VCC
低侧供电电压
2
HIN
高侧输入
3
LIN*
低侧输入
4
COM
5
LO
接地
低侧输出
6
VS
高侧浮动偏移电压
7
HO
高侧输出
8
VB
高侧浮动绝对电压
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Q
6
死区时间
控制与
直通防止
LIN* 3
R
S
管脚描述
5
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7. 逻辑时序图
HIN
LIN*
HO
DT
DT
DT
LO
ry
直通保护
8. 开关时间测试标准
50%
50%
im
in
a
HIN
ton
tr
toff
90%
HO
tf
90%
10%
50%
LIN*
50%
tr
toff
el
ton
10%
90%
tf
90%
LO
10%
10%
Pr
9. 传输时间匹配测试标准
50%
50%
50%
50%
HIN
LIN*
MT
LO
HO
90%
10%
MT
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6
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10. 死区时间测试标准
HIN
50%
50%
LIN*
HO
50%
50%
DT
DT
LO
50%
50%
ry
11. 典型应用电路
DBS
im
in
a
HV
VCC
VCC
VB
高压侧器件
HIN
C1
LIN*
R
HO
HIN
FD2103C&S
CBS
VS
LIN*
COM
低压侧器件
R
Pr
el
LO
接负载
C1:电源滤波电容,根据电路情况可选择 1μF~100μF,尽可能的靠近芯片管脚。
R:栅极驱动电阻,阻值根据被驱动器件而定。
Dbs:自举二极管,应选择高反向击穿电压的肖特基二极管。
Cbs:自举电容,应选择陶瓷电容或钽电容,根据电路情况可选择 1μF~50μF,电容应尽可能的靠近
芯片管脚。
注:以上线路及参数仅供参考,实际的应用电路根据实测结果设定参数。
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7
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12. 封装尺寸
Pr
el
im
in
a
ry
12.1 CPC-8 封装尺寸
产品型号
封装形式
Marking
包装方式
数量
FD2103C
CPC8
FD2103C
Tape&Reel
15000
REV_Preliminary_0.5
8
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FD2103C&S
Dimensions In Millimeters
Symbol
Min
0.45
0.07
0.07
0.30
0°
15°
11°
15°
11°
Dimensions In Inches
Nom
Max
Min
Nom
Max
1.55
0.15
1.40
0.60
0.42
0.20
4.90
6.00
3.90
1.75
0.25
1.65
0.70
0.51
0.47
0.25
0.23
5.00
6.20
4.00
0.053
0.004
0.049
0.020
0.015
0.015
0.007
0.007
0.189
0.228
0.150
0.061
0.006
0.055
0.024
0.017
0.008
0.193
0.236
0.154
0.069
0.010
0.065
0.028
0.020
0.019
0.010
0.009
0.197
0.244
0.157
0.60
0.80
0.018
0.024
0.031
0.003
0.003
0.012
0°
15°
11°
15°
11°
0.016
17°
13°
17°
13°
0.020
8°
19°
15°
19°
15°
el
1.36
0.10
1.25
0.50
0.38
0.37
0.17
0.17
4.80
5.80
3.80
Pr
A
A1
A2
A3
b
b1
c
c1
D
E1
E
e
L
L1
L2
R
R1
h
θ
θ1
θ2
θ3
θ4
im
in
a
ry
12.2 SOIC-8 封装尺寸
1.27BSC
1.04REF
0.25BSC
0.40
17°
13°
17°
13°
0.50
8°
19°
15°
19°
15°
产品型号
封装形式
Marking
包装方式
数量
FD2103S
SOP8
FD2103S
Tape&Reel
3000
REV_Preliminary_0.5
9
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FD2103C&S
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im
in
a
ry
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- 5+0.83517
- 50+0.68202
- 150+0.60534
- 500+0.54789
- 3000+0.50188
- 6000+0.47888
- 国内价格
- 1+0.51600
- 10+0.49600
- 100+0.44800
- 500+0.42400