S9014

厂商：
UMW(友台)
封装：
SOT-23
描述：
SOT-23塑料封装晶体管

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S9014 数据手册

UMW R UMW S9014 SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-23 S9014 TRANSISTOR (NPN) FEATURES z Complementary to S9015 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR MARKING: J6 MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 0.1 A PC Collector Power Dissipation 0.2 W Tj Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature -55-150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC= 100μA, IE=0 50 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC= 0.1mA, IB=0 45 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=100μA, IC=0 5 V Collector cut-off current ICBO VCB=50 V , IE=0 0.1 μA Collector cut-off current ICEO VCE=35V , IB=0 0.1 μA Emitter cut-off current IEBO VEB= 3V , IC=0 0.1 μA DC current gain hFE VCE=5V, IC= 1mA 200 Max Unit 1000 Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC=100 mA, IB= 5mA 0.3 V Base-emitter saturation voltage VBE(sat) IC=100 mA, IB= 5mA 1 V fT Transition frequency VCE=5V, IC= 10mA f=30MHz 150 MHz CLASSIFICATION OF hFE Rank Range www.umw-ic.com L H 200-450 450-1000 1 友台半导体有限公司 UMW R UMW S9014 SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors hFE Static Characteristic 8 1000 Ta=100℃ 18uA Ta=25℃ hFE 16uA DC CURRENT GAIN (mA) 20uA 6 IC COLLECTOR CURRENT COMMON EMITTER Ta=25℃ 14uA 4 12uA 10uA 8uA 2 —— IC 6uA 100 4uA COMMON EMITTER VCE= 5V IB=2uA 0 0 2 4 6 COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCEsat —— 1 (V) 10 COLLECTOR CURRENT IC VBEsat —— IC 100 (mA) IC 2 1 0.1 Ta=25℃ BASE-EMITTER SATURATION VOLTAGE VBEsat (V) COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE VCEsat (V) 1 VCE 10 0.1 8 Ta=100℃ Ta=25℃ Ta=100℃ β=20 β=20 0.01 0.1 1 10 COLLECTOR CURRENT IC (mA) 10 COLLECTOR CURRENT —— VBE fT 1000 Ta=25℃ 1 COMMON EMITTER VCE= 5V 0.1 0.0 0.3 0.6 0.9 fT Ta=100℃ 10 100 TRANSITION FREQUENCY (mA) IC COLLECTOR CURRENT 1 IC 100 (mA) —— IC (MHz) 100 IC 0.1 0.1 100 10 COMMON EMITTER VCE=5V Ta=25℃ 1 0.1 1.2 1 BASE-EMMITER VOLTAGE VBE (V) Cob/ Cib 100 —— 10 COLLECTOR CURRENT VCB/ VEB PC 250 —— IC 100 (mA) Ta f=1MHz IE=0/IC=0 COLLECTOR POWER DISSIPATION PC (mW) Cib 10 CAPACITANCE C (pF) Ta=25 ℃ Cob 1 0.1 0.1 1 REVERSE VOLTAGE www.umw-ic.com 10 VR 200 150 100 50 0 20 0 (V) 25 50 75 AMBIENT TEMPERATURE 2 100 Ta 125 150 (℃ ) 友台半导体有限公司 UMW R Symbol A A1 A2 b c D E E1 e e1 L L1 θ www.umw-ic.com UMW S9014 SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors Dimensions In Millimeters Min. Max. 0.900 1.150 0.000 0.100 0.900 1.050 0.300 0.500 0.080 0.150 2.800 3.000 1.200 1.400 2.250 2.550 0.950 TYP. 1.800 2.000 0.550 REF. 0.300 0.500 0° 8° 3 Dimensions In Inches Min. Max. 0.035 0.045 0.000 0.004 0.035 0.041 0.012 0.020 0.003 0.006 0.110 0.118 0.047 0.055 0.089 0.100 0.037 TYP. 0.071 0.079 0.022 REF. 0.012 0.020 0° 8° 友台半导体有限公司

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S9014

物料型号为 UMW S9014，这是一种SOT-23封装的塑料封装晶体管。

器件简介：UMW S9014是一个NPN型晶体管，与S9015互补。

引脚分配：1号脚为基极（BASE），2号脚为发射极（EMITTER），3号脚为集电极（COLLECTOR）。

参数特性： - 最大额定值包括50V的集-基电压（VCBO），45V的集-射电压（VCEO），5V的发射-基电压（VEBO），连续集电极电流0.1A（Ic），集电极功耗0.2W（Pc），结温150°C（T），存储温度-55°C至150°C（Tstg）。

- 电气特性包括在25°C下，集-基击穿电压（V(BRCBO)）为50V，集-射击穿电压（V(BRCEO)）为45V，发射-基击穿电压（V(BREBO)）为5V，集电极截止电流（IcBO）和集电极截止电流（ICEO）均为0.1A，发射极截止电流（IEBO）为0.1A，直流电流增益（hFE）范围200至1000，集-射饱和电压（VcE(sat)）最大0.3V，基-发射饱和电压（VBE(sat)）最大1V，过渡频率（fr）为150MHz。

功能详解：UMW S9014晶体管在电路中可用作开关或放大器，其直流电流增益和集电极-发射极饱和电压是其关键参数。

应用信息：适用于一般用途的放大和开关应用。

封装信息：SOT-23封装，具体尺寸包括A（0.900-1.150mm），b（0.300-0.500mm），D（2.800-3.000mm），E（1.200-1.400mm）等。

封装细节可在提供的PDF文档中找到。

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