SI2302

1. 物料型号：SI2302 2. 器件简介：N沟道MOS场效应管，采用超高密度圆胞设计技术，具有低RDS(ON)导通电阻，适用于电池管理、高速开关、低功率DC-DC转换。 3. 引脚分配：PIN1: G（栅极），PIN2: S（源极），PIN3: D（漏极）。 4. 参数特性： - 漏源电压(VDSS)：20V - 栅源电压(VGSS)：±8V - 连续漏电流(ID)：3.0A - 脉冲漏电流(IDM)：10A - 静态漏源导通电阻(RDS(on))：在VGS=4.5V, ID=3.6A时为60mΩ；在VGS=2.5V, ID=3.1A时为115mΩ - 正向跨导(gFS)：8S 5. 功能详解：文档提供了详细的电气特性参数和极限参数，包括漏源击穿电压、栅体漏电流、栅阈值电压等。 6. 应用信息：适用于电池管理、高速开关、低功率DC-DC转换等。 7. 封装信息：SOT-23封装，文档还提供了回流焊温度曲线图和耐焊接热试验条件。 8. 其他：文档还包含了外形尺寸图、印章说明、包装规格等信息。