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FS276AQ

FS276AQ

  • 厂商:

    FORTIORTECH(峰岹科技)

  • 封装:

    QFN17L

  • 描述:

    高压半桥功率模块

  • 数据手册
  • 价格&库存
FS276AQ 数据手册
FS276AQ 高压半桥功率模块 FS276AQ 概述 FS276AQ是一款600V/7A的高性能、高可靠性的高压半桥智能功率模块,内置2个快恢复功率 MOS管和高压半桥栅极驱动电路,主要应用于风机、风扇、水泵等小功率电机驱动。 FS276AQ内置VCC/VBS欠压(UVLO)保护功能,防止功率管在过低的电压工作。其内置输入 滤波和输入直通防止功能,防止输入噪声干扰。 FS276AQ采用QFN-7*7封装,提供了非常紧凑的封装体,使用非常方便,尤其适合内置于电机以 ry 及紧凑安装的场合。 产品特点 内置2个600V/7A快恢复功率MOS管 典型应用 ⚫ 内置高压栅极驱动电路(HVIC) ⚫ 空调室外风机 ⚫ 电源电压范围:13.5V~20V ⚫ 空调室内风机 ⚫ 3.3V/5V输入逻辑兼容,正逻辑有效 ⚫ 风扇 ⚫ VCC/VBS欠压保护(UVLO) ⚫ 吊扇 ⚫ 内置输入直通防止功能 ⚫ 水泵 ⚫ 绝缘电压:1500Vrms /1min ⚫ 空气净化器 ⚫ 符合ROHS ⚫ 吹风筒 el im in a ⚫ Pr 封装(QFN17L-7*7) QFN17L-7*7 www.fortiortech.com FS276AQ 芯片引脚配置 VB 17 16 HV 15 HV 14 HV 13 HV LIN 3 12 VS COM 4 11 VS VCC 1 ry HIN 2 COM 5 PGND 6 7 8 Name 1 VCC 2 HIN 3 LIN 4,5 COM 6,7,8 PGND 9,10,11,12 VS 13,14,15,16 HV 17 VB 低侧供电电压 高侧输入(正逻辑) 低侧输入(正逻辑) 逻辑地 功率地 高侧浮动偏移电压 直流输入电压 高侧浮动绝对电压 2 HIN VB VCC HV VB HO HIN 3 LIN 9,10 11,12 VS VS LIN 13,14 15,16 VCC VS 17 1 Pr 内部框图 9 Description el Pin VS im in a PGND PGND 10 LO 4,5 COM COM PGND 6,7,8 REV_Preliminary_0.1 2 www.fortiortech.com FS276AQ 绝对最大额定值 Symbol Min Max Unit 漏源电压 - 600 V IO 25 单个 MOS 管的漏极持续电流@ TC=25°C (注 1) - 7 A IO 80 单个 MOS 管的漏极持续电流@ TC=80°C (注 2) - 5 A IOP 单个 MOS 管的漏极峰值电流@ TC=25°C,脉冲宽 度小于 100us - 15 A Pd 最大功率耗散@TA≤25C - 5 W TJ 结温范围 -40 150 °C TS 储存温度范围 -40 150 °C - 25 -0.3 VS + 20 V C/W V VB - 20 VB +0.3 V V -0.3 20 V -0.3 VCC +0.3 V - 1500 V RthJA 结对环境的热阻 VB 高侧浮动绝对电压 VS 高侧浮动偏移电压 VCC ry BVDSS Description 低侧供电电压 逻辑输入电压(HIN,LIN) VISO 绝缘电压(正弦,AC 1 分钟) im in a VIN 注 1:该电流根据最大结温计算,封装限制最大电流 2A 注 2:该电流根据最大结温计算,封装限制最大电流 1.5A 注 3:在任何情况下,不要超过 PD。 注 4:电压超过绝对最大额定值,可能会损坏芯片。 注 5:在任何情况下,不要超过结温(150°C)。 Symbol el 推荐工作条件 Description Min Typ Max Units 直流输入电压 --- 300 400 V VBS 高侧供电电压 13.5 15 16.5 V VCC 低侧供电电压 13.5 15 16.5 V VIN 逻辑输入电压 COM --- VCC V tdead 死区时间 1.0 --- --- us fPWM PWM 开关频率 --- 16 25 kHz Pr HV 注 1:不建议芯片在推荐的工作条件之外长期工作。 REV_Preliminary_0.1 3 www.fortiortech.com FS276AQ 电气参数(除非特别注明,否则 TA =25C,VCC=VBS=15V) Symbol Description Min Typ Max Units Conditions BVDSS 源极-漏极击穿电压 600 --- --- V ILK=1mA ILK 零栅极电压漏极电流 --- --- 250 uA VDS=600V 静态漏源导通电阻 --- 1.0 1.25 Ω Id = 3A VSD 源漏二极管的正向电压 --- --- 1.4 V Id = 3A VIH HIN/LIN 高电平输入阈值电压 2.8 --- --- V VIL HIN/LIN 低电平输入阈值电压 --- --- 0.8 V 12.8 V 11.8 V - V RDS(ON) VCC 欠压保护开启电压 11.2 12 VCCUV- VCC 欠压保护关断电压 10.2 11 VCCUVH VCC 欠压保护迟滞电压 0.6 1 VBSUV+ VBS 欠压保护开启电压 9.4 10.2 11 V VBSUV- VBS 欠压保护关断电压 8.4 9.2 10 V VBSUVH VBS 欠压保护迟滞电压 0.6 1 - V IQBS VBS 静态电流 --- 75 120 uA VIN =0V 或 5V IQCC VCC 静态电流 --- 160 300 uA VIN =0V 或 5V IIN+ 高电平输入偏置电流 --- 25 50 uA VIN=5V IIN- 低电平输入偏置电流 --- --- 1 uA VIN=0V TON 输出上升沿传输时间 --- 500 800 nS TOFF 输出下降沿传输时间 --- 200 400 nS 输入滤波时间(HIN, LIN) --- 100 --- nS Min Typ Max Units Conditions im in a el Pr TFIL,IN ry VCCUV+ 注 1:HIN,LIN 输入脉冲宽度≥500nS MOSFET 特性 Symbol Description EAS 单脉冲雪崩能量 --- 200 --- mJ TJ=25°C, IAS=2A, L=100mH, TO-252 package. trr 反向恢复时间 -- 100 -- ns IS=4A,di/dt=100A/u s REV_Preliminary_0.1 4 www.fortiortech.com FS276AQ 输入输出功能 HV HIN Gate Driver IC R VS ry LIN im in a R PGND HIN 高电平 低电平 低电平 高电平 LIN VS 电压 低电平 HV 高电平 PGND 低电平 * 高电平 ** VS 电压有两种状态,如果电流从 PGND 流向 VS,VS 电压与 PGND 基本一样;如果电流从 VS 流 向 HV,VS 电压与 HV 基本一样 ** 输入直通防止状态 Pr el * REV_Preliminary_0.1 5 www.fortiortech.com FS276AQ 典型应用电路 R1 VCC HV D1 R1 HV D1 C2 VCC UH HIN UL LIN D1 C1 VB VCC HO HIN VL VS LO FS276AQ HV D1 PGND C2 VB VCC VB HIN HO LIN VS COM LO WH VH U COM R1 C2 LIN C1 COM HO VS V LO FS276AQ C1 W FS276AQ PGND R2 PGND R2 ry R2 WL N 1、 VCC电源端的滤波电容C1建议7倍于自举电容,建议10uF,并且尽可能的靠近芯片管脚。 im in a 2、 VCC电源端建议加18V稳压管,并且尽可能的靠近芯片管脚。 3、 输入管脚的连线尽量短,建议在输入端增加RC滤波电路来防止输入噪声。 4、 自举二极管D1建议采用耐压大于600V的快恢复二极管(trr
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