CY6N138,CY6N139
概述
CY6N138、CY6N139 光耦合器由一个 AlGaAs LED 和一个高增益分离达林顿光电探测器组成。 通过减少输入
晶体管的基极-集电极电容,用于光电二极管偏置的单独连接将速度比传统的光电晶体管光耦合器提高了几个数量
级。 这些器件采用 8 引脚 DIP/SMD 封装,具有不同的引线形成选项。
特性
低电流输入: 0.5 mA
优越的 CTR: 2000%
高隔离电压: 5000Vrms
保证性能温度范围: 0-70°C
符合 RoHS
应用
数字逻辑地隔离
低电流线路接收器
电话响铃检测器
微处理器总线隔离
CMOS-LSTTL-TTL 输出接口
电路结构和封装
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1
2022-4-9
DS-CY6N138,CY6N139-CN-V01
CY6N138,CY6N139
极限参数 (TA = 25°C 除非特别说明)
符号
参数
额值
单位
TSTG
储存温度
-40~+125
℃
TOPR
工作温度
-40 ~ +100
℃
结温
-40~ +125
℃
TSOL
焊线温度 (仅适用于回流焊)
260(10 s)
℃
IF(avg)
DC 平均输入电流
20
mA
IF(PK)
峰值输入电流 (50% 占空比, 1 ms 脉宽)
40
mA
IF(TRANS)
峰值瞬态输入电流(≤1µs 脉宽, 300 pps)
1
A
TJ
发射
VR
反向输入电压
5.0
V
PD
输入功耗
35
mW
平均输出电流
60
mA
VEBR
发射极-基极 反向电压
0.5
V
VCC
电源电压
VO
输出电压
PO
输出功耗
接收
IO(AVG)
CY6N138
-0.5 to 7.0
CY6N139
-0.5 to 18
CY6N138
-0.5 to 7.0
CY6N139
-0.5 to 18
V
V
100
mW
光电参数 (Ta=0 to 70°C 除非特别说明)
参数
符号
条件
最小
典型
最大
值
值
值
1.30
1.70
单位
发射
IF = 16mA,TA = 25°C
正向电压
VF
反向击穿电压
BVR
IR = 10μA
ΔVF/ΔTA
IF = 16mA
二极管温度系数
IF = 16mA
1.75
5.0
V
V
-1.94
mV/°C
接收
高电平输出电流
CY6N138
CY6N139
IOH
低电平电源电流
ICCL
高电平电源电流
ICCH
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IF = 0mA,VO=VCC=7V,
250
IF = 0mA,VO=VCC=18V
100
IF = 16mA,VO=Open
VCC=18V
IF = 0mA,VO=Open
VCC=18V
2
0.4
uA
1.5
mA
10
uA
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DS-CY6N138,CY6N139-CN-V01
CY6N138,CY6N139
参数
符号
CY6N138
CTR
条件
IF = 16mA,VO=0.4V
VCC=4.5V
IF = 0.5mA,VO=0.4V
电流传输比
CY6N139
CTR
VCC=4.5V
IF = 16mA,VO=0.4V
VCC=4.5V
CY6N138
VOL
最小
典型
最大
值
值
值
300
1600
400
2500
500
2600
IF = 16mA,IO=4.8mA
VCC=4.5V
IF = 0.5mA,IO=2.0mA
VCC=4.5V
IF = 1.6mA,IO=8.0mA
低电平输出电压
CY6N139
VOL
VCC=4.5V
IF = 5mA,IO=15mA
VCC=4.5V
IF = 12mA,IO=24mA
VCC=4.5V
单位
%
0.05
0.4
0.05
0.4
0.93
0.4
0.13
0.4
0.18
0.4
V
开关特性 (TA -40°C to +85°C, VCC= 5V, IF= 7.5mA除非特别说明)
交流特性
符号
CY6N138
TPLH
条件
最小值
TA = 25°C, RL = 2.2 KΩ , IF = 1.6 mA
CY6N139
TPLH
最大值
10.7
35
2.1
TPHL
22
TA = 25°C, RL =4.7KΩ , IF = 0.5 mA
CY6N139
TPHL
1.4
TA = 25°C, RL = 2.0 KΩ , IF = 1.6 mA
|CMH|
0.2
5
TA = 25°C, RL =4.7KΩ , IF = 0.5 mA
低电平共模抑制比
|CML|
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IF = 0mA,RL = 2.2KΩ
TA = 25°C, |VCM| = 10V (Peak),
IF = 1.6mA,RL = 2.2KΩ(Fig. 12)
3
10
1
2
RL =270Ω , IF = 12 mA
TA = 25°C, |VCM| = 10V (Peak),
60
15
RL = 2.2 KΩ , IF = 1.6 mA
ns
25
30
RL = 4.7KΩ , IF = 0.5 mA
高电平共模抑制比
ns
90
TA = 25°C, RL =270Ω , IF = 12 mA
输出低电平延迟时间
7
10
RL =270Ω , IF = 12 mA
RL = 4.7KΩ , IF = 0.5 mA
CY6N138
单位
50
RL = 2.2 KΩ , IF = 1.6 mA
TA = 25°C, RL =270Ω , IF = 12 mA
输出高电平延迟时间
典型值
1000
V/μs
1000
V/μs
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DS-CY6N138,CY6N139-CN-V01
CY6N138,CY6N139
隔离特性 (TA = -40°C to +85°C 除非特别说明.)
参数
符号
条件
RH < 50%, f = 50HZ,
隔离电压
VISO
隔离电阻(输入-输出)
RI-O
VI-O = 500VDC
隔离电容(输入-输出)
CI-O
f = 1MHz,VI-O = 0VDC
隔离漏电流(输入-输出)
II-O
II-O ≤ 10μA, t = 1 min.
最小值
典型值
最大值
VRMS
5000
RH=45%,TA=25°C, t=5s,
VI-O=3000VDC
单位
1011
Ω
1
pF
1.0
μA
备注:
1. 电流传输比定义为输出集电极电流 IO 与 LED 正向输入电流 IF 之比乘以 100%。
2. 设备被认为是一个双终端设备:引脚 1、2、3 和 4 短接在一起,引脚 5、6、7 和 8 短接在一起。
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DS-CY6N138,CY6N139-CN-V01
CY6N138,CY6N139
测试电路
开关时间测试电路
共模抑制比测试电路
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DS-CY6N138,CY6N139-CN-V01
CY6N138,CY6N139
特性曲线
Fig.1 Forward Current vs. Forward Voltage
Fig.2 Forward Voltage vs. Ambient Temperature
Fig.4 Output Current vs. Output
Fig.3 Current Transfer Ratio vs. Forward Current
Voltage
Fig.5 Output Current vs. Forward Current
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Fig.6 Logic Low Supply Current vs. Forward Current
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CY6N138,CY6N139
Fig.7 Propagation Delay vs. Forward Current
Fig.8 Non-saturated Rise and Fall Time vs. Load Resistance
Fig.9 Propagation Delay vs. Temperature
Fig.11 Propagation Delay vs. Input Pulse Period
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Fig.10 Propagation Delay vs. Temperature
Fig.12 Current Transfer Ratio vs. Base-Emitter Resistance
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CY6N138,CY6N139
封装尺寸
DIP-8
SMD-8
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回流焊曲线
10Sec
T P 260℃
R am p -up
T em perature (℃)
T L 217℃
T sm ax 200℃
R am p-dow n
60~ 100Sec
T sm in
150℃
tL (Soldering)
25℃
T im e (Sec)
60~ 120 sec
ts (P reh eat)
注意:
◼卓睿研发会持续不断改善质量、可靠性、功能或设计和提供更好的产品,保留在任何时候修改此规格的权利,恕不另行
通知。
◼客户下定单之前请确认手头的资料是最新版本,客户需确认此芯片确实符合自己的需要且能满足自己的要求。
◼请遵守产品规格书使用,卓睿研发不对使用时不符合产品规格书条件而导致的质量问题负责。
◼如需要高可靠性且用于以上特定设备或装置的产品,如军事、核电控制、医疗、生命维持或救生等可能导致人身伤害或死
亡的设备或装置,请联系我们销售代表以获取建议。
◼使用此产品时请采取措施防止静电损坏。
◼如对文件中表述的内容有疑问,欢迎联系我们。
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