FS276AQ
高压半桥功率模块
FS276AQ
概述
FS276AQ是一款600V/7A的高性能、高可靠性的高压半桥智能功率模块,内置2个快恢复功率
MOS管和高压半桥栅极驱动电路,主要应用于风机、风扇、水泵等小功率电机驱动。
FS276AQ内置VCC/VBS欠压(UVLO)保护功能,防止功率管在过低的电压工作。其内置输入
滤波和输入直通防止功能,防止输入噪声干扰。
FS276AQ采用QFN-7*7封装,提供了非常紧凑的封装体,使用非常方便,尤其适合内置于电机以
ry
及紧凑安装的场合。
产品特点
内置2个600V/7A快恢复功率MOS管
典型应用
⚫
内置高压栅极驱动电路(HVIC)
⚫
空调室外风机
⚫
电源电压范围:13.5V~20V
⚫
空调室内风机
⚫
3.3V/5V输入逻辑兼容,正逻辑有效
⚫
风扇
⚫
VCC/VBS欠压保护(UVLO)
⚫
吊扇
⚫
内置输入直通防止功能
⚫
水泵
⚫
绝缘电压:1500Vrms /1min
⚫
空气净化器
⚫
符合ROHS
⚫
吹风筒
el
im
in
a
⚫
Pr
封装(QFN17L-7*7)
QFN17L-7*7
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FS276AQ
芯片引脚配置
VB
17
16
HV
15
HV
14
HV
13
HV
LIN 3
12
VS
COM 4
11
VS
VCC 1
ry
HIN
2
COM 5
PGND 6
7
8
Name
1
VCC
2
HIN
3
LIN
4,5
COM
6,7,8
PGND
9,10,11,12
VS
13,14,15,16
HV
17
VB
低侧供电电压
高侧输入(正逻辑)
低侧输入(正逻辑)
逻辑地
功率地
高侧浮动偏移电压
直流输入电压
高侧浮动绝对电压
2
HIN
VB
VCC
HV
VB
HO
HIN
3
LIN
9,10
11,12
VS
VS
LIN
13,14
15,16
VCC
VS
17
1
Pr
内部框图
9
Description
el
Pin
VS
im
in
a
PGND PGND
10
LO
4,5
COM
COM
PGND
6,7,8
REV_Preliminary_0.1
2
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FS276AQ
绝对最大额定值
Symbol
Min
Max
Unit
漏源电压
-
600
V
IO 25
单个 MOS 管的漏极持续电流@ TC=25°C (注 1)
-
7
A
IO 80
单个 MOS 管的漏极持续电流@ TC=80°C (注 2)
-
5
A
IOP
单个 MOS 管的漏极峰值电流@ TC=25°C,脉冲宽
度小于 100us
-
15
A
Pd
最大功率耗散@TA≤25C
-
5
W
TJ
结温范围
-40
150
°C
TS
储存温度范围
-40
150
°C
-
25
-0.3
VS + 20 V
C/W
V
VB - 20
VB +0.3 V
V
-0.3
20
V
-0.3
VCC +0.3
V
-
1500
V
RthJA
结对环境的热阻
VB
高侧浮动绝对电压
VS
高侧浮动偏移电压
VCC
ry
BVDSS
Description
低侧供电电压
逻辑输入电压(HIN,LIN)
VISO
绝缘电压(正弦,AC 1 分钟)
im
in
a
VIN
注 1:该电流根据最大结温计算,封装限制最大电流 2A
注 2:该电流根据最大结温计算,封装限制最大电流 1.5A
注 3:在任何情况下,不要超过 PD。
注 4:电压超过绝对最大额定值,可能会损坏芯片。
注 5:在任何情况下,不要超过结温(150°C)。
Symbol
el
推荐工作条件
Description
Min
Typ
Max
Units
直流输入电压
---
300
400
V
VBS
高侧供电电压
13.5
15
16.5
V
VCC
低侧供电电压
13.5
15
16.5
V
VIN
逻辑输入电压
COM
---
VCC
V
tdead
死区时间
1.0
---
---
us
fPWM
PWM 开关频率
---
16
25
kHz
Pr
HV
注 1:不建议芯片在推荐的工作条件之外长期工作。
REV_Preliminary_0.1
3
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FS276AQ
电气参数(除非特别注明,否则 TA =25C,VCC=VBS=15V)
Symbol
Description
Min
Typ
Max
Units
Conditions
BVDSS
源极-漏极击穿电压
600
---
---
V
ILK=1mA
ILK
零栅极电压漏极电流
---
---
250
uA
VDS=600V
静态漏源导通电阻
---
1.0
1.25
Ω
Id = 3A
VSD
源漏二极管的正向电压
---
---
1.4
V
Id = 3A
VIH
HIN/LIN 高电平输入阈值电压
2.8
---
---
V
VIL
HIN/LIN 低电平输入阈值电压
---
---
0.8
V
12.8
V
11.8
V
-
V
RDS(ON)
VCC 欠压保护开启电压
11.2
12
VCCUV-
VCC 欠压保护关断电压
10.2
11
VCCUVH
VCC 欠压保护迟滞电压
0.6
1
VBSUV+
VBS 欠压保护开启电压
9.4
10.2
11
V
VBSUV-
VBS 欠压保护关断电压
8.4
9.2
10
V
VBSUVH
VBS 欠压保护迟滞电压
0.6
1
-
V
IQBS
VBS 静态电流
---
75
120
uA
VIN =0V 或 5V
IQCC
VCC 静态电流
---
160
300
uA
VIN =0V 或 5V
IIN+
高电平输入偏置电流
---
25
50
uA
VIN=5V
IIN-
低电平输入偏置电流
---
---
1
uA
VIN=0V
TON
输出上升沿传输时间
---
500
800
nS
TOFF
输出下降沿传输时间
---
200
400
nS
输入滤波时间(HIN, LIN)
---
100
---
nS
Min
Typ
Max
Units
Conditions
im
in
a
el
Pr
TFIL,IN
ry
VCCUV+
注 1:HIN,LIN 输入脉冲宽度≥500nS
MOSFET 特性
Symbol
Description
EAS
单脉冲雪崩能量
---
200
---
mJ
TJ=25°C, IAS=2A,
L=100mH, TO-252
package.
trr
反向恢复时间
--
100
--
ns
IS=4A,di/dt=100A/u
s
REV_Preliminary_0.1
4
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FS276AQ
输入输出功能
HV
HIN
Gate
Driver
IC
R
VS
ry
LIN
im
in
a
R
PGND
HIN
高电平
低电平
低电平
高电平
LIN
VS 电压
低电平
HV
高电平
PGND
低电平
*
高电平
**
VS 电压有两种状态,如果电流从 PGND 流向 VS,VS 电压与 PGND 基本一样;如果电流从 VS 流
向 HV,VS 电压与 HV 基本一样
** 输入直通防止状态
Pr
el
*
REV_Preliminary_0.1
5
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FS276AQ
典型应用电路
R1
VCC
HV
D1
R1
HV
D1
C2
VCC
UH
HIN
UL
LIN
D1
C1
VB
VCC
HO
HIN
VL
VS
LO
FS276AQ
HV
D1
PGND
C2
VB
VCC
VB
HIN
HO
LIN
VS
COM
LO
WH
VH
U
COM
R1
C2
LIN
C1
COM
HO
VS
V
LO
FS276AQ
C1
W
FS276AQ
PGND
R2
PGND
R2
ry
R2
WL
N
1、 VCC电源端的滤波电容C1建议7倍于自举电容,建议10uF,并且尽可能的靠近芯片管脚。
im
in
a
2、 VCC电源端建议加18V稳压管,并且尽可能的靠近芯片管脚。
3、 输入管脚的连线尽量短,建议在输入端增加RC滤波电路来防止输入噪声。
4、 自举二极管D1建议采用耐压大于600V的快恢复二极管(trr
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