MMBT5551

MMBT5551 Rev.G Apr.-2021 DATA SHEET 描述 / Descriptions SOT-23 塑封封装 NPN 半导体三极管。Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package. 特征 / Features 击穿电压高,可与 MMBT5401 互补。 High voltage, complementary pair with MMBT5401. 用途 / Applications 用于普通高压放大。 General purpose high voltage amplifier. 内部等效电路 / Equivalent Circuit 引脚排列 / Pinning 3 1 2 PIN1：Base PIN 2： Emitter PIN 3：Collector 放大及印章代码 / hFE Classifications & Marking hFE Classifications Symbol hFE Range Marking http://www.fsbrec.com A B C 50～150 100～300 200～400 HG1A HG1B HG1C 1/6 MMBT5551 Rev.G Apr.-2021 极限参数 / DATA SHEET Absolute Maximum Ratings(Ta=25℃) 参数 Parameter Collector to Base Voltage 符号 Symbol VCBO 数值 Rating 180 单位 Unit V Collector to Emitter Voltage VCEO 160 V Emitter to Base Voltage VEBO 6.0 V Collector Current IC 600 mA Base Current IB 300 mA Collector Power Dissipation PC 300 mW Junction Temperature Tj 150 ℃ Tstg -55～150 ℃ Storage Temperature Range 电性能参数 / Electrical Characteristics(Ta=25℃) 参数 Parameter 符号 Symbol 测试条件 Test Conditions 最小值 典型值 最大值 单位 Min Typ Max Unit Collector Cut-Off Current ICBO VCB=180V IE=0 0.1 μA Emitter Cut-off Current IEBO VEB=6.0V IC=0 0.1 μA hFE(1) VCE=5.0V IC=10mA 50 200 hFE(2) VCE=5.0V IC=50mA 20 160 hFE(3) VCE=5.0V IC=1.0mA 40 190 VCE(sat) (1) IC=10mA IB=1.0mA 0.06 0.15 V VCE(sat) (2) IC=50mA IB=5.0mA 0.09 0.3 V VBE(sat) (1) IC=10mA IB=1.0mA 0.7 1.0 V VBE(sat) (2) IC=50mA IB=5.0mA 0.8 1.0 V Base-Emitter Voltage VBE VCE=5.0V IC=10mA 0.68 0.75 V Transition Frequency fT VCE=10V VCB=10V f=1.0MHz IC=10mA IE=0 DC Current Gain Collector-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter Saturation Voltage Collector Output Capacitance Cob Turn-on Time ton Turn-off Time toff Storage Time tstg http://www.fsbrec.com IC=100mA IB1=-IB2=10mA 50 400 110 2.2 MHz 5.0 pF 0.3 μs 0.4 μs 0.2 μs 2/6 MMBT5551 Rev.G Apr.-2021 DATA SHEET 电参数曲线图 / Electrical Characteristic Curve http://www.fsbrec.com 3/6 MMBT5551 Rev.G Apr.-2021 DATA SHEET 外形尺寸图 / Package Dimensions http://www.fsbrec.com 4/6 MMBT5551 Rev.G Apr.-2021 DATA SHEET 印章说明 / Marking Instructions HG1A 说明： H： 为公司代码 G1： 为型号代码 A： 为 hFE 档次代码 Note: H： Company Code G1： Product Type Code A： hFE Classifications Symbol Code http://www.fsbrec.com 5/6 MMBT5551 Rev.G Apr.-2021 DATA SHEET 回流焊温度曲线图(无铅) / Temperature Profile for IR Reflow Soldering(Pb-Free) 说明： Note: 1、预热温度 25～150℃，时间 60～90sec; 1.Preheating:25~150℃, Time:60~90sec. 2、峰值温度 245±5℃，时间持续为 5±0.5sec; 2.Peak Temp.:245±5℃, Duration:5±0.5sec. 3、焊接制程冷却速度为 2～10℃/sec. 3. Cooling Speed: 2~10℃/sec. 耐焊接热试验条件 / Resistance to Soldering Heat Test Conditions 温度：260±5℃ 时间：10±1 sec. Temp.:260±5℃ Time:10±1 sec 包装规格 / Packaging SPEC. 卷盘包装 / REEL Package Type 封装形式 SOT-23 Dimension 包装尺寸 (unit：mm3) Units 包装数量 Units/Reel 只/卷盘 Reels/Inner Box 卷盘/盒 Units/Inner Box 只/盒 Inner Boxes/Outer Box 盒/箱 Units/Outer Box 只/箱 Reel Inner Box 盒 Outer Box 箱 3,000 10 30,000 6 180,000 7〞×8 180×120×180 390×385×205 使用说明 / Notices http://www.fsbrec.com 6/6