CYPC356
概述
CYPC356是一块小外形的贴片光电耦合器件,适合表面贴装生产。CYPC356是由一个砷化镓发光二极管和一个光
电晶体管组成的光电耦合器,它的体积比DIP小,适用于高密度表面贴装应用,如可编程控制器等。
特性
电流转换比 (CTR)范围: 50~600% (IF =5mA ,VCE =5V)
输入-输出隔离电压 (Viso=3750 Vrms)
集电极-发射极击穿电压 BVCEO≥80V
工作温度:-55~110°C
UL 认证(NO.:E497745)
符合 EU REACH 和 RoHS
CQC 认证(NO:CQC20001238559)
Applications
开关电源,智能电表
工业控制,测量仪器
办公设备,比如复印机
家用电器,比如空调、风扇、热水器等
结构原理图和封装
极限参数 (Ta=25C)
参数
输入
输出
正向电流
正向脉冲电流
反向电压
功耗
结温
集电极功耗
集电极电流
集电极-发射极电压
发射极-集电极电压
结温
总功耗
隔离电压
工作温度
储存温度
焊接温度
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符号
额定值
单位
IF
IFP
50
1
6
70
125
150
50
80
7
125
200
3750
-55~+110
-55~+125
260
mA
A
V
mW
°C
mW
mA
V
V
°C
mW
Vrms
°C
°C
°C
VR
P
Tj
PC
IC
VCEO
VECO
Tj
Ptot
Viso
Topr
Tstg
Tsol
1
DPC-CYPC356-CN-Rev.1
CYPC356
光电特性 (Ta=25C)
Parameter
输入
Symbol
Condition
正向电压
VF
IF=20mA
反向电流
IR
VR=5V
终端电容
Ct
Typ.
Max.
Unit
1.2
1.4
V
-
-
10
µA
V=0, f=1kHz
-
30
250
pF
ICEO
VCE=70V
-
-
100
nA
集电极-发射极击穿电压
BV CEO
IC=0.1mA, IF=0
80
-
-
V
发射极-集电极击穿电压
BV ECO
IE=0.1mA, IF=0
7
-
-
V
电流转换比
CTR
IF=5mA, VCE=5V
50
-
600
%
集电极-发射极饱和压降
VCE(sat)
IF=20mA, IC=1mA
-
0.1
0.2
V
隔离电阻
RISO
DC1000V,
40~60%R.H.
1x1011
-
-
Ω
隔离电容
Cf
V=0, f=1MHz
-
0.6
1.0
pF
集电极-发射极电容
CCE
V=0, f=1MHz
截止频率
Fc
VCE=5V, IC=2mA,
RL=100Ω, -3dB
上升时间
Tr
下降时间
Tf
集电极暗电流
输出
传输特性
开关时间
VCE=10V, IC=2mA,
RL=100Ω
Min.
10
pF
-
80
-
kHz
-
4
18
µs
-
3
18
µs
* CTR=IC/IF x 100%
CTR 分级表
型号
分级标准
IC(mA)
对应 CTR(%)
IF = 5mA, VCE = 5V, Ta = 25°C
IF = 5mA, VCE = 5V, Ta = 25°C
Min
Max
Min
Max
Blank
2.5
30.0
50
600
A
4.0
8.0
80
160
B
6.5
13.0
130
260
C
10.0
20.0
200
400
D
15.0
30.0
300
600
A or B
4.0
13.0
80
160
B or C
6.5
20.0
130
400
C or D
10.0
30.0
200
600
A.B or C
4.0
20.0
80
400
B,C or D
6.5
30.0
130
600
A,B,C or D
4.0
30.0
80
600
CYPC356
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2
DPC-CYPC356-CN-Rev.1
CYPC356
测试电路
PC-Ta
正向电流 IF(mA)
集电极功耗 PC(mW)
IF-Ta
环境温度(°C)
环境温度(°C)
CTR- IF
电流传输比 CTR(%)
峰值正向电流 IF(mA)
IFM-DR
占空比
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正向电流 IF(mA)
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CYPC356
IC-VCE
集电极电流 IC(mA)
正向电流 IF(mA)
IF-VF
正向电压 VF(V)
CTR-Ta
集电极-发射极压降 VCE(V)
电流传输比 CTR(%)
集电极-发射极饱和压降 VCESAT(V)
VCE(SAT)-Ta
环境温度(°C)
Switching Time-RL
快关之间(uA)
集电极暗电流 ICEO(nA)
ICEO-Ta
环境温度(°C)
环境温度(°C)
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正向电压 VF(V)
负载电阻 RL(k)
4
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CYPC356
VCE(SAT)-IF
电压增益 AV(dB)
集电极-发射极饱和压降 VCESAT(V)
AV-f
频率(kHz)
正向电电流 IF(mA)
回流焊温度曲线图
Ramp-up
TL217℃
Tsmax 200℃
Temperature (℃)
Tsmin
150℃
25℃
10Sec
TP
260℃
Ramp-down
60~100Sec tL
( Soldering)
Time (Sec)
60~120 sec
ts (Preheat)
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CYPC356
外形尺寸
包装
封装形式
SOP4
包装方式
卷盘
(ϕ330mm)
1)
内盒尺寸
2)
外箱尺寸
盘数量
盒数量
箱数量
静电袋
盒规格
箱规格
3000PCS/盘
15000PCS/盒
60000PCS/箱
-
355*90*337mm
377*347*355mm
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6
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CYPC356
编带尺寸
W
12.00±0.10
E
1.75±0.10
F
5.50±0.05
D0
1.50+0.10/-0
D1
1.50+0.10/-0
P0
4.00±0.10
P1
8.00±0.10
P2
2.00±0.10
A0
3.90±0.10
B0
7.38±0.10
K0
2.50±0.10
T
0.2±0.05
T1
0.10min
10*P0
40.00±0.20
卓睿研发有限公司保留在任何时候修改此规格的权利,以改善设计性能和提供更好的产品,恕不另行通
知。客户下定单之前请确认手头的资料是最新版本。客户需确认此芯片确实符合自己的需要且能满足自
己的要求。卓睿研发有限公司不对由使用本产品而衍生的知识产权或者其它法律问题负责。使用此IC时
请采取措施防止静电损坏。
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DPC-CYPC356-CN-Rev.1
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- 5+0.34578
- 20+0.31527
- 100+0.28476
- 500+0.25425
- 1000+0.24001
- 2000+0.22984