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CMS8M3524

CMS8M3524

  • 厂商:

    CMSEMICON(中微)

  • 封装:

    SSOP-24_8.65X3.9MM

  • 描述:

    CMS8M35xx系列MCU是中微半导体电机控制产品线主力产品,被广泛应用于筋膜枪、方波吸尘器、电动剃须刀、扫地机器人等典型电机控制领域。

  • 数据手册
  • 价格&库存
CMS8M3524 数据手册
CMS8M35xx 数据手册 CMS8M35xx 数据手册 增强型1T 8051 电机微控制器 Rev. 1.07 请注意以下有关CMS知识产权政策 *中微半导体(深圳)股份有限公司(以下简称本公司)已申请了专利,享有绝对的合法权益。与本公司MCU或其他产品有关的专利权并未被 同意授权使用,任何经由不当手段侵害本公司专利权的公司、组织或个人,本公司将采取一切可能的法律行动,遏止侵权者不当的侵权行为, 并追讨本公司因侵权行为所受的损失、或侵权者所得的不法利益。 *中微半导体(深圳)股份有限公司的名称和标识都是本公司的注册商标。 *本公司保留对规格书中产品在可靠性、功能和设计方面的改进作进一步说明的权利。然而本公司对于规格内容的使用不负责任。文中提到的 应用其目的仅仅是用来做说明,本公司不保证和不表示这些应用没有更深入的修改就能适用,也不推荐它的产品使用在会由于故障或其它原因 可能会对人身造成危害的地方。本公司的产品不授权适用于救生、维生器件或系统中作为关键器件。本公司拥有不事先通知而修改产品的权利, 对于最新的信息,请参考官方网站 www.mcu.com.cn。 www.mcu.com.cn 1 / 47 Rev. 1.07 CMS8M35xx 数据手册 1. 产品特性 功能特性 1.1            兼容 MCS-51 的 1T 指令系统 - 系统时钟频率最高支持 48MHz - 机器周期最快支持 1TSYS @ FSYS≤24MHz - 机器周期最快支持 2TSYS @ FSYS=48MHz 内存  工作电压范围 -  工作温度范围 -  2.1V~5.5V -40℃~105℃ 蜂鸣器驱动 - 最大程序 FLASH:16K×8Bit - 最大 Data FLASH:1K×8Bit - 通用 RAM:256×8Bit - 最多可达 6 通道增强型 PWM - 最大通用 XRAM:1K×8Bit - 最多可达 6 个相互独立周期计数器 - 程序 FLASH 支持分区保护 - 支持独立/互补/同步/成组模式  4 种振荡方式 50%占空比,频率可自由设置 增强型 PWM - 支持边沿对齐/中心对齐方式 - HSI-内部 RC 振荡:24MHz/48MHz - 支持互补模式死区延时功能 - HSE-外部晶体振荡:8MHz/16MHz - 支持掩码功能及刹车功能 - LSE-外部晶体振荡:32.768KHz - LSI-内部低功耗振荡:125KHz  高精度 12 位 ADC - 所有 GPIO(16I/Os)均支持 AD 通道 低压复位功能(LVR) - 参考电压可选(1.2V/2.0V/2.4V/3.0V/VDD) - - 可检测内部 1.2V 基准电压 低压检测功能(LVD) - 支持硬件触发启动转换功能 - - 支持一组结果数字比较功能 1.8V/2.0V/2.5V/3.5V 2.0V/2.2V/2.4V/2.7V/3.0V/3.7V/4.0V/4.3V GPIO  两路模拟比较器(ACMP0/1) - 最多可达 16 个 GPIO - 正端 5 种选择,负端可选内部 1.2V/VDD 分压 - 所有数字功能可分配到任意 GPIO - 比较器支持单边/双边迟滞 - 均支持上/下拉电阻功能 - 迟滞电压可选 10/20/60mV - 均支持边沿(上升沿/下降沿/双沿)中断 - 支持比较输出触发 EPWM 刹车 - 均支持唤醒功能 - 负端内部 1.2V/VDD 分压可接内部 ADC 通道 中断源 - 支持所有的外部端口中断 - 最多达 7 个定时器中断 - 其它外设中断  定时器 两路运算放大器(OP0/1) - 每个运放三端均和 GPIO 端口复用 - 正端支持内部 1.2V 输入 - 支持运放/比较器两种模式 - WDT 定时器(看门狗定时器) - 运放输出可接内部 ADC 通道 - 最多可达 5 个定时器: - 运放输出可接内部模拟比较器输入 Timer0/1,Timer2,Timer3/4 - 支持失调电压软件修调 - LSE Timer(支持休眠唤醒功能) - WUT(唤醒定时器) - BRT(串口波特率时钟发生器)  通信模块 - 最多达 1xSPI(通信速率最高可达 6Mb/s) - 1xI2C(通信速率最高可达 400Kb/s) - 最多达 2xUART(波特率最高可达 1Mb/s) 低功耗模式 - 空闲模式(IDLE) - 休眠模式(STOP)  可编程增益放大器(PGA) - 支持失调电压软件修调 - 带采样保持电路(与 ADC 配合使用) - 多级增益可选(1/2/4/8/16/32/64/128 倍) - 支持单端/伪差分输入 - PGA 输出可接内部 ADC 通道 - PGA 输出可接内部模拟比较器输入 支持 96 位唯一 ID 号(UID) - 每颗芯片有独立的 ID 号 支持两线串行编程与调试 www.mcu.com.cn 2 / 47 Rev. 1.07 CMS8M35xx 数据手册 产品对比 1.2 产品型号 CMS8M3512 CMS8M3524 CMS8M3535 CMS8M3536 内置驱动供电电压 8~16V 16~30V 7~20V 8~20V GATE DRIVER 3P+3N 3P+3N 6N 6N 16 16 外围接口 MCU 工作电压 2.1V~5.5V 最大时钟频率 48 MHz APROM 16 KB Data 存储模块 1 KB FLASH RAM 256 B XRAM 1 KB WDT 1 Timer0/1 2 (16bit) Timer2 1 (16bit) Timer3/4 2 (16bit) LSE Timer 1 (16bit) WUT 1 (12bit) BRT 1 (16bit) 增强型 BUZZER 1 数字外设 PWM 6(16bit) SPI 1 I2C 1 UART 2 定时器 通信模块 12bit-ADC (外部通道 15 15 数) 模拟模块 ACMP 2 OP 2 PGA 1 GPIOs 15 15 16 LVR 1.8V/2.0V/2.5V/3.5V LVD 2.0V/2.2V/2.4V/2.7V/3.0V/3.7V/4.0V/4.3V 工作电压 2.1~5.5 V 工作温度 -40~105 ℃ 封装 www.mcu.com.cn SSOP24 SSOP24 3 / 47 LQFP32 LQFP32 Rev. 1.07 CMS8M35xx 数据手册 2. 系统概述 2.1 系统简介 CMS8M35xx 系列是 8051 内核、兼容 MCS-51 的 1T 指令系统、通用 IO 型的 8 位芯片,工作频率最高可达 48MHz,该 MCU 具有如下特性:  具有最大 16KB 程序区、256B RAM 空间、最大 1KB XRAM、1KB 数据区。  具有四种振荡方式,时钟选择更灵活。  支持正常、空闲、休眠三种工作模式,能够有效的降低功耗。  内置低压复位 LVR、低压监测 LVD、看门狗溢出复位等保护设置,能够有效提升系统运行的可靠性。  具有外部中断、定时中断和其他外设中断等多种中断源,能够及时响应外部事件,提高 MCU 的利用率。  数字功能可分配到任意 IO 口。  最多可达 9 个定时器,能够实现定时、计数、输入捕获、输出比较、定时唤醒、作波特率发生器等功能。  最多可达 6 路 16 位 PWM,支持独立、互补、同步三种模式输出,同时具备硬件刹车功能、死区控制功能、掩码输出 等功能。  具有 1 路 I2C、最多 1 路 SPI、最大达 2 路 UART 通信模块,能够实现系统与其他设备之间的数据传送。  具有高精度 12 位 ADC 且可选择内部参考电压、2 路运算放大器、2 路比较器、1 路可编程增益放大器,每个 IO 均可 作 ADC 的输入通道,模拟功能更丰富。 www.mcu.com.cn 4 / 47 Rev. 1.07 CMS8M35xx 数据手册 2.2 2.2.1 存储器结构 程序存储器 FLASH 该芯片具有一个最大 16KB 的 FLASH 存储空间,不同产品型号有不同程序空间大小,视具体型号而定,最大空间为 16KB。 FLASH 空间分配结构框图如下: 0000H APROM区 FLASH:16KB (max) 3FFFH FLASH数据区 1KB 地址空间分配方式 CMS8M35xx www.mcu.com.cn APROM 区 16K 5 / 47 0000H-3FFFH Rev. 1.07 CMS8M35xx 数据手册 2.2.2 内部数据存储器 RAM 内部数据存储器分为 3 个部分:低 128Bytes、高 128Bytes、SFR。RAM 空间分配结构框图如下图所示: FFH FFH 内部RAM 高128bytes (间接寻址) 特殊功能寄存器 128bytes (直接寻址) 80H 80H 7FH 内部RAM 低128bytes (间接或直接寻址) 00H 2.2.3 外部数据存储器 XRAM 芯片内部有最大 1KB XRAM 区域,该区域与 RAM/FLASH 没有联系,XRAM 空间分配结构框图如下图所示。 0FFFH XRAM max:1 KB (间接寻址) 0000H www.mcu.com.cn 6 / 47 Rev. 1.07 CMS8M35xx 数据手册 2.2.4 特殊功能寄存器 XSFR XSFR 是寻址空间与 XRAM 共用的特殊寄存器,主要包括:端口控制寄存器、其他功能控制寄存器。其寻址范围如下: FFFFH XSFR区:4K F000H EFFFH 保留空间 0400H 03FFH XRAM区:1K(max) 0000H www.mcu.com.cn 7 / 47 Rev. 1.07 CMS8M35xx 数据手册 2.3 系统框图 2.3.1 CMS8M3512 APROM 16KB HSI Max= 48MHz LSI HSE LSE Data FLASH 1KB RAM 256B XRAM 1KB CLK Generator POR/LVR/LVD GPIO BUZZER 3P3N Driver GVDD Timer Timer0/1 x 2 Timer2 x 1 Timer3/4 x 2 LSE Timer x 1 WUT x 1 BRT x 1 8051 CPU P13 P00 6 Channels EPWM P15 P14 P17 P16 PWM3L PWM3H PWM2L PWM2H PWM1L PWM1H N3_IN P3_IN N3_OUT P3_OUT N2_IN N2_OUT P2_IN P2_OUT N1_IN N1_OUT P1_IN P1_OUT Analog Interface Connector 16-channel ADC ACMP x 2 OP x 2 www.mcu.com.cn UART x 2 I2C x 1 SPI x 1 8 / 47 Rev. 1.07 CMS8M35xx 数据手册 2.3.2 CMS8M3524 APROM 16KB HSI Max= 48MHz LSI HSE LSE Data FLASH 1KB RAM 256B XRAM 1KB CLK Generator POR/LVR/LVD GPIO BUZZER 3P3N Driver GVDD Timer Timer0/1 x 2 Timer2 x 1 Timer3/4 x 2 LSE Timer x 1 WUT x 1 BRT x 1 8051 CPU P13 P00 6 Channels EPWM P15 P14 P17 P16 PWM3L PWM3H PWM2L PWM2H PWM1L PWM1H N3_IN P3_IN N3_OUT P3_OUT N2_IN N2_OUT P2_IN P2_OUT N1_IN N1_OUT P1_IN P1_OUT Analog Interface Connector 16-channel ADC ACMP x 2 OP x 2 www.mcu.com.cn UART x 2 I2C x 1 SPI x 1 9 / 47 Rev. 1.07 CMS8M35xx 数据手册 2.3.3 CMS8M3535 APROM 16KB HSI Max= 48MHz LSI HSE Data FLASH 1KB RAM 256B XRAM 1KB LSE CLK Generator POR/LVR/LVD GPIO BUZZER UVLO GVDD Timer Timer0/1 x 2 Timer2 x 1 Timer3/4 x 2 LSE Timer x 1 WUT x 1 BRT x 1 8051 CPU 6 Channels EPWM P17 HIN2 P16 HIN1 P15 HIN3 P14 LIN1 P13 LIN2 P00 LIN3 Analog Interface Connector 16-channel ADC ACMP x 2 OP x 2 www.mcu.com.cn UART x 2 I2C x 1 SPI x 1 10 / 47 BOST3 BOST2 BOST1 GH1 GHS1 GL1 GH2 GHS2 GL2 GH3 GHS3 GL3 Dead time & shoot through & gate control Rev. 1.07 CMS8M35xx 数据手册 2.3.4 CMS8M3536 APROM 16KB HSI Max= 48MHz LSI HSE Data FLASH 1KB RAM 256B XRAM 1KB LSE CLK Generator POR/LVR/LVD GPIO BUZZER UVLO GVDD Timer Timer0/1 x 2 Timer2 x 1 Timer3/4 x 2 LSE Timer x 1 WUT x 1 BRT x 1 8051 CPU P17 P16 6 Channels EPWM P15 P14 P13 P00 PWM1H PWM2H PWM3H PWM1L PWM2L PWM3L HIN1 HIN2 HIN3 LIN1 LIN2 LIN3 Analog Interface Connector 16-channel ADC ACMP x 2 OP x 2 www.mcu.com.cn UART x 2 I2C x 1 SPI x 1 11 / 47 BOST3 BOST2 BOST1 GH1 GHS1 GL1 GH2 GHS2 GL2 GH3 GHS3 GL3 Dead time & shoot through & gate control Rev. 1.07 CMS8M35xx 数据手册 3. 管脚定义 3.1 3.1.1 管脚描述 CMS8M3512 引脚图(SSOP24) www.mcu.com.cn OP0_P/OSCOUT/AN14/P32 1 24 P31/AN13/OSCIN/OP0_N DSDA/AN16/P35 2 23 P30/AN22/OP0_O/C1P4/C0P4 VDD 3 22 P26/AN12 VSS 4 21 P25/AN11 AN17/P36 5 20 P24/AN10/OP1_O/C1P5/C0P5 C1N/AN5/P05 6 19 P23/AN9/OP1_N C1P0/AN4/P04 7 18 P22/AN8/OP1_P C1P1/AN3/P03 8 17 P21/AN21/DSCK C1P2/AN2/P02 9 16 N1_OUT GVDD 10 15 P1_OUT P3_OUT 11 14 N2_OUT N3_OUT 12 13 P2_OUT 12 / 47 Rev. 1.07 CMS8M35xx 数据手册 3.1.2 CMS8M3524 引脚图(SSOP24) www.mcu.com.cn OP0_P/OSCOUT/AN14/P32 1 24 P31/AN13/OSCIN/OP0_N DSDA/AN16/P35 2 23 P30/AN22/OP0_O/C1P4/C0P4 VDD 3 22 P26/AN12 VSS 4 21 P25/AN11 AN17/P36 5 20 P24/AN10/OP1_O/C1P5/C0P5 C1N/AN5/P05 6 19 P23/AN9/OP1_N C1P0/AN4/P04 7 18 P22/AN8/OP1_P C1P1/AN3/P03 8 17 P21/AN21/DSCK C1P2/AN2/P02 9 16 N1_OUT GVDD 10 15 P1_OUT P3_OUT 11 14 N2_OUT N3_OUT 12 13 P2_OUT 13 / 47 Rev. 1.07 CMS8M35xx 数据手册 P03/AN3/C1P1 P04/AN4/C1P0 22 P02/AN2/C1P2 23 GL3 GL2 24 P01/AN1/C0P2 GL1 CMS8M3535 引脚图(LQFP32) GHS3 3.1.3 21 20 19 18 17 GH3 25 16 P05/AN5/C1N BOST3 26 15 P36/AN17 GHS2 27 14 VSS GH2 28 13 VDD BO ST2 29 12 P35/AN16/DSDA GHS1 30 11 P32/AN14/OSCOUT/OP0_P GH1 31 10 P31/AN13/OSCIN/OP0_N BOST1 32 LQ FP32 www.mcu.com.cn 2 3 4 5 6 7 8 GVDD PGND DSCK/AN21/P21 OP1_P/AN8/P22 OP1_N/AN9/P23 C0P5/C1P5/OP1_O/AN10/P24 AN11/P25 AN12/P26 9 1 14 / 47 P30/AN22/OP0_O/C1P4/C0P4 Rev. 1.07 CMS8M35xx 数据手册 P03/AN3/C1P1 P04/AN4/C1P0 22 P02/AN2/C1P2 23 PGND GVDD 24 P01/AN1/C0P2 GL3 CMS8M3536 引脚图(LQFP32) GL2 3.1.4 21 20 19 18 17 GL1 25 16 GHS3 26 15 P05/AN5/C1N P36/AN17 GH3 27 14 VSS BOST3 28 13 VDD GHS2 29 12 P35/AN16/DSDA GH2 30 11 P32/AN14/OSCOUT/OP0_P BOST2 31 10 P31/AN13/OSCIN/OP0_N GHS1 32 9 www.mcu.com.cn GH1 DSCK/AN21/ P21 OP1_P/AN8/P22 5 6 7 8 AN12/P26 4 AN11/P25 3 C0P5/C1P5/OP1_O/AN10/P24 2 OP1_N/AN9/P23 1 BOST1 LQFP32 15 / 47 P30/AN22/OP0_O/C1P4/C0P4 Rev. 1.07 CMS8M35xx 数据手册 管脚功能说明 3.2 管脚号 3512/3524 3535 3536 SSOP24 LQFP32 LQFP32 - 20 20 管脚名称 管脚类型 描述 P01 I/O GPIO 通过寄存器配置输入输出,上、下拉 等功能 AN1 AI ADC 通道 1 输入 C0P2 AI 比较器 0 正端通道 2 输入 P02 I/O AN2 AI ADC 通道 2 输入 C1P2 AI 比较器 1 正端通道 2 输入 P03 I/O AN3 AI ADC 通道 3 输入 C1P1 AI 比较器 1 正端通道 1 输入 P04 I/O AN4 AI ADC 通道 4 输入 C1P0 AI 比较器 1 正端通道 0 输入 P05 I/O AN5 AI ADC 通道 5 输入 C1N AI 比较器 1 负端通道输入 P21 I/O AN21 AI ADC 通道 21 输入 DSCK I/O 编程、调试时钟输入输出 P22 I/O AN8 AI ADC 通道 8 输入 OP1_P AI 运放 1 正端输入 P23 I/O AN9 AI ADC 通道 9 输入 OP1_N AI 运放 1 负端输入 P24 I/O AN10 AI ADC 通道 10 输入 C0P5 AI 比较器 0 正端通道 5 输入 C1P5 AI 比较器 1 正端通道 5 输入 GPIO 通过寄存器配置输入输出,上、下拉 9 8· 7 19 18 17 19 18 17 等功能 GPIO 通过寄存器配置输入输出,上、下拉 等功能 GPIO 通过寄存器配置输入输出,上、下拉 等功能 GPIO 通过寄存器配置输入输出,上、下拉 6 17 16 3 16 3 等功能 GPIO 通过寄存器配置输入输出,上、下拉 等功能 GPIO 通过寄存器配置输入输出,上、下拉 18 19 20 4 5 6 www.mcu.com.cn 4 5 6 16 / 47 等功能 GPIO 通过寄存器配置输入输出,上、下拉 等功能 GPIO 通过寄存器配置输入输出,上、下拉 等功能 Rev. 1.07 CMS8M35xx 数据手册 管脚号 3512/3524 3535 3536 SSOP24 LQFP32 LQFP32 管脚名称 管脚类型 描述 OP1_O AO P25 I/O AN11 AI P26 I/O AN12 I PGATO AO P30 I/O AN22 AI ADC 通道 22 输入 C0P4 AI 比较器 0 正端通道 4 输入 C1P4 AI 比较器 1 正端通道 4 输入 OP0_O AO 运放 0 输出 P31 I/O AN13 AI ADC 通道 13 输入 OSCIN AI 外部振荡输入 OP0_N AI 运放 0 负端输入 PGAP AI PGA 正端输入 P32 I/O AN14 AI ADC 通道 14 输入 OSCOUT O 外部振荡输出 OP0_P AI 运放 0 正端输入 PGAGND AI PGA 反馈地输入 P35 I/O AN16 AI ADC 通道 16 输入 DSDA I/O 编程、调试数据输入输出 P36 I/O AN17 AI ADC 通道 17 输入 运放 1 输出 GPIO 通过寄存器配置输入输出,上、下拉 21 22 7 8 7 8 等功能 ADC 通道 11 输入 GPIO,通过寄存器配置输入输出,上、下拉 等功能 ADC 通道 12 输入 PGA 测试输出 GPIO 通过寄存器配置输入输出,上、下拉 23 24 9 10 9 10 等功能 GPIO 通过寄存器配置输入输出,上、下拉 等功能 GPIO 通过寄存器配置输入输出,上、下拉 1 2 11 12 11 12 等功能 GPIO 通过寄存器配置输入输出,上、下拉 等功能 GPIO 通过寄存器配置输入输出,上、下拉 5 15 15 等功能 3 13 13 VDD P 电源电压输入脚 4 14 14 VSS P 接地脚 - 2 21 PGND P 内置预驱接地管脚 10 1 22 GVDD P 内置预驱电源管脚 - 21 23 GL3 O 相 3 低边栅极驱动输出管脚 www.mcu.com.cn 17 / 47 Rev. 1.07 CMS8M35xx 数据手册 管脚号 管脚名称 管脚类型 24 GL2 O 相 2 低边栅极驱动输出管脚 23 25 GL1 O 相 1 低边栅极驱动输出管脚 - 24 26 GHS3 P 相 3 高边浮地管脚 - 25 27 GH3 O 相 3 高边栅极驱动输出管脚 - 26 28 BOST3 P 相 3 高边自举供电管脚 - 27 29 GHS2 P 相 2 高边浮地管脚 - 28 30 GH2 O 相 2 高边栅极驱动输出管脚 - 29 31 BOST2 P 相 2 高边自举供电管脚 - 30 32 GHS1 P 相 1 高边浮地管脚 - 31 1 GH1 O 相 1 高边栅极驱动输出管脚 - 32 2 BOST1 P 相 1 高边自举供电管脚 11 - - P3_OUT O 相 3 PMOS 驱动管脚 12 - - N3_OUT O 相 3 NMOS 驱动管脚 13 - - P2_OUT O 相 2 PMOS 驱动管脚 14 - - N2_OUT O 相 2 NMOS 驱动管脚 15 - - P1_OUT O 相 1 PMOS 驱动管脚 16 - - N1_OUT O 相 1 NMOS 驱动管脚 3512/3524 3535 3536 SSOP24 LQFP32 LQFP32 - 22 - www.mcu.com.cn 18 / 47 描述 Rev. 1.07 CMS8M35xx 数据手册 3.3 GPIO 特性 管脚多种功能共享,每个 I/O 口可配置为任意一种数字功能或者指定的模拟功能。I/O 作为通用 GPIO 口具有如下特性:  可配置 2 档 I/O 输出速率。  可配置 2 档 I/O 驱动电流。  可读取数据锁存器状态或者引脚状态。  可配置上升沿、下降沿、双沿触发中断。  可配置上升沿、下降沿、双沿中断唤醒芯片。  可配置成普通输入、上拉输入、下拉输入、推挽输出、开漏输出模式。 www.mcu.com.cn 19 / 47 Rev. 1.07 CMS8M35xx 数据手册 管脚功能列表 3.4 CMS8M35xx 系列芯片管脚的数字功能可任意分配,即每个 I/O 口都可以分配任意一种数字功能。可分配的数字功能如下表 所示: 数字功能 方向 GPIO I/O 通用 IO 口,通过寄存器配置输入输出,上下拉等功能 CC0 O Timer2 比较输出通道 0 CC1 O Timer2 比较输出通道 1 CC2 O Timer2 比较输出通道 2 CC3 O Timer2 比较输出通道 3 TXD0 O UART0 数据输出 RXD0 I/O UART0 数据输入/同步模式数据输出 TXD1 O UART1 数据输出 RXD1 I/O UART1 数据输入/同步模式数据输出 SCL I/O I C 时钟输入输出 SDA I/O I2C 数据输入输出 NSS I/O SPI 从控模式机片选信号(输入/输出) SCLK I/O SPI 时钟输入输出 MOSI I/O SPI 主控发送从控接收 MISO I/O SPI 主控接收从控发送 PG0 O PWM 通道 0 输出 PG1 O PWM 通道 1 输出 PG2 O PWM 通道 2 输出 PG3 O PWM 通道 3 输出 PG4 O PWM 通道 4 输出 PG5 O PWM 通道 5 输出 BEEP O 蜂鸣器驱动输出 C0_O O 比较器 0 输出 C1_O O 比较器 1 输出 INT0 I 外部中断 0 输入 INT1 I 外部中断 1 输入 T0 I Timer0 外部时钟输入 T0G I Timer0 门控输入 T1 I Timer1 外部时钟输入 T1G I Timer1 门控输入 T2 I Timer2 外部事件或门控输入 T2EX I Timer2 下降沿自动重装输入 CAP0 I Timer2 输入捕获通道 0 CAP1 I Timer2 输入捕获通道 1 CAP2 I Timer2 输入捕获通道 2 CAP3 I Timer2 输入捕获通道 3 ADET I ADC 的外部触发输入 www.mcu.com.cn 功能说明 2 20 / 47 Rev. 1.07 CMS8M35xx 数据手册 数字功能 方向 FB I 功能说明 PWM 的外部刹车信号输入 管脚的模拟功能分配固定,每个管脚对应分配不同的模拟功能,管脚以实际产品为准。模拟功能分配如下表所示: 其他数字功能优先级 PIN CONFIG P0.0 AN0 C0P1 - - P0.1 - AN1 C0P2 - - P0.2 - AN2 C1P2 - - P0.3 - AN3 C1P1 - - P0.4 - AN4 C1P0 - - P0.5 - AN5 C1N - - P1.3 - AN6 C0P0 - - P1.4 - AN7 - - P1.5 - AN18 C0N - - - P1.6 - AN19 - - - P1.7 - AN20 - - - P2.1 AN21 - - - P2.2 DSCK - AN8 - OP1_P - P2.3 - AN9 - OP1_N - P2.4 - AN10 - AN11 OP1_O - - P2.5 C0P5/C1P5 - P2.6 - AN12 - - PGATO P3.0 - AN22 OP0_O - P3.1 OSCIN AN13 C0P4/C1P4 - OP0_N PGAP AN14 - OP0_P - PGAGND - - - P3.2 OSCOUT 1(ANALOG) P3.5 DSDA AN16 - P3.6 - AN17 - www.mcu.com.cn 21 / 47 最高 - 最低 Rev. 1.07 CMS8M35xx 数据手册 4. 功能概要 系统时钟 4.1 系统时钟通过系统配置寄存器和振荡器控制寄存器的设置进行时钟源、时钟分频选择。芯片时钟源可选择如下 4 种类型:  内部高速振荡 HSI(24MHz/48MHz)。  外部高速晶体振荡 HSE(8MHz/16MHz)。  外部低速晶体振荡 LSE(32.768KHz)。  内部低速振荡 LSI(125KHz)。 复位 4.2 复位操作用于完成芯片内部电路的初始化,使系统从一种确定的状态开始工作。芯片具有如下几种复位方式:  上电复位。  外部复位。  低电压复位。  CONFIG 状态保护复位。  上电配置监控复位。  看门狗溢出复位。  软件复位。 上述任何一种复位情况都需要一定的响应时间,系统提供完善的复位流程以保证复位动作的顺利进行。 4.3 电源管理 4.3.1 工作模式 芯片有 3 种不同的工作模式,以适应不同应用的功耗需求。  正常工作模式:MCU 处于正常工作状态,外设正常运行。  空闲模式 IDLE:MCU 处于空闲模式,CPU 停止工作,外设正常运行。该模式可由任意中断唤醒。  休眠模式 STOP:MCU 处于休眠模式,CPU 停止工作,外设停止工作。该模式可由 INT0/1 中断唤醒、外部中断唤醒、 WUT 定时唤醒、LSE 定时唤醒。 4.3.2 电源低压复位(LVR) 当电源电压低于设置的检测电压时,则系统复位。 低压复位有 4 种选择:1.8V/2.0V/2.5V/3.5V。 4.3.3 电源低压检测(LVD) 低电压检测电路可将电源电压和设置电压进行比较,如果电源电压低于设置的电压,则产生中断请求信号。 可设置的检测电压有 8 种选择:2.0V/2.2V/2.4V/2.7V/3.0V/3.7V/4.0V/4.3V。 www.mcu.com.cn 22 / 47 Rev. 1.07 CMS8M35xx 数据手册 4.4 中断控制 芯片具有多个中断源及中断向量,用户可设置的中断包括 INT0/1、Timer0/1、Timer2、Timer3/4、WDT、LSE_Timer、 PWM、I2C、SPI、UART0/1、P0/P1/P2/P3、ACMP0/1、ADC、LVD,中断源的实际个数因产品而不同。 芯片规定两个中断优先级,可实现两级中断嵌套。当一个中断已经响应,若有高级别中断发出请求,后者可以中断前者, 实现中断嵌套。 4.5 4.5.1 定时器 WDT 定时器 看门狗定时器是一个由系统时钟提供时钟源的片内定时器,WDT 计时溢出将产生复位。看门狗复位是系统的一种保护设置, 当系统运行到一个未知状态时,可通过看门狗来使系统复位,从而避免系统进入到无限期的死循环。WDT 定时器具有如下特性:  看门狗溢出时间 8 档可选。  可设置看门狗溢出中断。  可设置看门狗溢出复位。 4.5.2 定时计数器 0/1(Timer0/1) 定时器 0 与定时器 1 的类型和结构相似,是两个 16 位向上计数定时器。Timer0 有 4 种工作模式,Timer1 有 3 种工作模式, 它们提供基本的定时和事件计数操作。 在“定时器模式”时,定时寄存器在定时器时钟使能时,每 12 个或 4 个系统周期递增一次。在“计数器模式”时,定时寄存器 每当检测到相应的输入引脚上(T0 或 T1)的下降沿就会增加。Timer0/1 具有如下特性:  可作普通定时器使用。  可用于门控定时功能。  可实现外部计数功能。  可用于门控计数功能。  计数器溢出中断。 4.5.3 定时计数器 2(Timer2) 定时器 2 是一个 16 位的定时器,它可以用于各种数字信号的生成和事件捕获,比如脉冲发生、脉冲宽度调制、脉宽测量等。 Timer2 具有如下特性:  可作为普通定时器使用。  可用于门控定时功能。  可实现外部计数功能。  具有重装禁止、溢出自动重装、外部引脚下降沿自动重装功能。  可上升沿、下降沿、双沿或写捕获寄存器的低字节触发捕获。  具有比较功能,该功能可产生周期性信号且占空比可控的 PWM 波形。  定时、外部触发、捕获、比较均可产生中断。 www.mcu.com.cn 23 / 47 Rev. 1.07 CMS8M35xx 数据手册 4.5.4 定时器 3/4(Timer3/4) 定时器 3/4 与定时器 0/1 相似,是两个 16 位定时器。Timer3 有 4 种工作模式,Timer4 有 3 种工作模式。与 Timer0/1 相比, Timer3/4 仅提供定时操作。 在定时器启动的情况下,寄存器的值(计数器)每 12 个或 4 个系统周期递增一次。 4.5.5 LSE 定时器 LSE 定时器是一个时钟源来自外部低速时钟 LSE,16 位向上计数定时器。LSE 定时器具有如下特性:  定时功能。  可设 16 位定时值。  休眠模式下可正常工作。  计数值等于定时值时可产生中断。  定时中断可唤醒空闲模式/休眠模式。 4.5.6 WUT 定时器 WUT 唤醒定时器是一个时钟源来自内部低速时钟 LSI、用于休眠唤醒的 12 位、向上计数定时器。在系统进入休眠模式后, CPU 与外围所有电路停止工作,内部低速时钟 LSI 为 WUT 计数器提供时钟。WUT 具有如下特性:  在休眠状态下可定时唤醒系统。  计数时钟可选 1、8、32、256 分频。  可设 12 位定时值。 4.5.7 BRT 定时器 BRT 定时器是时钟源来自系统时钟、16 位的波特率定时器,主要为 UART 模块提供时钟。BRT 具有如下特性:  具有独立的控制开关。  计数时钟具有 8 档分频选择。  16 位递增计数。 www.mcu.com.cn 24 / 47 Rev. 1.07 CMS8M35xx 数据手册 4.6 4.6.1 增强型数字外设 蜂鸣器驱动(BUZZER) 蜂鸣器驱动由 8 位计数器,时钟驱动器,控制寄存器组成,输出占空比为 50%的方波,其频率覆盖一个较宽的范围。 BUZZER 具有如下特性:  具有单独的使能控制开关。  可设置 8、16、32、64 共 4 档系统时钟分频比。  输出频率 8 位控制,可设置(1~255)x 2 分频输出。 4.6.2 增强型 PWM 模块 增强性 PWM 模块支持 6 路 PWM 发生器,周期和占空比可独立设置。PWM 具有如下特性:  支持单次、连续模式 2 种波形输出。  支持独立、互补、同步、组控 4 种控制模式。  计数时钟可选择 1、2、4、8、16 分频。  支持边沿对齐、中心对齐 2 种计数模式,中心对齐模式下支持对称和非对称计数。  支持掩码输出。  支持死区编程。  可设置输出极性。  支持周期、向上比较、向下比较、零点中断。  支持软件刹车、外部端口触发刹车、ADC 比较结果触发刹车、ACMP 输出触发刹车。 www.mcu.com.cn 25 / 47 Rev. 1.07 CMS8M35xx 数据手册 4.7 通信模块 4.7.1 SPI 模块 SPI 是一个完全可配置的 SPI 主机/从机设备,允许用户配置串行时钟信号的极性和相位。SPI 允许 MCU 与串行外围设备进 行通信,它还能够在多主机系统中进行处理器间通信。SPI 具有如下特性:  全双工同步串行数据传输。  支持主机/从机模式。  支持多主机系统。  系统错误检测。  支持速度高达系统时钟的 1/4(FSYS≤24MHz)。  比特率产生系统时钟的 1/4、1/8、1/16、1/32、1/64、1/128、1/256、1/512。  支持四种传输格式。  发送/接收完成可产生中断。 4.7.2 I2C 模块 两线双向串行总线控制器 I2C 为微处理器和 I2C 总线之间的数据交换提供了一种简单有效的连接方式。I2C 模块具有如下特 性:  支持 4 种工作方式:主控发送、主控接收、从动发送、从动接收。  支持 2 种传输速度模式: 标准(高达 100Kb/s); 快速(高达 400Kb/s)。  执行仲裁和时钟同步。  支持多主机系统。  主机方式支持 I2C 总线上的 7 位寻址模式与 10 位寻址模式(软件支持)。  从机方式支持 I2C 总线上的 7 位寻址模式。  允许在较宽时钟频率范围进行操作(内置 8 位定时器)。  接收/发送完成可产生中断。 4.7.3 UARTn 模块 UARTn 模块包含了 UART0 / UART1。UARTn 具有如下特性:  全双工串行端口。  支持同步模式。  支持可变波特率的 8 位异步收发模式。  支持可变波特率的 9 位异步收发模式  波特率可由 Timer1/Timer4/Timer2/BRT 模块产生。  发送/接收完成可产生中断。 www.mcu.com.cn 26 / 47 Rev. 1.07 CMS8M35xx 数据手册 4.8 4.8.1 模拟模块 模数转换器(ADC) ADC 模块是一个 12 位逐次逼近的模数转换器。端口模拟输入信号经过多路选择器之后与模数转换器的输入相连,模数转 换器根据输入的模拟信号产生一个 12 位二进制结果,并将该结果保存在 ADC 结果寄存器中。ADC 具有如下特性:  所有的 I/O 口均可作 ADC 的外部输入通道。  ADC 的转换时钟有 8 种时钟频率可选。  ADC 参考电压可选择 VDD/1.2V/2.0V/2.4V/3.0V。  一个完整的 12 位转换需要 18.5 个 ADC 转换周期。  支持外部端口边沿、增强型 PWM 触发 ADC 转换。  支持 ADC 转换结果比较输出、比较输出可控制增强型 PWM 刹车功能。  支持 ADC 转换完成产生中断。 4.8.2 模拟比较器(ACMP0/1) 比较器 ACMP0 和 ACMP1 具有如下特性:  正端支持多路输入端口可选。  负端可选择端口输入或内部参考电压。  内部参考分压共 16 档位选择。  支持输出滤波,滤波时间共 11 档位选择。  支持单边和双边迟滞控制。  迟滞电压可选 10/20/60mV。  支持失调电压软件修调。  输出可作为增强型 PWM 的刹车触发信号。  支持输出改变产生中断。 4.8.3 运算放大器(OP0/1) 运算放大器 OP0 和 OP1 具有如下特性:  正端支持内部 1.2V 电压输入。  支持比较和运放模式两种。  输出可接内部 ACMP 输入进行整形。  输出内部可接至 ADC 通道 31 进行测量。  支持失调电压软件修调。 4.8.4 可编程运算放大器(PGA) 可编程运算放大器 PGA 具有如下特性:  多级增益可选(1/2/4/8/16/32/64/128)。  PGA 输入带采样保持电路。  支持单端/伪差分输入。  支持 PGA 输出测试。  PGA 输出可接内部模拟比较器输入进行整形。  PGA 输出内部可接至 ADC 内部通道 31 进行测量。  支持失调电压软件修调。 www.mcu.com.cn 27 / 47 Rev. 1.07 CMS8M35xx 数据手册 4.9 FLASH 存储器 FLASH 存储器包含程序存储器(APROM)与非易失数据存储器(Data FLASH),可通过相关特殊功能寄存器(SFR)对 其进行存取操作以实现 IAP 功能。FLASH 存储器支持如下操作:  字节读操作。  字节写操作。  页擦除操作。 4.10 唯一 ID(UID) 每颗芯片拥有 96 位唯一身份识别号,即 Unique identification。UID 出厂时已经设置,用户不能修改。 www.mcu.com.cn 28 / 47 Rev. 1.07 CMS8M35xx 数据手册 5. 用户配置 系统配置寄存器(CONFIG)是 MCU 初始条件的 FLASH 选项,程序不能访问及操作。通过系统配置寄存器可以设置如下 内容:  看门狗的工作方式。  FLASH 程序区分区保护、代码加密,FLASH 数据区加密状态。  低压复位电压。  调试模式禁止或使能。  振荡方式、预分频选择。  内部高速振荡器分频选择。  外部复位配置、端口选择。  休眠唤醒等待时间。 www.mcu.com.cn 29 / 47 Rev. 1.07 CMS8M35xx 数据手册 6. 电气参数 6.1 绝对最大额定值 符号 参数 最小值 最大值 单位 TST 存储温度 -55 150 ℃ TA 工作温度 -40 105 ℃ VDD-VSS 电源电压 -0.3 5.8 V VIN 输入电压 VSS-0.3 VDD+0.3 V IDD VDD 最大输入电流 - 120 mA ISS VSS 最大输出电流 - 120 mA 单个 IO 最大灌电流 - 50 mA 单个 IO 最大拉电流 - 20 mA 所有 IO 最大灌电流 - 120 mA 所有 IO 最大拉电流 - 120 mA IIO 6.2 直流电气特性 VDD-VSS=2.1~5.5V,TA=25℃ 符号 参数 VDD 工作电压 正常模式 IDD IDLE 模式 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 2.1 - 5.5 V - 6 - mA - 6 - mA - 4 - mA - 4 - mA - 3 - mA - 3 - mA - 2 - mA - 2 - mA - 4 - mA VDD=3V,FSYS=48MHz,所有外设关闭 - 4 - mA VDD=5V,FSYS=24MHz,所有外设关闭 - 2.5 - mA VDD=3V,FSYS=24MHz,所有外设关闭 - 2.5 - mA VDD=5V,FSYS=16MHz,所有外设关闭 - 2 - mA VDD=3V,FSYS=16MHz,所有外设关闭 - 2 - mA VDD=5V,FSYS=8MHz,所有外设关闭 - 1.5 - mA VDD=3V,FSYS=8MHz,所有外设关闭 - 1.5 - mA FSYS=48MHz,FCPU=FSYS/2 FSYS=8MHz~24MHz,FCPU=FSYS VDD=5V,FSYS=48MHz,所有外设关闭 FCPU=FSYS/2 VDD=3V,FSYS=48MHz,所有外设关闭 FCPU=FSYS/2 VDD=5V,FSYS=24MHz,所有外设关闭 FCPU=FSYS VDD=3V,FSYS=24MHz,所有外设关闭 FCPU=FSYS VDD=5V,FSYS=16MHz,所有外设关闭 FCPU=FSYS VDD=3V,FSYS=16MHz,所有外设关闭 FCPU=FSYS VDD=5V,FSYS=8MHz,所有外设关闭 FCPU=FSYS VDD=3V,FSYS=8MHz,所有外设关闭 FCPU=FSYS VDD=5V,FSYS=48MHz,所有外设关闭 ISLEEP1 休眠电流 所有外设关闭,LSE、LSE 定时器使能 - 20 - uA ISLEEP2 休眠电流 所有外设关闭,LSI、WUT 定时器使能 - 7 - uA ISLEEP3 休眠电流 所有外设关闭 - 6 - uA ILI 输入漏电 - - - 0.1 uA VIL 输入低电平 - VSS - 0.3VDD V www.mcu.com.cn 30 / 47 Rev. 1.07 CMS8M35xx 数据手册 VIH VOL VOH 输入高电平 输出低电压 输出高电压 - 0.7VDD - VDD V VDD=5V,IOL1=12mA - - 0.4 V VDD=5V,IOL2=7mA - - 0.4 V VDD=3V,IOL1=9mA - - 0.4 V VDD=3V,IOL2=5mA - - 0.4 V VDD=5V,IOH1=40mA 3.5 - - V VDD=5V,IOH2=20mA 3.5 - - V VDD=3V,IOH1=15mA 2.1 - - V VDD=3V,IOH2=8mA 2.1 - - V RPH 上拉电阻 - - 32 - KΩ RPL 下拉电阻 - - 32 - KΩ www.mcu.com.cn 31 / 47 Rev. 1.07 CMS8M35xx 数据手册 6.3 交流电气参数 6.3.1 上电与掉电操作 TA=25℃,不包含 32.768K 晶振起振时间 符号 参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 TRESET 复位时间 VDD=5V - 16 - ms TVDDR VDD rise rate VDD=5V 2 - - us/V TVDDF VDD fall rate VDD=5V 2 - - us/V 6.3.2 外部振荡器 符号 参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 VHSE 工作电压 F=8/16MHz,CXT=0-47pF 2.1 - 5.5 V VLSE 工作电压 F=32.768KHz,CXT=10-22pF 2.1 - 5.5 V 6.3.3 内部振荡器 VDD=2.1V-5.5V 符号 参数 测试条件 频率误差 最小值 典型值 最大值 单位 内部高速 48MHz TA=0℃至 80℃ ±1% - 48 - MHz FHSI TA=-40℃至 105℃ ±2% - 48 - MHz TA=25℃ ±5% - 125 - KHz TA=-40℃至 105℃ ±50% - 125 - KHz 内部低速 125KHz FLSI 6.3.4 低压复位电气参数 符号 参数 最小值 典型值 最大值 单位 VLVR1 低压侦测阀值 1.8V 1.65 1.8 1.95 V VLVR2 低压侦测阀值 2.0V 1.85 2.0 2.15 V VLVR3 低压侦测阀值 2.5V 2.35 2.5 2.65 V VLVR4 低压侦测阀值 3.5V 3.35 3.5 3.65 V 符号 参数 最小值 典型值 最大值 单位 VLVD1 低压侦测阀值 2.0V 1.85 2.0 2.15 V VLVD2 低压侦测阀值 2.2V 2.05 2.2 2.35 V VLVD3 低压侦测阀值 2.4V 2.25 2.4 2.55 V VLVD4 低压侦测阀值 2.7V 2.55 2.7 2.85 V VLVD5 低压侦测阀值 3.0V 2.85 3.0 3.15 V VLVD6 低压侦测阀值 3.7V 3.55 3.7 3.85 V VLVD7 低压侦测阀值 4.0V 3.85 4.0 4.15 V VLVD8 低压侦测阀值 4.3V 4.15 4.3 4.45 V 6.3.5 LVD 电气参数 www.mcu.com.cn 32 / 47 Rev. 1.07 CMS8M35xx 数据手册 6.4 FLASH 电气参数 符号 参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 VF FLASH 工作电压 - 2.1 - 5.5 V TF FLASH 工作温度 - -40 27 105 ℃ 擦写次数 程序 FLASH 20,000 - - Cycle NENDURANCE Data FLASH 100,000 - - Cycle TRET 数据保存时间 25℃ 100 - - year TERASE 扇区擦除时间 - - 1.5 - ms TPROG 编程时间 - - 7 - us IDD1 读取电流 - - - 2.5 mA IDD2 编程电流 - - - 3.6 mA IDD3 擦除电流 - - - 2 mA www.mcu.com.cn 33 / 47 Rev. 1.07 CMS8M35xx 数据手册 模拟特性 6.5 6.5.1 BANDGAP 电气特性 符号 参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 VBG 内部基准 1.2V VDD=2.1~5.5V、TA=-40℃至 105℃ 1.182 1.2 1.218 V 6.5.2 ADC 电气特性 TA=25℃ 符号 参数 最小值 典型值 最大值 单位 VAVDD ADC 工作电压 2.5 - 5.5 V VREF1 参考电压 1 - VAVDD - V VREF2 参考电压 2(非 VBG) 1.185 1.2 1.215 V VREF3 参考电压 3 1.985 2.0 2.015 V VREF4 参考电压 4 2.385 2.4 2.415 V VREF5 参考电压 5 2.985 3.0 3.015 V VADI 输入电压 0 - VREF V NR 分辨率 12 Bit DNL 微分非线性误差(VREF=VAVDD=5V,TADCK=0.5us) ±2 LSB INL 积分非线性误差(VREF=VAVDD=5V,TADCK=0.5us) ±4 LSB TADCK ADC 时钟周期 0.5 - 32 us TADC ADC 转换时间 - 18.5 - TADCK FS 采样率(VREF=VAVDD=5V) www.mcu.com.cn 100 34 / 47 Ksps Rev. 1.07 CMS8M35xx 数据手册 6.5.3 ACMP 电气特性 TA=25℃,VSENSE=VIN+-VIN-,VDD=5V,VIN+=1V,除非另有说明 符号 参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位 VDD 电源电压 - 2.1 - 5.5 V IQ 静态电流 VSENSE=0.1V - 0.2 0.3 mA ISD 关断电流 VSENSE=0.1V - 10 - nA TA 工作温度 - -40 25 105 ℃ 未调零 - ±4.0 - 调零后 - ±0.5 ±1.0 输入特性 VOS 输入失调电压 VCM 共模输入电压范围 -40℃~105℃ -0.1 - IB 输入偏置电流 VSENSE=0mV - 10 - pA IOS 输入失调电流 VSENSE=0mV - 10 - pA VHYS 输入迟滞电压 VDD=2.1~5.5V, VIN+=0.5V - 0 ±10 ±20 ±60 - mV mV VDD-1.5 V 输出特性 VOH 最大输出电压 -40℃~105℃ - - VDD V VOL 最小输出电压 -40℃~105℃ 0 - - V 频率特性 AOL 开环增益 - - 85 - dB BW 带宽 - - 150 - MHz PSRR 电源抑制比 - 80 - dB CMRR 共模抑制比 VDD=2.1~5.5V, VIN+=1V, VSENSE=0mV VDD=2.1~5.5V -40℃~105℃ - 90 - dB 瞬态特性 TSTB TPGD 稳定时间 - - - 5 μs 响应延时 VCOM=1V, VIN+= VIN- ±0.1V - 50 100 ns www.mcu.com.cn 35 / 47 Rev. 1.07 CMS8M35xx 数据手册 6.5.4 OP 电气特性 TA=25℃,VSENSE=VIN+-VIN-,VDD=5V,VIN+=1V,除非另有说明 符号 参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位 VDD 电源电压 - 2.5 - 5.5 V IQ 静态电流 VSENSE=0mV - 1.0 1.6 mA ISD 关断电流 - - 5 - nA TA 工作温度 - -40 25 105 ℃ 未调零 - ±3.5 - 调零后 - ±0.5 ±1.0 输入特性 VOS 输入失调电压 VCM 共模输入电压范围 -40℃~105℃ 0 - VDD-1.5 V IB 输入偏置电流 VSENSE=0mV - 10 - pA IOS 输入失调电流 VSENSE=0mV - 10 - pA mV 输出特性 CLOAD 电容性负载 - - 30 - pF VOH 最大输出电压 -40℃~105℃ - - VDD-0.3 V VOL 最小输出电压 -40℃~105℃ 0.3 - - V 频率特性 AOL 开环增益 - - 80 - dB BW 带宽 RLOAD=2K,CLOAD=100pF - 5 - MHz PSRR 电源抑制比 - 75 - dB CMRR 共模抑制比 VDD=2.5~5.5V, VIN+=1V, VSENSE=0mV VIN+=0.3~(VDD-1.5) -40℃~105℃ - 90 - dB 瞬态特性 SR 摆率 RLOAD =2K,CLOAD =100pF - ±8 - V/μs TSTB 稳定时间 - - - 2 μs www.mcu.com.cn 36 / 47 Rev. 1.07 CMS8M35xx 数据手册 6.5.5 PGA 电气特性 TA=25℃,VDD=5V,VIN+=0.01V,除非另有说明。(G 为增益倍数) 符号 参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位 VDD 电源电压 - 2.5 - 5.5 V IQ 静态电流 VOUT=2V - 0.5 0.7 mA ISD 关断电流 - - 10 - nA TA 工作温度 -40 25 105 ℃ 未调零 - ±2.5 - 调零后 - ±0.1 ±0.2 G=1 0.032 G=2 0.016 G=4 0.008 0.004 (VDD-1.5)/ G V G=8 G=16 0.002 G=32, 64,128 0.001 输入特性 VOS VCM 输入失调电压 共模输入电压范围 mV IB 输入偏置电流 - - 10 - pA IOS 输入失调电流 - - 10 - pA G=1, 2, 4, 8, 16 -1 - 1 G=32 -2 - 2 G=64,128 -4 - 4 输出特性 增益误差 EG % CLOAD 电容性负载 - - 10 - pF VOH 最大输出电压 -40℃~105℃ - - VDD-1.5 V VOL 最小输出电压 -40℃~105℃ 0.032 - - V 频率特性 BW 带宽 CLOAD=10pF,G=1 - 1.5 - MHz PSRR 电源抑制比 VDD=2.5~5.5V,G=16 - 75 - dB CMRR 共模抑制比 -40℃~105℃ - 80 - dB 瞬态特性 SR 摆率 CLOAD=10pF,G=32 - 10 - V/μs TSTB 稳定时间 - - - 2 μs TSH(1) 采样保持时间 - - 3 - μs www.mcu.com.cn 37 / 47 Rev. 1.07 CMS8M35xx 数据手册 6.6 6.6.1 GATE DRIVER(6N)电气特性(CMS8M3535) 绝对最大额定值 25℃,除另有规定外,所有管脚均以GND作为参考点 6.6.2 推荐工作条件 25℃,除另有规定外,所有管脚均以GND作为参考点 www.mcu.com.cn 38 / 47 Rev. 1.07 CMS8M35xx 数据手册 6.7 6.7.1 GATE DRIVER(6N)电气特性(CMS8M3536) 绝对最大额定值 25℃,除另有规定外,所有管脚均以GND作为参考点 参数 符号 值 单位 高侧浮动偏移绝对电压 VB1,2,3 225 V 高侧浮动偏移相对电压 VS1,2,3 VB1,2,3 -25~VB1,2,3 V 高侧输出电压 VHO1,2,3 VS1,2,3~VB1,2,3 V 最大电源电压 VCC 25 V 低侧输出电压 VLO1,2,3 VCC V VIN 10 V dVS /dt 50 V/ns 最大功耗(注 1) PD 1.25 W 结到环境热阻 θJA 100 ℃/W 最大输入电压(HIN1,2,3/LIN1,2,3) 偏移电压最大压摆率 结温 J 150 ℃ 储存温度 S -55~+150 ℃ 引脚焊接温度(持续时间 10s) L 260 ℃ 2000 V ESD(注 2) 注: 1) 在任何情况下,不要超过PD ,不同环境温度下的最大功耗计算公式为:PD (150℃为电路工作的环境温度, J J 为封装的热阻,150℃为电路的最高工作结温; 2) 人体模型,100 3) 电路工作条件超过绝对最大额定值规定的范围时,极有可能导致电路立即损坏。 6.7.2 )/ 电容通过1.5KΩ 电阻放电; 推荐工作条件 ℃,除另有规定外,所有管脚均以 ( 为参考点) 最小值 典型值 最大值 单位 VCC 8 15 20 V 高侧浮动偏移绝对电压 VB1,2,3 VS1,2,3+8 VS1,2,3 +15 VS1,2,3 + 20 V 高侧浮动偏移相对电压 VS1,2,3 GND-5 - 200 V 高侧输出电压 VHO1,2,3 VS1,2,3 VS1,2,3 +15 VB1,2,3 V 低侧输出电压 VLO1,2,3 0 15 VCC V VIN 0 - 5 V -20 - +85 ℃ 参数 电源电压 输入电压(HIN1,2,3 /LIN1,2,3) 工作温度范围(注 1) 符号 o r 注: 1) 2) o r 表示电路工作的环境温度; 长时间工作在推荐条件之外,可能影响其可靠性,不建议芯片超过推荐工作条件长期工作。 www.mcu.com.cn 39 / 47 Rev. 1.07 CMS8M35xx 数据手册 6.7.3 电特性参数表 ℃, 参数 , 除另有规定外 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 VCC 静态电流 IVCCQ VHIN1,2,3 VLIN1,2,3 0 200 330 460 μA VBS 静态电流 IVBSQ VHIN1,2,3 0 33 55 75 μA VCC 动态电流 IVCCD fLIN1,2,3=20kHz - 430 - μA VBS 动态电流 IVBSD fHIN1,2,3=20kHz - 180 - μA VB 浮动电源漏电流 IVSLK VB VS 200V - - 0.1 μA 电源电流参数 电源电压参数 VCC 欠压高电平电位 VCCHY+ 6.5 7 7.5 V VCC 欠压高电平电位 VCCHY- 5.8 6.3 6.8 V VCC 欠压迟滞电平 VCCHY 0.4 0.7 - V VBS 欠压高电平电位 VBSHY+ 6.5 7 7.5 V VBS 欠压高电平电位 VBSHY- 5.8 6.3 6.8 V VBS 欠压迟滞电平 VBSHY 0.4 0.7 - V VS 静态负压 VSQN - -8.0 - V 输入端参数 输入高电平电流 IIN+ VHIN 或VLIN 5V - 60 90 μA 输入低电平电流 IIN- VHIN 或VLIN 0 - 0 1 μA 输入高电平电位 VIN+ 2.6 - - V 输入低电平电位 VIN- - - 0.8 V VINHY - 1.2 - V 0.8 1.1 1.4 A 1.5 2.0 2.5 A 输入迟滞电平 输出端参数 高电平短路脉冲电流 IOU + 低电平短路脉冲电流 IOU - 高电平输出电压 VOU + VHIN 或VLIN 5V VHO 或VLO 0 PWD≤10μs VHIN 或VLIN 0 VHO 或VLO 15V PWD≤10μs IOU =100mA - 0.52 0.8 V 低电平输出电压 VOU - IOU =100mA - 0.23 0.35 V 时间参数 输出上升沿传输时间 ON NO Load - 260 390 ns 输出下降沿传输时间 O NO Load - 260 390 ns 输出上升时间 rise CL =3.3nF - 60 90 ns 输出下降时间 fall CL =3.3nF - 33 50 ns 死区时间 DT NO Load 150 300 450 ns 高低侧匹配时间 MT ∆TON & ∆TOFF - - 50 ns www.mcu.com.cn 40 / 47 Rev. 1.07 CMS8M35xx 数据手册 6.8 GATE DRIVER(3P3N)电气特性(CMS8M3512/3524) 6.8.1 绝对最大额定值 CMS8M3512(除非另有说明,TA=25℃) 。 参数 符号 电源电压 输入频率 范围 单位 最小 典型 最大 GVDD 8 12 16 V Fin - - 100 KHz CMS8M3524(除非另有说明,TA=25℃) 。 6.8.2 参数 符号 电源电压 输入频率 范围 单位 最小 典型 最大 GVDD 16 24 30 V Fin - - 100 KHz 电特性参数 6.8.2.1 驱动 NMOS 功率管 (除非另有说明,VDD=12V,TA=25℃) 。 参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 R1输入电阻 - 40 50 60 Ω R2下拉电阻 - 16 20 24 KΩ 最小值 典型值 最大值 单位 1.1 mA 6.8.2.2 驱动 PMOS 功率管 (除非另有说明,VDD=12V,TA=25℃) 。 参数 测试条件 IinP*_IN输入电流 VP*_IN=5V 0.7 0.9 VOH 输出高电平 空载 10.5 11 - VOL 输出低电平 空载 - - 1 - 75 150 tPHH 上升沿延时 tPLL 下降沿延时 VDD=12V,空载 - 75 150 tr 上升沿 VDD=12V,CL=1nF - 100 300 tf 下降沿 VDD=12V,CL=1nF - 100 300 www.mcu.com.cn 41 / 47 V ns Rev. 1.07 CMS8M35xx 数据手册 6.8.3 时间参数测试说明 50% 50% Vin tPHL tPLH Vout 90% 90% 50% 10% 50% 10% tf tr 时间参数测试示意图 GVDD signal Vout Vin CL 1nF 测试电路框图 www.mcu.com.cn 42 / 47 Rev. 1.07 CMS8M35xx 数据手册 6.8.4 3P3N 预驱内部逻辑框图特性 GVDD 6.5K P*_OUT 6.5K P*_IN 5K 4.5K 7.5K N*_IN N*_OUT 50 20K 3P3N 预驱内部逻辑框图 6.8.5 逻辑真值表 NMOS 逻辑真值表 N*_IN N*_OUT 悬空 L L L H H P*_IN P*_OUT 悬空 H L H H L PMOS 逻辑真值表 注:*代表数字 1、2、3。 www.mcu.com.cn 43 / 47 Rev. 1.07 CMS8M35xx 数据手册 EMC 特性 6.9 6.9.1 EFT 电气特性 符号 VEFTB 参数 测试条件 最大值 单位 Fast transient voltage burst limits to beapplied through 0.1uF(capacitance) on VDDand VSSpins to induce a functional disturbance TA = + 25 ℃, FSYS=48MHz, conforms to IEC 61000-4-4 4800 V 等级 4B 注:电快速瞬变脉冲群(EFT)抗扰度性能与系统设计(包括电源结构、电路设计、布局布线、芯片配置、程序结构等)密切相 关。上述表格中的 EFT 参数是在 CMS 内部测试平台上所测得的结果,并非适用于所有应用环境,该测试数据仅作为参 考。系统设计各方面均可能会对 EFT 性能造成影响,在 EFT 性能要求较高的应用中,设计时应注意尽量避免干扰源影响系 统运行,建议分析干扰路径及优化设计以达到最佳的抗扰性能。 6.9.2 ESD 电气特性 符号 VESD 6.9.3 参数 测试条件 最大值 单位 等级 静电放电 (人体放电模式HBM) TA = + 25℃, JEDEC EIA/JESD22- A114 8000 V 3B 静电放电 (机器放电模式MM) TA = + 25℃, JEDEC EIA/JESD22- A115 400 V C Latch-Up 电气特性 符号 参数 测试条件 测试类型 最小值 单位 LU Static latch-up class JEDEC STANDARD NO.78D NOVEMBER 2011 Class I (TA = +25℃) ±200 mA www.mcu.com.cn 44 / 47 Rev. 1.07 CMS8M35xx 数据手册 7. 封装信息 7.1 SSOP24 Symbol Millimeter Min Nom Max A - - 1.75 A1 0.10 0.15 0.25 A2 1.30 1.40 1.50 A3 0.60 0.65 0.70 b 0.23 - 0.31 b1 0.22 0.25 0.28 c 0.20 - 0.24 c1 0.19 0.20 0.21 D 8.55 8.65 8.75 E 5.80 6.00 6.20 E1 3.80 3.90 4.00 e 0.635BSC h 0.30 - 0.50 L 0.50 - 0.80 L1 1.05REF 0 www.mcu.com.cn - 45 / 47 8° Rev. 1.07 CMS8M35xx 数据手册 7.2 LQFP32 Millimeter Symbol Min Nom Max A - - 1.60 A1 0.05 - 0.25 A2 1.35 1.40 1.45 A3 0.59 0.64 0.69 b 0.33 - 0.41 b1 0.32 0.35 0.38 c 0.13 - 0.17 c1 0.12 0.13 0.14 D 8.80 9.00 9.20 D1 6.90 7.00 7.10 E 8.80 9.00 9.20 E1 6.90 7.00 7.10 e 0.80BSC eB 8.10 - 8.25 L 0.45 - 0.75 L1 1.00REF 0° www.mcu.com.cn - 46 / 47 7° Rev. 1.07 CMS8M35xx 数据手册 8. 版本历史 版本号 时间 V1.00 2020 年 1 月 初始版本 V1.01 2020 年 7 月 添加 CMS8M3524 等芯片型号 V1.02 2020 年 8 月 添加 CMS8M3510 等芯片型号 V1.03 2020 年 11 月 添加 CMS8M3512S024 和 CMS8M3536L032 芯片信息 V1.04 2021 年 11 月 调整芯片信息,添加 CMS8M3535 芯片信息 V1.05 2022 年 1 月 调整 FLASH 电气参数 V1.06 2022 年 2 月 调整修改记录内容及一些产品描述 V1.07 2022 年 2 月 修改文档对 PGA 的描述 www.mcu.com.cn 修改内容 47 / 47 Rev. 1.07