- 物料型号: HSU4115
- 器件简介: 高单元密度的P沟道MOSFET，适用于同步降压转换器应用，具有出色的RDSON和栅极电荷特性，符合RoHS和绿色产品要求，100% EAS保证，全功能可靠性认证。
- 引脚分配: 未明确提供，但通常TO252封装有3个引脚，分别是漏极（D）、源极（S）和栅极（G）。
- 参数特性:
- 漏源电压（Vos）: -40V
- 栅源电压（VGs）: ±20V
- 连续漏电流（ID）: -52A
- 脉冲漏电流（IDM）: -105A
- 雪崩能量（EAS）: 146mJ
- 总功耗（Pd）: 52.1W（Tc=25°C）/ 2W（TA=25°C）
- 功能详解: 提供了包括输出特性、导通电阻与栅源电压关系、正向特性、栅极电荷特性、栅极延迟时间、上升时间、下降时间等电气特性图表。
- 应用信息: 主要用于同步降压转换器应用，具有超低栅极电荷和优秀的CdV/dt效应下降特性。
- 封装信息: TO252-2封装，2500/卷带式封装，提供了详细的封装尺寸信息。
