CYTLP184
概述
CYTLP184是一块小外形的贴片光电耦器件,适合表面贴装生产。CYTLP184是由一个砷化镓发光二极管和一
个光电晶体管组成的光电耦合器,它的体积比DIP小,适用于高密度表面贴装应用,如可编程控制器等。
特性
电流转换比 (CTR)范围: (CTR: 50~600% at IF =5mA ,VCE =5V)
输入-输出隔离电压(Viso=3750 Vrms)
集电极-发射极击穿电压 BVCEO≥80V
工作温度:-55 to 110°C
符合 EU REACH 和 RoHS
UL认证 (NO:E497745)
CQC 认证(NO:CQC20001238559)
电性应用
开关电源,智能电表
工业控制,测量仪器
办公设备,比如复印机
家用电器,比如空调、风扇、热水器等
结构图和封装
极限参数(Ta=25C)
参数
输入
输出
符号
额定值
单位
正向电流
IF
±50
mA
正向脉冲电流
IFP
±1
A
反向电压
VR
6
V
功耗
P
70
mW
结温
Tj
125
°C
集电极功耗
PC
150
mW
集电极电流
IC
50
mA
VCEO
80
V
集电极-发射极电压
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2019-1-31
DPC-CYTLP184-CN-Rev.1
CYTLP184
参数
符号
额定值
单位
VECO
7
V
Tj
125
°C
总功耗
Ptot
200
mW
隔离电压
Viso
3750
Vrms
工作温度
Topr
-55~+110
°C
储存温度
Tstg
-55~+125
°C
焊接温度
Tsol
260(10s)
°C
发射极-集电极电压
结温
光电特性 (Ta=25C)
符号
条件
最小值
典型值
最大值
单位
正向电压
VF
IF=±10mA
1.1
1.25
1.4
V
反向电流
IR
Cin
10
µA
输入端电容
-
60
集电极暗电流
ICEO
V=0, f=1MHz
VCE=70V
VCE=70V,Ta=85°C
-
2
100
50
pF
nA
µA
参数
输入
输出
发射极-集电极击穿电压
BVCEO
IC=0.5mA, IF=0
80
V
集电极暗电流
BVECO
IE=0.1mA, IF=0
7
V
电流转换比
传输特性
开关时间
VR=5V
CTR
饱和 CTR
CTR(sat)
集电极-发射极饱和压降
VCE(sat)
IF=±5mA, VCE=5V
Rank GB
IF=±1mA, VCE=0.4V
Rank GB
IF=±8mA, IC=2.4mA
IF=±1mA, IC=0.2mA
Rank GB
50
100
30
-
60
0.2
-
400
600
0.3
0.3
%
V
隔离电阻
RISO
DC500V, 40~60%R.H.
隔离电容
Cf
V=0, f=1MHz
0.6
集电极-发射极电容
CCE
V=0, f=1MHz
10
pF
输入-输出电容
CS
V=0, f=1MHz
0.8
pF
截止频率
Fc
VCE=5V, IC=2mA,
RL=100Ω, -3dB
80
kHz
截止状态集电极电流
CTR 对称率
隔离电压
上升时间
下降时间
开启时间
关断时间
开关时间
维持时间
关断时间
IC(off)
IC(ratio)
BVs
Tr
Tf
Ton
Toff
Ton
Ts
Toff
VF=±0.7V,VCE=48V
IC2(IF=-5mA)/IC1(IF=5mA
AC,1 minute
VCE=10V, IC=2mA,
RL=100Ω
VCE=5V, IC=±16mA,
RL=1.9KΩ
1x1010
%
0.33
3750
-
Ω
1.0
1
1
10
3
5
9
9
9
2
30
70
-
pF
µA
Vrms
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
* CTR=IC/IF x 100%
* IC(ratio)=IC2(IF=IF2,VCE=5V)/IC1(IF=IF1,VCE=5V)
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CYTLP184
CTR 分档
型号
电流转换率 (%)(IC/IF)
CTR 分档
CYTLP184
档位标志
IF = 5mA, VCE = 5V, Ta = 25°C
最小
典型
最大
标准
50
-
600
Blank,YE,GR,B,GB
Y
50
-
150
YE
GR
100
-
300
GR
BL
200
-
400
BL
GB
100
600
GB
推荐的操作条件:(备注)
参数
符号
最小
典型
最大
单位
电源电压
VCC
-
5
48
V
正向电流
IF
-
16
20
mA
集电极电流
IC
-
1
10
mA
开关时间测试电路
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图 1:正向电流 VS 温度
图 2:集电极功耗 VS 温度
图 3:正向电流随温度变化 VS IF
图 4:正向脉冲电压 VS 正向脉冲电流
图 5:集电极电流 VS 集电极-发射极电压
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图 6:集电极电流 VS 集电极-发射极电压
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图 7:集电极电流 VS 正向电流
图 8:集电极暗电流 VS 温度
图 9:CTR VS 正向电流
图 10:饱和电压 VS 温度
图 11:CTR VS 正向电流
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图 12:集电极电流 VS 温度
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图 13:开关时间 VS 负载电阻
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图 14:开关时间 VS 温度
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CYTLP184
回流焊曲线
10Sec
Ramp-up
TL 217℃
Tsmax 200℃
Temperature (℃)
Tsmin
150℃
25℃
TP 260℃
60~100Sec
Ramp-down
tL(Soldering)
Time (Sec)
60~ 120 sec
ts (Preheat)
外形尺寸
包装
封装形式
SOP4
包装方式
卷盘
(ϕ330mm)
盘数量
盒数量
箱数量
3000PCS/盘
15000PCS/盒
60000PCS/箱
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静电袋
-
盒规格
箱规格
355*90*337mm
377*347*355mm
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1)
内盒尺寸
2)
外箱尺寸
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编带尺寸
W
12.00±0.10
P1
8.00±0.10
T1
0.10min
E
F
D0
D1
P0
1.75±0.10
5.50±0.05
1.50+0.10/-0
1.50+0.10/-0
4.00±0.10
P2
A0
B0
K0
T
2.00±0.10
3.90±0.10
7.38±0.10
2.50±0.10
0.2±0.05
10*P0
40.00±0.20
注意:
◼ 卓睿研发会持续不断改善质量、可靠性、功能或设计和提供更好的产品,保留在任何时候修改此规格的权利,恕不另行
通知。
◼ 客户下定单之前请确认手头的资料是最新版本,客户需确认此芯片确实符合自己的需要且能满足自己的要求。
◼ 请遵守产品规格书使用,卓睿研发不对使用时不符合产品规格书条件而导致的质量问题负责。
◼ 如需要高可靠性且用于以上特定设备或装置的产品,如军事、核电控制、医疗、生命维持或救生等可能导致人身伤害或死
亡的设备或装置,请联系我们销售代表以获取建议。
◼ 使用此产品时请采取措施防止静电损坏。
◼ 如对文件中表述的内容有疑问,欢迎联系我们。
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- 100+0.39550
- 500+0.35312
- 1000+0.33335
- 2000+0.31922