SS56

厂商：
MDD(辰达半导体)
封装：
SMA(DO-214AC)
描述：
肖特基二极管电压:60V 电流:5A SMA(DO-214AC)

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SS52 THRU SS5200 Reverse Voltage - 20 to 200 Volts Forward Current - 5.0 Ampere SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Features DO-214AC/SMA  The plastic package carries Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0  For surface mounted applications  Metal silicon junction,majority carrier conduction  Low power loss,high efficiency 0.110(2.80) 0.094(2.30) 0.067 (1.70) 0.051 (1.30)  Built-in strain relief,ideal for automated placement  High forward surge current capability  High temperature soldering guaranteed: 0.181(4.50) 0.157(3.99) 0.012(0.305) 0.006(0.152) 250 °C/10 seconds at terminals 0.096(2.42) 0.078(1.98) 0.059(1.50) 0.035(0.90) 0.008(0.203)MAX. Mechanical Data 0.205(5.20) 0.188(4.80) Case: JEDEC DO-214AC/SMA molded plastic body Terminals: Solderable per MIL-STD-750,Method 2026 Polarity: Color band denotes cathode end Mounting Position: Any Weight : 0.002 ounce, 0.07 grams Dimensions in inches and (millimeters) Maximum Ratings And Electrical Characteristics Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%. Parameter SYMBOLS Marking Code Maximum repetitive peak reverse voltage Maximum RMS voltage Maximum DC blocking voltage Maximum average forward rectified current Peak forward surge current 8.3ms single half sine-wave superimposed onrated load (JEDEC Method) Maximum instantaneous forward voltage at 5.0A Maximum DC reverse current at rated DCblocking voltage TA=25℃ TA=100℃ Typical junction capacitance (NOTE 1) VRRM VRMS VDC MDD SS53 MDD SS54 MDD SS55 MDD SS56 MDD SS58 MDD SS510 MDD SS5150 MDD SS5200 UNITS 20 14 20 30 21 30 40 28 40 50 35 50 60 42 60 80 56 80 100 70 100 150 105 150 200 140 200 V V V I(AV) 5.0 A IFSM 120 A VF 0.55 CJ RJA Operating junction temperature range TJ TSTG V 0.85 0.70 1.0 50 IR Typical thermal resistance (NOTE 2) Storage temperature range MDD SS52 mA 500 pF 300 60.0 -55 to +125 ℃/W -55 to +150 ℃ -55 to +150 ℃ Note:1.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C. 2.P.C.B. mounted with 2.0”x2.0”(5.0x5.0cm) copper pad areas http://www.microdiode.com Rev:2024A3 Page :1 SS52 THRU SS5200 Reverse Voltage - 20 to 200 Volts Forward Current - 5.0 Ampere Typical Characterisitics Fig.2 Typical Reverse Characteristics 6.0 10 4 10 3 10 2 5.0 TJ=100°C 4.0 3.0 2.0 1.0 Single phase half-wave 60 Hz resistive or inductive load 0.0 25 75 50 100 125 150 Instaneous Reverse Current (μ A )A) Average Forward Current (A) Fig.1 Forward Current Derating Curve TJ=75°C 101 TJ=25°C 10 0 0 Case Temperature (°C) 20 40 60 100 80 Percent of Rated Peak Reverse Voltage（%） Fig.3 Typical Forward Characteristic Fig.4 Typical Junction Capacitance TJ=25°C 20 1000 500 Junction Capacitance (pF) Instaneous Forward Current (A) 10 1 SS52/SS54 SS56 SS58/SS5200 0.1 0 1.0 0.5 1.5 100 SS52/SS54 20 SS56~SS5200 10 2.0 100 10 Reverse Voltage (V) Fig.5 Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surage Current Fig.6- Typical Transient Thermal Impedance 160 100 140 120 100 80 60 40 20 8.3 ms Single Half Sine Wave (JEDEC Method) 00 1 10 Number of Cycles at 60Hz 100 Transient Thermal Impedance（°C/W） Peak Forward Surage Current (A) 1 0.1 Instaneous Forward Voltage (V) 10 1 0.01 0.1 1 10 100 t, Pulse Duration（sec） The curve above is for reference only. http://www.microdiode.com Rev:2024A3 Page :2 SS52 THRU SS5200 Reverse Voltage - 20 to 200 Volts Forward Current - 5.0 Ampere Packing information unit:mm P0 Item P1 Symbol Tolerance SMA A B C d D D1 D D1 D2 E F P P0 P1 T W W1 0.1 0.1 0.1 0.05 2.0 min 2.0 min 0.5 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.3 1.0 2.80 5.33 2.36 1.50 330.00 50.00 178.00 62.00 13.00 1.75 5.50 4.00 4.00 2.00 0.28 12.00 18.00 d E F B A W P D2 T D1 C W1 D Carrier width Carrier length Carrier depth Sprocket hole 13" Reel outside diameter 13" Reel inner diameter 7" Reel outside diameter 7" Reel inner diameter Feed hole diameter Sprocket hole position Punch hole position Punch hole pitch Sprocket hole pitch Embossment center Overall tape thickness Tape width Reel width Note:Devices are packed in accor dance with EIA standar RS-481-A and specifications listed above. Reel packing PACKAGE SMA REEL SIZE 7" APPROX. GROSS WEIGHT (kg) REEL (pcs) COMPONENT SPACING (m/m) BOX (pcs) INNER BOX (m/m) REEL DIA, (m/m) 2,000 4.0 4,000 183*155*183 178 382*356*392 80,000 16.0 10,000 290*290*38 330 310*310*360 80,000 11.0 15,000 335*335*38 330 350*330*360 120,000 14.5 SMA 11" 5,000 4.0 SMA 13" 7,500 4.0 CARTON SIZE (m/m) CARTON (pcs) Suggested Pad Layout http://www.microdiode.com Symbol Unit (mm) Unit (inch) A 1.68 0.066 B 1.52 0.060 C 3.93 0.154 D 2.41 0.095 E 5.45 0.215 Rev:2024A3 Page :3

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SS56

物料型号：SS52至SS5200系列

器件简介： - 这些是表面安装肖特基势垒整流器，具有反向电压20至200伏特，正向电流5.0安培。 - 它们采用塑料封装，符合UL94V-0可燃性分类，适用于表面安装应用。 - 这些器件具有金属硅结、多数载流子导电、低功耗、高效率、内置应变缓解，适合自动化放置。 - 它们还具有高正向浪涌电流能力和保证的高温焊接性：250°C/10秒在端子上。

引脚分配： - 极性：色带表示阴极端。 - 安装位置：任意。

参数特性： - 最大重复峰值反向电压（VRRM）：20至200伏特。 - 最大RMS电压（VRMS）：14至140伏特。 - 最大直流阻断电压（Voc）：20至200伏特。 - 最大平均正向整流电流（L(AV)）：5.0安培。 - 峰值正向浪涌电流（IFSM）：125安培。 - 最大瞬时正向电压（VF）：0.55至0.95伏特。 - 最大直流反向电流（IR）：0.5毫安至2.0毫安。 - 典型结电容（CJ）：200皮法拉德。 - 典型热阻（ROJA）：50.0°C/W。 - 工作结温范围（TJ）：-50至+150°C。 - 存储温度范围（TsTG）：-50至+150°C。

功能详解： - 这些整流器适用于单相半波60Hz、电阻性或感性负载，对于电容性负载，电流需降低20%。 - 提供了正向电流降额曲线、典型反向特性、典型正向特性、最大非重复峰值正向浪涌电流和典型瞬态热阻的图表。

应用信息： - 这些器件适用于需要高效率和低功耗的整流应用。

封装信息： - 封装类型：DO-214AC/SMA。 - 机械数据包括封装尺寸、重量和安装位置。 - 包装信息包括载体宽度、长度、深度、链轮孔、卷轴直径等。

重要通知和免责声明： - Microdiode Electronics (Jiangsu) 保留随时更改此文档及其产品和规格的权利，不承担任何责任。 - 产品不适用于未经Microdiode Electronics (Jiangsu)明确书面批准的生命支持设备或系统的关键组件。

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