EG2136

ELECTRONIC GIANT EG2136芯片数据手册 三相半桥电路驱动芯片 2016 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 REV 1.0 屹晶微电子有限公司 EG2136 芯片数据手册 V1.0 三相半桥电路驱动芯片 版本变更记录 版本号 V1.0 日期 描述 2016 年 11 月 18 日 EG2136 数据手册初稿 2016 ©屹晶微电子有限公司 版权所有 www.EGmicro.com 2 / 12 屹晶微电子有限公司 EG2136 芯片数据手册 V1.0 三相半桥电路驱动芯片 目录 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 特点 ..................................................................................................................................................................... 4 描述 ..................................................................................................................................................................... 4 应用领域 ............................................................................................................................................................. 4 引脚 ..................................................................................................................................................................... 5 4.1 引脚定义 ............................................................................................................................................. 5 4.2 引脚描述 ............................................................................................................................................. 5 结构框图 ............................................................................................................................................................. 6 典型应用图 ......................................................................................................................................................... 7 电气特性 ............................................................................................................................................................. 7 7.1 极限参数 ............................................................................................................................................. 7 7.2 典型参数 ............................................................................................................................................. 8 7.3 功能描述 ........................................................................................................................................... 10 7.4 逻辑时序图 ....................................................................................................................................... 10 封装尺寸 ........................................................................................................................................................... 13 8.1 SOP28L封装尺寸 ............................................................................................................................... 13 2016 ©屹晶微电子有限公司 版权所有 www.EGmicro.com 3 / 12 屹晶微电子有限公司 EG2136 芯片数据手册 V1.0 三相半桥电路驱动芯片 EG2136 芯片数据手册 V1.0 1. 特点   高端悬浮自举电源设计，耐压可达 600V 适应 5V 或者 3.3V 输入电压            输出电流能力+0.2A/-0.35A 欠压保护 使能控制 输入输出相反 外部设置清理时间 高低端通道匹配 过流保护关断六通道输出 集成三个独立的半桥驱动器 内建死区控制电路 自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通 封装形式：SOP28L 2. 描述 EG2136 是用作 N 型功率 MOSFET 和 IGBT 等高压、高速功率器件的三相栅极驱动电路，主要包含三个独 立的半桥驱动电路。内置死区时间，可确保功率管上下桥臂不会同时导通。内置输入信号滤波，防止噪声 干扰。提供外部使能控制可同时关断六通道输出。此外，它还具有欠压保护和过流保护功能，出现异常时 立即关断六通道输出。 3. 应用领域     三相电机驱动 DC-AC 逆变 开关电源 空调、冰箱、洗衣机 2016 ©屹晶微电子有限公司 版权所有 www.EGmicro.com 4 / 12 屹晶微电子有限公司 EG2136 芯片数据手册 V1.0 三相半桥电路驱动芯片 4. 引脚 4.1 引脚定义 VCC 1 28 VB1 HIN1 2 27 HO1 HIN2 3 26 VS1 HIN3 4 25 NC LIN1 5 24 VB2 LIN2 6 23 HO2 LIN3 7 22 VS2 FAULT 8 21 NC ITRIP 9 20 VB3 EN 10 19 HO3 RCIN 11 18 VS3 VSS 12 17 NC COM 13 16 LO1 LO3 14 15 LO2 EG2136 图 4-1. EG2136 管脚定义 4.2 引脚描述 引脚序号 引脚名称 I/O 1 2,3,4 5,6,7 8 9 10 11 12 13 14,15,16 17,21,25 18,22,26 19,23,27 20,24,28 VCC I I I O I I I I I O HIN1,2,3 LIN1,2,3 FAULT ITRIP EN RCIN VSS COM LO3,2,1 NC VS3,2,1 HO3,2,1 VB3,2,1 2016 ©屹晶微电子有限公司 版权所有 www.EGmicro.com I O I 描述 低端电源电压 高端输入（负逻辑） 低端输入（负逻辑） 过流或者低端欠压闭锁的故障指示（负逻辑） 过流保护输入端 使能端 外接 RC 元件，确定故障清楚延时 地 低端栅极驱动公共端 低端输出 空脚 高端浮动偏移电压 高端输出 高端浮动绝对电压 5 / 12 屹晶微电子有限公司 EG2136 芯片数据手册 V1.0 三相半桥电路驱动芯片 5. 结构框图 HIN1 2 LIN1 5 HIN2 3 LIN2 6 HIN3 4 LIN3 7 滤 波 滤 波 滤 波 滤 波 滤 波 滤 波 死区 控制 和闭 锁控 制 死区 控制 和闭 锁控 制 死区 控制 和闭 锁控 制 电 平 位 移 脉 冲 滤 波 28 VB1 驱 动 27 HO1 26 VS1 欠压检测 驱 动 延 时 电 平 位 移 脉 冲 滤 波 16 LO1 24 VB2 驱 动 23 HO2 22 VS2 欠压检测 驱 动 延 时 电 平 位 移 脉 冲 滤 波 15 LO2 20 VB3 驱 动 19 HO3 18 VS3 欠压检测 延 时 驱 动 14 LO3 13 COM 欠压检测 EN 10 滤 波 1 VCC 数字 逻辑 控制 8 FAULT RCIN 11 9 ITRIP 0.5V VSS 12 图 5-1. EG2136 结构框图 2016 ©屹晶微电子有限公司 版权所有 www.EGmicro.com 6 / 12 屹晶微电子有限公司 EG2136 芯片数据手册 V1.0 三相半桥电路驱动芯片 6. 典型应用图 FR107 600V 15V HIN1,2,3 LIN1,2,3 VCC VB1,2,3 HIN1,2,3 HO1,2,3 VS1,2,3 LIN1,2,3 FAULAT FAULAT EN EN 1N4148 C3 EG2136 OUT R1 2M C1 0.1uF R4 10uF 1N4148 RCIN C2 1nF LO1,2,3 ITRIP VSS R5 COM R2 R3 图 6-1. EG2136 典型应用电路图 7. 电气特性 7.1 极限参数 无另外说明，在 TA=25℃条件下，所有电压均以 COM 为参考点 符号 参数名称 测试条件 自举高端 VB 电源 VB - -0.3 高端悬浮地端 VS - VB1,2,3-25 高端输出 HO - 低端输出 LO - 2016 ©屹晶微电子有限公司 版权所有 www.EGmicro.com 最小 最大 单位 600 V VB1,2,3+0.3 V VS1,2,3-0.3 VB1,2,3+0.3 V -0.3 VCC+0.3 V 7 / 12 屹晶微电子有限公司 EG2136 芯片数据手册 V1.0 三相半桥电路驱动芯片 电源 VCC - -0.3 25 V 地 VSS - VCC-25 VCC+0.3 V 高通道逻辑信号 输入电平 低通道逻辑信号 输入电平 HIN1,2,3 - -0.3 6 V - -0.3 6 V RCIN 输入电压 LIN1,2,3 VRCIN - VSS-0.3 VCC+0.3 V FAULT输入电压 VFAULT - VSS-0.3 VCC+0.3 V EN 输入电压 EN - VSS 6 V ITRIP 输入电压 ITRIP - VSS 6 V TA 环境温度 - -40 125 ℃ Tstr 储存温度 - -55 150 ℃ TL 焊接温度 T=10S - 300 ℃ 注：超出所列的极限参数可能导致芯片内部永久性损坏，在极限的条件长时间运行会影响芯片的可靠性。 7.2 典型参数 无另外说明，在 TA=25℃，VCC=VBS1,2,3=15V,VS1,2,3=VSS=COM,CL=1nF 参数名称 符号 测试条件 最小 典型 电源 VCC 输入逻辑信号高电位 VIH 输入逻辑信号低电位 VIL EN 使能电压 VTH+ EN 使能电压 最大 单位 10 - 20 V 3.0 - - V - - 0.8 V - - 3.0 V VTH- 0.8 - - V ITRIP 过流检测电压 VITTH 0.37 0.46 0.55 V ITRIP 过流迟滞电压 VITHYS - 0.07 - V RCIN 端检测电压 VRCINTH - 8 - V RCIN 端迟滞电压 VRCINHYS - 3 - V 8.0 8.9 9.8 V 7.4 8.2 9.0 V 0.3 0.7 - V - 1.0 1.5 mA VCC/VBS 欠压复位电压 VCC/VBS 欠压检测电压 VCC/VBS 欠压迟滞电压 静态电流 2016 ©屹晶微电子有限公司 版权所有 www.EGmicro.com HIN1,2,3=LIN1,2,3 HIN1,2,3=LIN1,2,3 VCCUV+ VBSUV+ VCCUVVBSUVVCCUVH VBSUVH Icc VIN=5，VCC=15V 8 / 12 屹晶微电子有限公司 EG2136 芯片数据手册 V1.0 三相半桥电路驱动芯片 VBS 静态电流 IBS VIN=5 - 30 - uA 悬浮浮动电源漏电流 ILK VB1,2,3=VS1,2,3=600V - - 50 uA EN 使能关闭电流 IEN VEN=0 - - 1.0 uA IO 输出拉电流 IO+ 200 - mA IO 输出灌电流 IO- 350 - mA 高电平输出电压 VOH IO=25 mA 14.2 V 低电平输出电压 VOL IO=25 mA 0.2 V RCIN 低通电阻 RONRCIN 50 100 Ω FAULT低通电阻 RONFAULT 50 100 Ω 输出上升沿时间 tr 125 190 nS 输出下降沿时间 tf 50 75 nS 输出上升沿延时时间 ton 300 425 550 nS 输出下降沿延时时间 toff 250 400 550 nS EN 使能关闭延时时间 tEN VIN,VEN=0V 或 5V 300 450 600 nS ITRIP 过流保护延时 tITRIP VITRIP=5V 500 750 1000 nS ITRIP 前沿消隐时间 tbl VIN=0V 或 5V ,VITRIP=5V 100 150 - nS tFLT VIN=0V 或 5V ,VITRIP=5V 400 600 800 nS 输入滤波时间 tFILIN VIN=0V 或 5V 100 200 - nS RCIN 重置时间 tFLTCLR VIN=0V 或 5V ,VITRIP=0V 1.3 1.65 2 mS 死区时间 DT VIN=0V 或 5V 220 290 360 nS 高低端延时匹配 MT - 40 75 nS 三通道导通和关闭延时匹配 MDT - 25 70 nS 输入和输出脉冲宽度匹配 PM - 40 75 nS ITRIP 到FAULT传输延迟时间 2016 ©屹晶微电子有限公司 版权所有 www.EGmicro.com Vo=0V,VIN=VIH PW≤10uS Vo=12V,VIN=VIL PW≤10uS |pwin-pwout| 9 / 12 屹晶微电子有限公司 EG2136 芯片数据手册 V1.0 三相半桥电路驱动芯片 7.3 功能描述 EG2136 是用作 N 型功率 MOSFET 和 IGBT 等高压、高速功率器件的三相栅极驱动电路， 主要包含三个独立的半桥驱动电路，正常工作输出时，LO 和 HO 分别与输入 LIN 和 HIN 的 信号保持逻辑反相。EG2136 同时具备欠压（UV）保护功能，当 VCC 的电压低于欠压保护 检测电压时，三个通道的 LO 和 HO 均输出低电平，当 VBS 的电压低于欠压保护检测电压 时，HO 输出低电平，LO 正常响应 LIN 的信号。该功能防止被驱动的 MOSFET 或 IGBT 工作 在高电压高电流状态下，有效保护功率器件并避免后续设备在低效率下工作。EG2136 还 具备输入噪声滤波功能，防止噪声干扰。EG2136 内置死区时间，防止被驱动的两个功率 MOS 管或 IGBT 因直通而产生大电流烧毁功率器件，有效保护功率器件。EG2136 集成过流 保护功能，并能指示欠压和过流故障状态，同时关断六通道输出。 7.4 逻辑时序图 1. 输入输出逻辑时序图： HIN1,2,3 LIN1,2,3 EN ITRIP FAULT RCIN HO1,2,3 LO1,2,3 图 7-1. 输入输出逻辑波形图 2016 ©屹晶微电子有限公司 版权所有 www.EGmicro.com 10 / 12 屹晶微电子有限公司 EG2136 芯片数据手册 V1.0 三相半桥电路驱动芯片 2. 输入信号和输出信号逻辑真值表： VCC VBS ITRIP ENABLE FAULT LO1,2,3 VCCUV-，VCCUV-并不会锁定，FAULT 变为高阻。 注 3：当 ITRIP< VITRIP，RCIN 电压大于 8V（@VCC=15V），FAULT 变为高阻。 3. HO1,2,3 0 0 HIN1,2,3 0 0 开关时间波形： LIN1,2,3 HIN1,2,3 50% 50% pwin LIN1,2,3 HIN1,2,3 50% ton 50% toff tr HO1,2,3 LO1,2,3 pwout 90% 10% tf 90% 10% 图 7-2. 开关时间波形图 4. 使能关断波形： EN 50% ten HO1,2,3 LO1,2,3 90% 图 7-3. 使能关断波形图 2016 ©屹晶微电子有限公司 版权所有 www.EGmicro.com 11 / 12 屹晶微电子有限公司 EG2136 芯片数据手册 V1.0 三相半桥电路驱动芯片 5. 死区时间波形： LIN1,2,3 HIN1,2,3 50% LIN1,2,3 HIN1,2,3 50% 50% 50% 50% LO1,2,3 HO1,2,3 50% DT DT 50% 50% 图 7-4. 死区时间波形图 6. 过流保护波形： RCIN Vrcinth+ 50% ITRIP FAULT Any output 50% tflt 50% 50% 90% tfltclr titrip 图 7-5. 过流保护波形图 7. 欠压保护波形： VCC FAULT LO1,2,3 图 7-6. 欠压保护波形图 2016 ©屹晶微电子有限公司 版权所有 www.EGmicro.com 12 / 12 屹晶微电子有限公司 EG2136 芯片数据手册 V1.0 三相半桥电路驱动芯片 8. 输入噪声滤波波形： tFLTIN tFLTIN LIN1,2,3 HIN1,2,3 high HO1,2,3 LO1,2,3 tFLTIN tFLTIN LIN1,2,3 HIN1,2,3 HO1,2,3 LO1,2,3 low 图 7-8. 输入噪声滤波波形图 8. 封装尺寸 8.1 SOP28L 封装尺寸 D c A2 A A A1 A1 A2 A3 b b1 c c1 D E L L1 E 0.25 E1 E1 e L L1 b e 2016 ©屹晶微电子有限公司 版权所有 www.EGmicro.com B B BASE METAL b1 b MILLIMETER MIN NOM MAX θ A3 SYMBOL c1 c θ 0.10 - 2.65 0.30 2.25 2.30 2.35 0.97 1.02 1.07 0.39 - 0.47 0.38 0.41 0.44 0.25 - 0.24 0.25 0.29 0.26 17.90 18.00 18.10 10.10 10.30 10.50 7.40 7.50 7.60 1.27BSC 0.70 - 1.00 1.40REF 0 - 8° WITH PLATING 13 / 12