EG6599

ELECTRONIC GIANT EG6599 芯片用户手册 高压 LLC 谐振控制器 2017 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 REV 1.0 屹晶微电子有限公司 EG6599 芯片数据手册 V1.0 高压 LLC 谐振控制器 版本变更记录 版本号 日期 描述 V1.0 2017 年 11 月 11 日 EG6599 数据手册初稿 2017 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com I EG6599 芯片数据手册 V1.0 屹晶微电子有限公司 高压 LLC 谐振控制器 目 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 录 特性 ..................................................................................................................................................................... 1 描述 ..................................................................................................................................................................... 1 应用领域 ............................................................................................................................................................. 1 引脚 ..................................................................................................................................................................... 2 4.1 引脚定义 ................................................................................................................................................... 2 4.2 引脚描述 ................................................................................................................................................... 2 结构框图 ............................................................................................................................................................. 3 典型应用电路 ..................................................................................................................................................... 4 电气特性 ............................................................................................................................................................. 5 7.1 极限参数 ................................................................................................................................................... 5 7.2 典型参数 ................................................................................................................................................... 5 应用说明 ............................................................................................................................................................. 8 8.1 振荡器 ....................................................................................................................................................... 8 8.2 无负载或极轻载运行 ............................................................................................................................. 10 8.3 软启动 ..................................................................................................................................................... 13 8.4 电流检测、过流保护、过载保护.......................................................................................................... 14 8.5 锁死关断 ................................................................................................................................................. 17 8.6 母线检测功能 ......................................................................................................................................... 17 封装尺寸 ........................................................................................................................................................... 19 9.1 SOP16 封装尺寸...................................................................................................................................... 19 2017 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com II 屹晶微电子有限公司 EG6599 芯片数据手册 V1.0 高压 LLC 谐振控制器 EG6599 芯片数据手册 V1.0 1. 特性  50％占空比，变频控制谐振半桥  高精度振荡器，工作频率高达 500kHz  两级 OCP，频移和锁存关掉  与 PFC 控制器接口  锁存禁用输入  轻负载时的猝发模式保护  带软启动保护和掉电保护  带高压线电压保护  600V 轨兼容的高侧栅极驱动器  -0.3A/0.8A 高侧和低侧门极驱动  封装形式：SOP16L 2. 描述 EG6599 是一款专用于谐振半桥拓扑结构的双端控制器。提供 50％互补占空比，高侧开关和低侧开关 的时间完全相同，以 180°异相驱动，通过调制工作频率调节输出电压。固定的死区时间保证软切换并实现 高频操作，能够外部振荡器可以设置转换器的工作频率。在启动时，为了防止不受控制的浪涌电流，开关 频率从最大值并逐渐衰减，到达稳态值由控制回路决定。该频移是非线性的，使输出最小电压过冲，持续 时间可以编程。可以强制 IC 在轻负载下进入受控突发模式操作，以便保持转换器的输入功耗降至最低。IC 的功能包括一个未锁存的低电平有效禁用输入，电流滞和欠压保护，电流检测输入，频率自动重启，切换 和延迟关机。如果第一级保护不足以控制 IC，则更高级别的 OCP 会锁定 IC 初级电流。它们的组合可提供 完整的过载和短路保护电路。附加的锁存禁用输入（DIS）容易实现 OTP 或 OVP。提供了与 PFC 控制器 的接口，可以在故障情况下关闭，例如 OCP 关闭和 DIS 高，或在猝发模式期间操作。 3. 应用领域  LCD & PDP TV  AC-DC 适配器  台式 PC，入门级服务器  电信 SMPS 2017 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 1/19 EG6599 芯片数据手册 V1.0 屹晶微电子有限公司 高压 LLC 谐振控制器 4. 引脚 4.1 引脚定义 1 CSS VBOOT 16 2 DELAY HVG 15 3 CF OUT 14 4 RFMIN NC 13 5 STBY VCC 12 6 ISEN LVG 11 7 LINE GND 10 8 DIS PFC_STOP 9 EG6599 图 4-1. EG6599 管脚定义 4.2 引脚描述 引脚序号 引脚名称 I/O 描述 1 CSS O 软启动。当 VCC 小于 UVLO，LINE 小于 1.25V 或大于 6V，DIS 大于 1.85V，ISEN 大于 1.5V，DELAY 大于 3.5V 时，电容放电。 2 DELAY O 过流延迟。当引脚电压大于 2V，则软启动电容完全放电，将开关 频率达到最大值。当引脚电压超过 3.5V 时，内部关闭。当电压降 低到 0.3V 以下，重新软启动。 3 CF O 外接振荡器电容 4 RFMIN I 最小振荡器频率设置，该引脚提供 2V 基准电压。 5 STBY I 突发模式。当引脚上的电压低于 1.25V，进入低功耗状态。当电压 大于 1.25V 时，正常工作。当轻负载时，实现突发模式，如果不使 用突发模式，则将引脚连接到 RFmin。 6 ISEN I 电流检测输入。当引脚电压大于 0.8V 时，软启动电容放电。当电 压大于 1.5V 进入低功耗状态，并且需要电源重新启动，解除锁存。 7 LINE I 高端电压检测。当引脚电压低于 1.25V，低功耗状态。如果不使用 该功能，则将引脚偏置在 1.25V 和 6V 之间。 8 DIS I 锁存关闭。当引脚电压大于 1.85V，低功耗状态，并且需要电源重 2017 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 2/19 EG6599 芯片数据手册 V1.0 屹晶微电子有限公司 高压 LLC 谐振控制器 新启动，解除锁存。如果不使用该功能，则将引脚连接到 GND。 PFC 漏极控制。当 DIS> 1.85V，ISEN> 1.5V，LINE> 6V，STBY 1.85V or VDELAY>3.5V or VLINE5V， VLINE=0.3V 12 15 18 uA 钳位电压 Vclamp ILINE=1 mA 6 - 8 V - - -1 uA 1.77 1.85 1.93 V 48 50 52 % 58.2 60 61.8 KHZ 240 250 260 KHZ 500 KHZ 母线检测 DIS 功能 输入偏置电流 IDIS 关闭电压门限 VTH VDIS=0 振荡器 占空比 频率 D FOSC HVG 和 LVG RRFMIN=2.7K 推荐最大 死区 TD 0.2 0.3 0.4 Us 峰值 VCFP - 3.9 - V 谷值 VCFV - 0.9 - V 基准 VREF 1.92 2 2.08 V 电流镜像比例 KM - 1 - A/A 电阻范围 RFMIN 1 - 100 KΩ PFC_STOP 功能 漏电流 Ileak VPFC_STOP=VCC - - 1 uA 低电平电压 VL IPFC_STOP=1mA DIS=2V - - 0.2 V 漏电流 Ileak VCSS=2V - - 0.5 uA 电阻 R - 120 - Ω 软启动 2017 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 6/19 EG6599 芯片数据手册 V1.0 屹晶微电子有限公司 高压 LLC 谐振控制器 猝发模式 偏置电流 IDIS 门限电压 迟滞电压 VDIS=0 - - -1 uA VTH 1.2 1.25 1.3 V HYS - 50 - mV 漏电流 Ileak - - 0.5 uA 电流源 ICHARGE 100 150 200 uA 门限 1 VTH1 1.92 2 2.08 V 门限 2 VTH2 3.3 3.5 3.7 V 门限 3 VTH3 0.25 0.3 0.35 V 过流延时 VDELAY=1V, VISEN=0.85V 低端驱动 输出低电平 VLVGL ISINK=200mA - - 1.5 V 输出高电平 VLGH ISOURCE=5mA 12.8 13.3 - V 峰值拉电流 ISORUCEPK -0.3 - - A 峰值灌电流 ISINKPK 0.8 - - A 下降沿 Tf - 30 - nS 上升沿 Tr - 60 - nS 高端驱动 输出低电平 VHVGL ISINK=200mA - - 1.5 V 输出高电平 VHGH ISOURCE=5mA 12.8 13.3 - V 峰值拉电流 ISORUCEPK -0.3 - - A 峰值灌电流 ISINKPK 0.8 - - A 下降沿 Tf - 30 - nS 上升沿 Tr - 60 - nS 2017 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 7/19 EG6599 芯片数据手册 V1.0 屹晶微电子有限公司 高压 LLC 谐振控制器 8. 应用说明 EG6599 是一个双端输出专用于谐振半桥拓朴的控制器，在此变换器中，半桥的高边，低边两开关交替 地导通和关断 （相位差 180°） ， 工作在 50%占空比，虽然实际占空比即导通时间与开关周期之比略小于 50%， 其内部有一固定的死区时间 TD，将其插在一个 MOSFET 的关断与另一 MOSFET 的导通之间。在此死区时间 内，两只 MOSFET 都关断。这个死区时间可确保变换器正确工作，要确保实现软开关以及高频工作下的低 EMI 。为了保证变换器的输出电压调整率，器件要能工作在不同的模式下，各种工作模式取决于负载条件， Burst-mode 见图 8-1。 fsw Vin Variable-frequency mode Pin Pinmax 图 8-1 多模式操作 EG6599 的多个工作模式： 1．在重载，中载或轻载时，振荡器产生一个对称的三角波，此时 MOSFET 的开关锁住，波形的频率与 电流相关。它去调制反馈电路，最终由半桥驱动反馈环路的频率保持输出稳定，于是它的工作频率取决于 传输特性。 2．在猝发模式下，此时为空载或极轻负载，当负载降到此值以下时，变换器进入间歇式工作，一些开 关周期是在近似固定频率下工作，且由一些无效的周期间隔开，两个 MOSFET 都处在关闭状态，随着负载 进一步减小，会进入更长的无效周期，以减小平均开关频率。当变换器完全空载时，平均开关频率会降到 几百赫兹，于是最小的磁化电流损耗随频率减下来，容易完成节能要求。 8.1 振荡器 EG6599 振荡器在外部用一个电容 CF 调节，从 3PIN 接到 GND，用接到 4PIN 的网络交替地充放电来定 出，此端提供 2V 基准，有 2mA 电流能力，当拉出更大电流时，会有更高频率，其方框电路见图 8-2： 2017 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 8/19 EG6599 芯片数据手册 V1.0 屹晶微电子有限公司 高压 LLC 谐振控制器 图8-2. 振荡器框图 EG6599 振荡器内外电路，在 RFmin 端的网络通常包含三个内容： 1．一个电阻 RFmin 接到此端与 GND 之间，它决定最低工作频率。 2．电阻 RFmax，接于此端和光耦集电极之间（其发射极接 GND） ，光耦从二次侧传输反馈信息，光电三 极管将调制通过分支的电流，从而调制振荡器的频率，执行输出电压的调制，RFmax 的值决定了半桥最高工 作频率，此时光电三极管处在饱合状态。 3．一个 R-C 串联电路（Css+Rss）接于此端到 GND，用来设置启动时的频率移动，注意稳定工作状态时， 其贡献为零。下面是最低及最高工作频率之间的数学关系表达式。 1 fmin= fmax= 3∗𝐶𝐹∗𝑅𝐹𝑚𝑖𝑛 1 3∗𝐶𝐹∗(𝑅𝐹𝑚𝑖𝑛 ||𝑅𝐹𝑚𝑎𝑥 ) 在 CF 定在几百 pf 或几 nf 区间后，RFmin 和 RFmax 的值将按所选振荡器频率来决定，从最低频到最高频， 在此频率范围内要能稳压。 fmin= 1 3∗𝐶𝐹∗𝑓𝑚𝑖𝑛 𝑅𝐹𝑚𝑖𝑛 fmax=𝑓𝑚𝑎𝑥 𝑓𝑚𝑖𝑛 −1 在空载突发模式操作的情况下，将给出 RFmax 的不同选择标准。 在图 8-3 中，振荡器波形与栅极驱动之间的时序关系示出了信号，以及半桥支路（HB）的摆动节点。注意， 当振荡器的三角波向上倾斜时，低边栅极驱动器打开，而当三角波向下倾斜时，高侧栅极驱动器打开。 这 样，在启动时，或者当 IC 在突发模式操作期间恢复切换时，低侧 MOSFET 将首先接通，并对自举电容器充 2017 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 9/19 屹晶微电子有限公司 EG6599 芯片数据手册 V1.0 高压 LLC 谐振控制器 电。 因此，自举电容将始终充电并准备为高端浮动驱动器供电。 图 8-3 振荡器波形与栅驱动信号的关系 8.2 无负载或极轻载运行 当谐振半桥在轻载或空载时，它的开关频率将达到最大值，为保持输出电压在此条件下仍受控，并防 止丢失软开关，必须让有效的剩余电流流过变压器的励磁电感，当然，这种电流产生了一些导致转换器空 载功耗降低的相关损耗值。 为克服此问题，EG6599 的设计使变换器间歇工作（猝发式工作），用插入几个开关周期中给出空闲的输 出，令两功率 MOSFET 关断，这样平均开关频率就减下来了。结果，实际磁化电流的平均值及相关损耗也 减下来了，使变换器成为节省能源的产品。 通过用 5PIN 可使其工作在猝发模式下，如果加到此端的电压降到 1.25V 以下，IC 将进入空闲状态，此 时两个栅驱动输出都为低电平，振荡器停止工作，软起动电容 Css 保持在充电状态，仅有 RFmin 端的 2V 基 准留住以使 IC 有最低的消耗。Vcc 电容也放了电，IC 将在此端电压超过 1.25V 的 50mV 以上时恢复工作。为 了实现猝发模式工作，需要将施加到 STBY 引脚的电压相关联到反馈环路。图 8-4 给出最简单的关系，适于 窄输入电压范围工作。 2017 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 10/19 EG6599 芯片数据手册 V1.0 屹晶微电子有限公司 高压 LLC 谐振控制器 图 8-4 窄输入电压时的猝发工作模式 图 8-5 宽输入电压时的猝发工作模式 实际上，RFmax 由开关频率 fmax 定出，超出后 EG6599 进入猝发模式工作，一旦 fmax 固定，RFmax 即 可求出： 3 𝑅𝐹𝑚𝑖𝑛 RFmax= *𝑓𝑚𝑎𝑥 8 𝑓𝑚𝑖𝑛 −1 请注意，与前一节（ “第 8.1 节：振荡器”）中考虑的 fmax 不同，此处 fmax 与某个大于最小值的负载 PoutB 相关联。在最小值时的状态，POUTB 由变压器峰值磁化电流足够低，不能产生音频噪声为决定。 谐振变换器的开关频率，还取决于输入电压。因此对图 8-4 有较大输入电压范围的电路，POUTB 的值将 变化，要予以考虑。在此情况，推荐如图 8-5，变换器的输入电压接到 STBY 端，由于开关频率与输入电压 的非线性关系，要更实际地找出校正 RA/(RA+RB) 的合适数值，这需要少量改变 POUTB 的值，小心地选择 RA+RB 总值必须大于 Rc，以尽量减小对 LINE 端电压的影响。 无论如何，用此电路时，它的工作可如下描述。由于负载降到 POUTB 值以下，频率会试图超过调整值 fmax， STBY 端上的电压也将低于 1.25V，然后 IC 停止栅极输出低电平，使半桥的两功率 MOSFET 处在关断状态， 2017 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 11/19 屹晶微电子有限公司 EG6599 芯片数据手册 V1.0 高压 LLC 谐振控制器 VSTBY 电压会随反馈结果而增加，在其电压升到 1.30V 时，IC 重新开始切换。过一会，VSTBY 将再变低，重复 猝发，使 IC 停止工作。通过这种方法，变换器工作在猝发模式，且接近一个恒定低频。随负载的进一步减 小，会使频率再减小，甚至达几百赫的水平，图 8-6 示出时序图，表示出其工作种类，示出最有用的信号， 用一支小电容从 STBY 接到 GND，仅靠 IC 放置，减小开关噪声，实现稳定工作。 图 8-6 EG6599 在不同工作模式下的时序图 为了满足节能要求，在 PFC 的功率因数校正部分，因为 PFC 预调整器领先于 DC/DC 变换器工作，器件 允许 PFC 预调整器在猝发模式工作时被关断，从而消除 PFC 部分的功耗约 0.5÷1W，也因低频时 EMC 的调 节要参照正常负载，所以变换器在空载及轻载时没有限制。 为做到这一点，器件提供 9PIN 作（PFC_STOP）开集电极输出，通常为开路，在 IC 工作于猝发模式的空 闲周期时，令其为低，此信号用于关断 PFC 控制器如图 8-7 所示。EG6559 处于 UVLO 状态时，保持打开状 态，以启动 PFC 控制器。 2017 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 12/19 EG6599 芯片数据手册 V1.0 屹晶微电子有限公司 高压 LLC 谐振控制器 图 8-7 PFC_STOP 外部接口 8.3 软启动 通常讲，软启动的目的是为启动时逐渐增加变换器的功率能力，为防止过冲电流，在谐振变换器中， 给出的功率取决于频率高低，所以软启动是采用让开关频率从高到达控制环路的限定值来做的，所以 EG6559 变换器的软起动简单地加个 RC 串联电路从 4PIN 接到 GND。 图 8-8 EG6599 的软起动内外电路 开始时， 电容 Css 完全放电， 所以串联电阻 Rss 与 RFmin 有效地并联，结果初始频率取决于 Rss 和 RFmin， 由于光耦的光电三极管此时关断， （要等到输出电压建起反馈后） 。 fstart= 1 3∗𝐶𝐹∗(𝑅𝐹𝑚𝑖𝑛 ||𝑅𝑠𝑠) Css 电容逐渐充电直到电压达到 2V 基准电压。随之，通过 Rss 的电流降到 0，典型为 5 倍的常数 Rss*Css 值。此前，输出电压将紧靠稳定值，直到反馈环工作，光耦的光电三极管将决定此时负载下的工作频率。 在此频率摆动期间，工作频率将随 Css 电容的充电而衰减，开始时充电速率较快，随后充电速率逐渐慢下来。 这种频率非线性的变化，使变换器的功率能力随频率变化。结果，随着频率线性涌动，平均输入电流是平 滑增加，没有峰值出现，输出电压几乎没有过冲地达到稳定值。将根据以下关系选择 RSS 和 CSS，其中 fstart 建议至少为 fmin 的 4 倍。典型 Rss 和 CSS 的选择基于下面的关系式： 𝑅𝐹𝑚𝑖𝑛 Rss=𝑓𝑠𝑡𝑎𝑟𝑡 𝑓𝑚𝑖𝑛 −1 2017 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 13/19 EG6599 芯片数据手册 V1.0 屹晶微电子有限公司 高压 LLC 谐振控制器 Css= 8.4 3∗10 −3 𝑅𝑠𝑠 电流检测、过流保护、过载保护 谐振半桥基本上是电压型控制，因此电流检测输入仅作 OCP 保护用。不像 PWM 控制的变换器，能量 流是由初级开关的占空比控制的，在谐振半桥中，占空比是固定的，能量流是由开关频率控制的，这会影 响限流的实现。此时，PWM 控制的变换能量流可以用终止开关导通来限制，在检测出电流超出现有阈值即 可限制。而在谐振半桥中，开关频率必须增加才能迅速关闭开关，这至少要在下一个振荡周期才能看到频 率的变化，这就是说必须有效地增加频率才能改变能量有效流动，频率改变速率必须比频率自身要慢。这 样，运行中意味着逐个周期限流行不通，因此，初级电流的信息送到电流检测输入的信号必须是平均值的。 当然，平均的时间不能太长，以防止初级电流达到或超过最大值。 图 8-9 和图 8-10 用一对电流检测表示出此特点。电路图 8-9 是一个简单仅用一个检测电阻 Rs 即可以， 但损伤了效率。图 8-10 可更有效，在效率指标要求很高时才推荐使用。 图 8-9 用电流检测电阻的检测电路 图 8-10 用并联电容检测过流的检测电路 2017 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 14/19 EG6599 芯片数据手册 V1.0 屹晶微电子有限公司 高压 LLC 谐振控制器 器件提供电流检测电流输入端（6PIN ISEN）并提供过流保护系统，ISEN 端内部接到第一比较器的输入， 比较参考电平为 0.8V，第二比较器参考电平为 1.5V，如果加到此端的外部电压超过 0.8V，则第一比较器触 发，使内部开关开启，并放掉 Css 电容的电荷，这会迅速增加振荡器的频率，从而限制了能量的传输，放电 直到 ISEN 端电压降下 50mV，这样此平均时间为 10 / f min 的范围，保证了有效频率的上升，在输出短路时， 这个工作的结果接近恒定峰值的初级电流。 通常，ISEN 端的电压可过冲到 0.8V，当然如果 ISEN 端电压达到 1.5V 时，第二比较器将被触发，EG6599 将关断，并锁住两个输出驱动及令 PFC_STOP 端变低电平，因此关断了整个系统，IC 的电源电压必须拉到 UVLO 以下，等再次升到启动电平以上时，才能重新启动。如果软起动电容 Css 较大就可能出现，所以它的 放电不能太快，或在变压器磁化电感饱合时或在二次侧整流短路时才出现。 在图 8-9 的电路中，检测电阻 Rs 串在低边 MOSFET 的源极到 GND。注意实际连接的谐振电容处，Rs 上 的电压与高边 MOSFET 中流过的电流相关，在多数开关周期中都是正的，除非谐振电流在低边 MOSFET 反转 时，此时低边 MOSFET 已关断。假设 RC 滤波时间常数至少 10 倍于最小的开关频率 fmin 时段，则 Rs 的近似 值可用下式表示： Rs= 𝑉𝑠𝑝𝑘𝑥 𝐼𝑐𝑟𝑝𝑘𝑥 5∗0.8 ≈ 𝐼𝑐𝑟𝑝𝑘𝑥 ≈ 4 𝐼𝑐𝑟𝑝𝑘𝑥 此处，Icrpkx 是最大的流过谐振电容和变压器初级绕组的峰值电流，相应也是最低输入电压及最大负载 下的电流。图 8-10 的电路可以工作在两个不同的方法，如果电阻 RA 与 CA 相串联，且数值较小，则电路工 作像一个电容性电流分压器，CA 典型选在 RR/100 或少一些，要用低损耗型，检测电阻 RB 用下式计算： R B= 0.8𝜋 𝐼𝑐𝑟𝑝𝑘𝑥 （1 + 𝐶𝑟 𝐶𝐴 ） CB 将按 RB*CB 为 10 / f min 来选择。如果电阻 RA 与 CA 相串时不是很小，电路的工作像一个跨过谐振电容 Cr 的纹波电压分压器，在运行中与通过 Cr 作用的电流相关，再有 CA 也将选择等于 CR/100 或更少一些，这个 时段不必是低损耗型的，这时的 RB 为： R B= 0.8𝜋 𝐼𝑐𝑟𝑝𝑘𝑥 ∗ 𝑅 2 𝐴+𝑋 2 𝐶𝐴 𝑋𝐶𝑟 此处，CA(XCA) 和 CR(XCr) 在这个频率条件下计算，即 IcrpK = I crpKx CB 将成为 RB*CB，其范围为 10 / f min。 无论如何，电路进入实际情况，Rs 或 RB 的值在经验的基础上加以调整。在过载或输出短路时，OCP 能够有 效限制初级到次级能量传递，但通过二次绕组及整流元件的输出电流在此条件下可能比较高。如果连续出 现此现象的话，会危及变换器的安全。为防止其在任何此条件下产生的危险，通常强制变换器间歇式工作。 用 EG6599 可调节外部最大时间 TSH，即变换器允许过载运行或在短路下运行的时间，过载或短路时间必须 小于 TSH，这段时间内不会有任何动作，因此提供给系统保护功能。如果 TSH 超出过载保护(OLP)的过程被激 2017 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 15/19 EG6599 芯片数据手册 V1.0 屹晶微电子有限公司 高压 LLC 谐振控制器 活，将关闭器件。在连续过载/短路的情况下，导致用户定义的连续间歇操作占空比。 图 8-11 软起动和过流时的波形和时序图 这个功能与 2PIN（DELAY）有关，借助电容 Cdelay，及并联电阻 Rdelay 接到 GND，由于 ISEN 端电压超 过 0.8V，第一级 OCP 比较器动作，Css 放电，接通内部电流发生器。它输出 150uA 电流（从 DELAY 端）并 给 Cdelay 充电，在过载/短路期间，OCP 比较器及内部电流源迅速地激活，且 Cdelay 将用平均电流充电。它 取决于电流检测滤波器电路的时间常数。 此操作继续，直到 Cdelay 上的电压达到 2V，它定义了时间 TSH，TSH 到 Cdelay 没有直接的关系，它实际 上由 Cdelay 经验决定。作为运行指示，在 Cdelay =1uf 时，TSH 将是 100ms。一旦 Cdelay 充电到 2V，内部开 关将 Css 放电，强制连续为低电平，不去管 OCP 比较器的输出，150uA 电流源连续导通，直到 Cdelay 上的 电压达到 3.5V，此时段为 TMP。 TMP=10*Cdelay 对 TMP 以 ms 表示，Cdelay 以 uf 表示，在此期间 EG6599 工作在接近 fstart 的频率上，以便减小谐振电 路内部的能量，随着 Cdelay 上电压达到 3.5V，器件停止开关，PFC_STOP 端拉到低电平，还有内部电流源也 关断，所以 Cdelay 慢慢地由 Rdelay 放电，IC 在 Cdelay 电压低于 0.3V 时再次重新启动，Tstop 为： Tstop=Rdelay*Cdelayln 3.5 0.3 ≈2.5Rdelay*Cdelay 图 8-11 给出工作的时序图，注意，如果在 Tstop 期间，EG6599 Vcc 上的电压降到 UVLO 阈值以下，IC 会保持 记忆，而在 Vcc 超过启动阈值后，不再立即重新起动。如果 V(delay) 仍高于 0.3V，还有 PFC_STOP 端停在低 电平的时间会如 V(delay) 一样长地大于 0.3V。注意，在过载时间小于 TSH 的情况下，TSH 的值在下一次过载 时会变得较低。 2017 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 16/19 屹晶微电子有限公司 EG6599 芯片数据手册 V1.0 高压 LLC 谐振控制器 锁死关断 8.5 器件配备一个比较器，其有一同相端引出，接于 8PIN (DIS) ，内部的反相输入端接于 1.85V 的基准，随 着此端电压超过内部阈值，IC 会立即关断，其功率消耗减到一个低值，锁死信息必须让 Vcc 端电压降到 UVLO 阈值以下，这样才能复位，并重新启动 IC。 这个功能用于执行过热保护，从外部基准电压用一分压器接在此端作偏置，上部电阻为 NTC，令其靠近 发热元件，如 MOSFET，或者二次侧的二极管或变压器。OVP 也可以用它来执行，用检测输出电压或经光耦 传输一个过压条件即可。 母线检测功能 8.6 此功能基本上会停止 IC。随着输入电压降低到变换器规定范围，让它在电压返回时重新启动，检测电 压可是整流滤波的主电压。可以用 PFC 预调节器的输出电压保护，此功能服从于 POWER-ON 及 POWER-OFF 功能。 EG6599 在输入欠压时关断。此是用内部比较器完成，如图 8-12 所示，其同相输入端为 7PIN(LINE) ，比 较器反相端内部接于 1.25V。如果 LINE 端电压低于内部基准，在此条件下，软起动即被禁止，PFC_STOP 端 开路，IC 功率消耗减下来，PWM 工作重新使能状态要在此端电压高于 1.25V。比较器用一个电流迟滞形成 比较器的电压窗口。在 LINE 端上电压低于基准时，内部 15uA 电流源被激活，若电压高于基准即关断。这 提供一个附加的自由度，通过使设置 ON 和 OFF 的阈值，选择合适的外部电阻分压网络即可以实现。 图 8-12 线路电压检测功能电路及工作波形 2017 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 17/19 EG6599 芯片数据手册 V1.0 屹晶微电子有限公司 高压 LLC 谐振控制器 参考图 8-12，下面的关系式可以估出 ON(Vinon) 及 OFF(Vinoff) 的输入电压值。 𝑉𝑖𝑛𝑜𝑛 −1.25 𝑅𝐻 =15*10-6+ 1.25 𝑅𝐻 𝑉𝑖𝑛𝑜𝑓𝑓 −1.25 1.25 𝑅𝐻 = 𝑅𝐻 求解 RH 和 RL 给出： RH= 𝑉𝑖𝑛𝑜𝑛 −𝑣𝑖𝑛𝑜𝑓𝑓 RL=RH= 15∗10 −6 1.25 𝑉𝑖𝑛𝑜𝑓𝑓 −1.25 当线路欠压时被激活，无 PWM。Vcc 电压在起动及 UVLO 阈值之间振荡，见图 8-12。作为安全性的加 入附加措施，如果此端电压超过 7V，则器件关断。如果其供电电压始终高于在 UVLO 阈值时，IC 将在电压 降至 7V 以下时重新启动。器件工作时，LINE 引脚是高阻抗输入，连接到高电平值电阻器，因此它容易收集 噪声，这可能会改变 OFF 阈值，或在 ESD 测试期间，IC 会发生不希望的关断。可以通过引脚一个小薄膜电 容（1-10 nF）接地，防止这种故障。如果没有使用该功能，引脚必须连接到大于 1.25V 电压低于 6V 电压（7V 阈值的最坏情况值） 。 2017 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 18/19 EG6599 芯片数据手册 V1.0 屹晶微电子有限公司 高压 LLC 谐振控制器 9. 封装尺寸 9.1 SOP16 封装尺寸 符号 尺寸（mm） Min Max A 1.350 1.750 A1 0.100 0.250 A2 1.350 1.550 B 0.330 0.510 C 0.190 0.250 D 9.800 10.000 E 3.800 4.000 E1 5.800 6.300 e 1.270（TYP） L 0.400 1.270 Θ 0° 8° 2017 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 19/19