CY6N136

CY6N135,CY6N136 概述 CY6N135、CY6N136 光耦合器由一个 AlGaAs LED 和高速光电晶体管组成。 通过减少输入晶体管的基极-集电 极电容，光电二极管偏置的单独连接将速度比传统的光电晶体管光耦合器提高了几个数量级。 特性  集电极开路输出  TTL 兼容  高速率: 1 MBit/s  优越的 CMR-10 kV/μs  CTR 范围: 0-70%  符合 RoHS 应用  CMOS-LSTTL-TTL 输出接口  电信设备  电机驱动中的功率晶体管隔离  替代低速光电晶体管光电耦合器  家电 电路结构和封装 © CHEUK YUI INNOVATION CO.,LIMITED Proprietary & Confidential 1 2022-4-9 DS-CY6N135,CY6N136-CN-V01 CY6N135,CY6N136 极限参数 (TA = 25°C 除非特别说明) 符号 参数 额值 单位 TSTG 储存温度 -40~+125 ℃ TOPR 工作温度 -40~+100 ℃ 结温 -40~+125 ℃ TSOL 焊线温度 (仅适用于回流焊) 260（10s） ℃ IF(avg) DC 平均输入电流 25 mA IF(PK) 峰值输入电流 (50% 占空比, 1 ms 脉宽) 50 mA IF(TRANS) 峰值瞬态输入电流(≤1µs 脉宽, 300 pps) 1 A TJ 发射 VR 反向输入电压 5.0 V PD 输入功耗 100 mW 接收 IO(AVG) 平均输出电流 8 mA IO(PK) 峰值输出电流 16 mA VEBR 发射极-基极 反向电压 5 V VCC 电源电压 -0.5 ~ 30 V VO 输出电压 -0.5 ~ 20 V IB 基极电流 5 mA PO 输出功耗 100 mW 推荐工作条件 参数 符号 最小值 最大值 单位 电源电压 VCC 4.5 20 V 工作温度 TA -40 70 °C 低电平输入电流 IFL 0 250 uA 高电平输入电流 IFH 6.3 20.0 mA 备注: 不高于推荐工作范围中列出的应力的功能操作。 长时间承受超出推荐工作范围限制的应力可能会影响器件的可靠性。 6.3 mA 是一个保护带值，允许至少 20% CTR 下降。 初始输入电流阈值为 5.0 mA 或更小。 © CHEUK YUI INNOVATION CO.,LIMITED Proprietary & Confidential 2 2022-4-9 DS-CY6N135,CY6N136-CN-V01 CY6N135,CY6N136 光电参数 (Ta=0 to 70°C 除非特别说明) 参数 符号 条件 最小 典型 最大 值 值 值 1.45 1.75 单位 发射 IF = 16mA,TA = 25°C 正向电压 VF 反向击穿电压 BVR IR = 10μA ΔVF/ΔTA IF = 16mA 二极管温度系数 IF = 16mA 1.8 5.0 V V -1.6 mV/°C 接收 IF = 0mA,VO=VCC=5.5V, (TA = 25°C) 高电平输出电流 IOH IF = 0mA,VO=VCC=15V, (TA = 25°C) 0.001 0.5 0.005 1 IF = 0mA,VO=VCC=15V 低电平电源电流 ICCL 50 IF = 16mA,VO=Open 120 VCC=15V IF = 0mA,VO=Open 高电平电源电流 ICCH uA 200 uA 2 VCC=15V,(TA = 25°C) uA IF = 0mA,VO=Open 4 VCC=15V 耦合 IF = 16mA,VO=0.4V CY6N135 CTR VCC=4.5V,(TA = 25°C) IF = 16mA,VO=0.4V VCC=4.5V 电流传输比 IF = 16mA,VO=0.4V CY6N136 CTR VCC=4.5V,(TA = 25°C) IF = 16mA,VO=0.4V VCC=4.5V IF = 16mA,IO=1.1mA CY6N135 VOL VCC=4.5V,(TA = 25°C) IF = 16mA,IO=0.8mA VCC=4.5V 低电平输出电压 IF = 16mA,IO=3.0mA CY6N136 VOL VCC=4.5V,(TA = 25°C) IF = 16mA,IO=2.4mA VCC=4.5V 7 38 50 5 % 19 38 50 0.12 0.4 0.11 0.5 15 V 0.20 0.4 0.18 0.5 . © CHEUK YUI INNOVATION CO.,LIMITED Proprietary & Confidential 3 2022-4-9 DS-CY6N135,CY6N136-CN-V01 CY6N135,CY6N136 开关特性 (TA -40°C to +85°C, VCC= 5V, IF= 7.5mA除非特别说明) 交流特性 符号 CY6N135 TPLH 输出高电平延迟时间 CY6N136 TPLH CY6N135 TPHL 输出低电平延迟时间 CY6N136 TPHL CY6N135 |CMH| 高电平共模抑制比 CY6N136 |CMH| CY6N135 |CML| 低电平共模抑制比 CY6N136 |CML| 条件 最小值 TA = 25°C, RL = 4.1 KΩ , IF = 16 mA 典型值 最大值 0.45 1.5 2.0 RL = 4.1 KΩ , IF = 16 mA 0.29 TA = 25°C, RL =1.9 KΩ , IF = 16 mA 0.8 单位 ns 1.0 RL = 1.9KΩ , IF = 16 mA 0.25 TA = 25°C, RL = 4.1 KΩ , IF = 16 mA 1.5 2.0 RL = 4.1 KΩ , IF = 16 mA 0.28 TA = 25°C, RL =1.9 KΩ , IF = 16 mA 0.8 ns 1.0 RL = 1.9KΩ , IF = 16 mA TA = 25°C, |VCM| = 10V (Peak), 10000 IF = 0mA,RL = 4.1KΩ V/μs TA = 25°C, |VCM| = 10V (Peak), 10000 IF = 0mA,RL = 1.9KΩ TA = 25°C, |VCM| = 10V (Peak), 10000 IF = 16mA,RL = 4.1KΩ V/μs TA = 25°C, |VCM| = 10V (Peak), 10000 IF =16mA,RL = 1.9KΩ 隔离特性 (TA = -40°C to +85°C 除非特别说明.) 参数 符号 条件 RH < 50%, f = 50HZ, 隔离电压 VISO 隔离电阻(输入-输出) RI-O VI-O = 500VDC 隔离电容(输入-输出) CI-O f = 1MHz,VI-O = 0VDC 隔离漏电流(输入-输出) II-O II-O ≤ 10μA, t = 1 min. RH=45%,TA=25°C, t=5s, VI-O=3000VDC 最小值 典型值 最大值 单位 VRMS 5000 1011 Ω 1 pF 1.0 μA 备注： 1. 电流传输比定义为输出集电极电流 IO 与 LED 正向输入电流 IF 之比乘以 100%。 2. 4.1 kΩ 负载代表 1 个 0.36 mA 的 LSTTL 单位负载和 6.1 kΩ 上拉电阻。 3. 1.9 kΩ 负载代表 1 TTL 单位负载 1.6 mA 和 5.6 kΩ 上拉电阻。 4. 逻辑高电平下的共模瞬态抗扰度是共模脉冲信号 VCM 前沿的最大可容忍（正）dVcm/dt，以确保输出保持在逻辑高状态（即 VO>2.0 五）。 逻辑低电平下的共模瞬态抗扰度是共模脉冲信号 VCM 后沿上的最大可容忍（负）dVcm/dt，以确保输出保持在逻辑低电平状态（即 VO