CD4050BM/TR

CD4049B/CD4050B CD4049B(50B)六反(同)相缓冲器 概述 CD4049B 和 CD4050B 六缓冲器是单片宽电压范围 CMOS 集成电路，因此具有低功耗、抗 干扰和使用灵活性强的优点。该器件具有只用一种电源电压 VDD 即可实现逻辑电平转换的特 性。当这些器件被用作逻辑电平转换时，输入信号高电平 VIH 可以超过电源电压 VDD。该器 件被用作CMOS 到 DTL 和 TTL 的电平转换，或用作CMOS 电流驱动器，并且当VDD =5.0V, 它 们在工作温度范围内能驱动 2 个 DTL/TTL 负载。 特点  宽工作电压范围：5.0 ～ 15V；  在 VDD =5.0V 时，工作温度范围内能驱动 2 个 TTL 负载；  高收/发电流能力；  专门输入端保护网络允许输入电压大于 VDD。 产品订购信息 产品名称 封装 打印名称 包装 包装数量 CD4049UBE SOP16L CD4049UB 管装 1000pcs/盒 CD4049UBM/TR SOP16L CD4049UB 编带 2500pcs/盘 CD4050BE SOP16L CD4050B 管装 1000pcs/盒 CD4050BM/TR SOP16L CD4050B 编带 2500pcs/盘 http://www.hgsemi.com.cn 1 2022 JAN CD4049B/CD4050B 顶视图  CD4049B  CD4050B http://www.hgsemi.com.cn 2 2022 JAN CD4049B/CD4050B 示意图  CD4049B 1/6 单元  CD4050B 1/6 单元 极限参数 参数 符号 条件 数值 单位 电源电压 VDD -0.5 ~ +18 V 输入电压 VIN -0.5 ~ +18 V 任意输出管脚电压 VOUT -0.5 ~ VDD +0.5 V 贮存温度范围 tS -65 ~ +150 ℃ 功耗 PD 焊接温度 http://www.hgsemi.com.cn tL DIP 700 SOP 500 mW 10 秒 260 3 ℃ 2022 JAN CD4049B/CD4050B 推荐工作条件 参数 符号 范围 单位 电源电压 VDD 5~15 Ｖ 输入电压 VIN 0~15 Ｖ 任意管脚输出电压 VOUT 0~VDD V 工作温度范围 CD4049B，CD4050B TA 0~70 ℃ 注释： 1、“绝对最大值”是指临近状态，在此数值下不能保证电路的安全使用。“推荐工作范围” 和 “电参数”表提供了电路实际的工作状态。 2、除非特殊说明 VSS=0V 直流电参数 （注释 3） -40℃ 符号 参数 静态驱动器电流 85℃ 单位 最小 IDD 25℃ 条件 最大 最小 典型 最大 最小 最大 VDD =5V 4 0.03 4 30 VDD =10V 8 0.05 8 60 VDD =15V 16 0.07 16 120 VDD =5V 0.05 0 0.05 0.05 VDD =10V 0.05 0 0.05 0.05 VDD =15V 0.05 0 0.05 0.05 µA VIH = VDD，VIL=0V，∣IO∣﹤1µA VOL 低电平输出电压 V VIH = VDD，VIL=0V，∣IO∣﹤1µA VOH VDD =5V 4.95 4.95 5 4.95 VDD =10V 9.95 9.95 10 9.95 VDD =15V 14.95 14.95 15 14.95 高电平输出电压 V ∣IO∣﹤1µA 低电平输入电压 VDD =5V，VO =0.5V 1.5 2.25 1.5 1.5 (仅限 CD4050) VDD =10V，VO =1.0V 3.0 4.5 3.0 3.0 VDD =15V，VO =1.5V 4.0 6.75 4.0 4.0 VIL V http://www.hgsemi.com.cn 4 2022 JAN CD4049B/CD4050B 直流电参数 （注释 3） -40℃ 符号 参数 25℃ 85℃ 条件 单位 最小 最大 最小 典型 最大 最小 最大 ∣IO∣﹤1µA 低电平输入电压 VDD =5V，VO =4.5V 1.0 1.5 1.0 1.0 (仅限 CD4049) VDD =10V，VO =9V 2.0 2.5 2.0 2.0 VDD =15V，VO =13.5V 3.0 3.5 3.0 3.0 VIL V ∣IO∣﹤1µA 高电平输入电压 VDD =5V，VO =4.5V 3.5 3.5 2.75 3.5 (仅限 CD4050) VDD =10V，VO =9V 7.0 7.0 5.5 7.0 VDD =15V，VO =13.5V 11.0 11.0 8.25 11.0 VDD =5V，VO =0.5V 4.0 4.0 3.5 4.0 高电平输入电压 VDD =10V，VO =1.0V 8.0 8.0 7.5 8.0 (仅限 CD4049) VDD =15V，VO =1.5V 12.0 12.0 11.5 12.0 VDD =5V，VO =0.4V 0.61 0.51 1 0.42 VDD =10V，VO =0.5V 1.5 1.3 2.8 1.1 VDD =15V，VO =1.5V 4 3.4 6.8 2.8 高电平输出电流 VDD =5V,VO =4.6V -0.61 -0.51 -1 -0.42 （注释 4） VDD =10V,VO =9.5V -1.5 -1.3 -2.6 -1.1 VDD =15V,VO=13.5V -4 -3.4 -6.8 -2.8 VIH V ∣IO∣﹤1µA VIH V 低电平输出电流 IOL mA (注释 4) IOH IIN mA VDD =15V,VIN =0V -0.3 -0.3 -10-5 -1.0 VDD =15V,VIN =15V 0.3 0.3 10-5 1.0 输入电流 µA 注释： 3、除非特殊说明 VSS=0V 4、这些都是输出电流的极限值。持续输出电流最大额定值为 12mA。当 IOL 和 IOH 是一个 测试输出的时候，输出电流不允许超过此值。 http://www.hgsemi.com.cn 5 2022 JAN CD4049B/CD4050B 交流电参数 （注释 5）  CD4049 TA = 25℃，RL = 200KΩ，CL=50pF，tr=tf=20ns，除非其他注释： 符号 参数 条件 最小值 典型值 最大值 30 65 传输延迟时间（高电平到低电平） VDD = 10V 20 40 VDD = 15V 15 30 VDD = 5V 45 85 传输延迟时间（低电平到高电平） VDD = 10V 25 45 VDD = 15V 20 35 VDD = 5V 30 60 VDD = 10V 20 40 VDD = 15V 15 30 输入任意值 15 22.5 pF 典型值 最大值 单位 60 110 传输延迟时间（高电平到低电平） VDD = 10V 25 55 VDD = 15V 20 30 VDD = 5V 60 120 传输延迟时间（低电平到高电平） VDD = 10V 30 55 VDD = 15V 25 45 VDD = 5V 30 60 VDD = 10V 20 40 VDD = 15V 15 30 输入任意值 5 7.5 VDD = 5V tPHL tPLH 跃迁时间（高电平到低电平） tTHL 输入电容 CIN 单位 nS nS nS 注释：5、交流电参数依赖于相关直流测试。  CD4050 TA = 25℃，RL = 200KΩ，CL=50pF，tr=tf=20ns，除非其他注释： 符号 参数 条件 VDD = 5V tPHL tPLH tTHL CIN 跃迁时间（高电平到低电平） 输入电容 最小值 nS nS nS pF 注释：6、交流电参数依赖于相关直流测试。 http://www.hgsemi.com.cn 6 2022 JAN CD4049B/CD4050B 波形图 http://www.hgsemi.com.cn 7 2022 JAN CD4049B/CD4050B 封装外形 SOP16 Q A C1 C B D A1 0.25 b a Dimensions In Millimeters Symbol： Min： Max： Symbol： Min： Max： A 1.225 1.570 D 0.400 0.950 A1 0.100 0.250 Q 0° 8° B 9.800 10.00 a 0.420 TYP C 5.800 6.250 b 1.270 TYP C1 3.800 4.000 DIP16 B L1 L E D1 c d D A Dimensions In Millimeters Symbol： a http://www.hgsemi.com.cn b 8 Min： Max： Symbol： Min： 0.500 Max： A 6.100 6.680 L 0.800 B 18.940 19.560 a 1.524 TYP D 8.200 9.200 b 0.889 TYP D1 7.42 7.820 c 0.457 TYP E 3.100 3.550 d 2.540 TYP L 0.500 0.800 2022 JAN CD4049B/CD4050B 重要声明： 华冠半导体保留未经通知更改所提供的产品和服务。客户在订货前应获取最新的相 关信息，并核实这些信息是否最新且完整的。 客户在使用华冠半导体产品进行系统设计和整机制造时有责任遵守安全标准并采 取安全措施，以避免潜在风险可能导致人身伤害或财产损失情况的发生。 华冠半导体产品未获得生命支持、军事、航空航天等领域应用之许可，华冠半导体 将不承担产品在这些领域应用造成的后果。 华冠半导体保证公司所生产半导体产品的性能达到在销售时可应用的性能指标。测 试和其他质量控制技术的使用只限于华冠半导体的质量保证范围内。每个器件并非 所有参数均需要检测。以上文档资料仅供参考，一切以实物参数为准。 华冠半导体的文档资料，仅在没有对内容进行任何篡改且带有相关授权的情况下才 允许进行复制。华冠半导体对篡改过的文件不承担任何责任或义务。 http://www.hgsemi.com.cn 9 2022 JAN