1SS226

厂商：
UMW(友台)
封装：
SOT-23
描述：
功率：150mW 直流反向耐压(Vr)：80V 平均整流电流(Io)：100mA 正向压降(Vf)：1.2V@100mA 反向电流(Ir)：500nA@80V

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UMW R UMW 1SS226 SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-23 1SS226 SWITCHING DIODE FEATURES Low forward voltage z z Fast reverse recovery time z Small total capacitance 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR MARKING: C3 Maximum Ratings ,Single Diode @Ta=25℃ Parameter Symbol Limit Unit 85 Non-Repetitive Peak Reverse Voltage VRM Peak Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM Working Peak Reverse Voltage VRWM V 80 V DC Blocking Voltage VR Forward Continuous Current IFM 300 mA Average Rectified Output Current IO 100 mA Peak Forward Surge Current @t=10ms 2 IFSM A Power Dissipation PD 150 mW Junction Temperature TJ 150 ℃ Storage Temperature TSTG -55~+150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Reverse breakdown voltage Symbol Test V(BR) IR= 100uA conditions Min Max 80 Unit V Reverse voltage leakage current IR VR=80V 0.5 uA Forward voltage VF IF=100mA 1.2 V Diode capacitance CD VR=0V , f=1MHz 3 pF Reverse recovery time t rr IF=10mA 4 ns www.umw-ic.com 1 友台半导体有限公司 UMW R UMW 1SS226 SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors Forward 100 Characteristics Reverse 1000 Characteristics (mA) Ta=100℃ (nA) REVERSE CURRENT IR 1 Ta =2 5℃ FORWARD CURRENT IF Ta =1 00 ℃ 10 0.1 0.01 0.0 0.2 0.4 0.6 FORWARD VOLTAGE 0.8 VF 1.0 Ta=25℃ 10 1 1.2 0 20 (V) 40 REVERSE VOLTAGE Capacitance Characteristics 1.2 100 60 VR 80 (V) Power Derating Curve 200 (mW) 150 PD POWER DISSIPATION CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS CT (pF) Ta=25℃ f=1MHz 1.0 0.8 0 5 10 REVERSE VOLTAGE www.umw-ic.com 15 VR 100 50 0 20 (V) 0 25 50 75 AMBIENT TEMPERATURE 2 100 Ta 125 150 (℃) 友台半导体有限公司 UMW R Symbol A A1 A2 b c D E E1 e e1 L L1 θ www.umw-ic.com UMW 1SS226 SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors Dimensions In Millimeters Min. Max. 0.900 1.150 0.000 0.100 0.900 1.050 0.300 0.500 0.080 0.150 2.800 3.000 1.200 1.400 2.250 2.550 0.950 TYP. 1.800 2.000 0.550 REF. 0.300 0.500 0° 8° 3 Dimensions In Inches Min. Max. 0.035 0.045 0.000 0.004 0.035 0.041 0.012 0.020 0.003 0.006 0.110 0.118 0.047 0.055 0.089 0.100 0.037 TYP. 0.071 0.079 0.022 REF. 0.012 0.020 0° 8° 友台半导体有限公司

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1SS226

1. 物料型号：型号为STM32F103C8T6，是一款基于ARM Cortex-M3内核的32位微控制器。

2. 器件简介：该器件是意法半导体（STMicroelectronics）生产的高性能微控制器，广泛应用于工业控制、消费电子等领域。

3. 引脚分配：该器件共有48个引脚，包括电源引脚、地引脚、I/O引脚等。

4. 参数特性：工作电压为2.0V至3.6V，工作频率可达72MHz，内置64KB Flash和20KB RAM。

5. 功能详解：具备多种通信接口，如I2C、SPI、UART等，支持多种外设，如ADC、DAC、定时器等。

6. 应用信息：适用于需要高性能处理和丰富外设接口的应用场景。

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